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World File Search System霍尔效应
用于太空任务的 5 kW 级霍尔效应推力器的性能和物理特性。
*ICARE – CNRS，1C avenue de la recherche scientifique，45071 Orléans Cedex，法国。**CNES，18 avenue Edouard Belin，31401 Toulouse，法国。***Snecma，Division Moteurs Spatiaux，Forêt de Vernon，BP 802，27208 Vernon，法国。摘要 回顾了由 Snecma 开发的技术演示器 5 kW 级 PPS ® X000 霍尔效应推力器的性能特征，输入电功率范围为 1.5 kW 至 7 kW。结果表明，PPS ® X000 推力器既可以在高推力域（高达 350 mN）下运行，也可以在高比冲域（高达 3200 s）下运行。 PPS ® X000 电动推力器的双模功能使其非常适合重型地球静止通信卫星的轨道定位和定位等任务。机器人探索太阳系外行星和遥远彗星等太空任务需要超过 1 N 的推力。
TMCS1123 精密 250kHz 霍尔效应电流传感器，具有增强隔离工作电压、过流检测和环境场抑制功能 数据表 (Rev. C)
• 高连续电流能力：80A RMS • 坚固的增强隔离 • 高精度 – 灵敏度误差：±0.1% – 灵敏度热漂移：±20ppm/°C – 灵敏度寿命漂移：±0.2% – 失调误差：±0.2mV – 失调热漂移：±2μV/°C – 失调寿命漂移：±0.2mV – 非线性：±0.1% • 高外部磁场免疫力 • 精密零电流参考输出 • 快速响应 – 信号带宽：250kHz – 响应时间：1µs – 传播延迟：110ns – 过流检测响应：100ns • 过流检测 MASK (TMCS1123D71) • 工作电源范围：3V 至 5.5V • 双向和单向电流感应 • 多种灵敏度选项： – 范围从 25mV/A 到 150mV/A • 安全相关认证（计划中） – UL 1577 元件识别程序 – IEC/CB 62368-1
TMCS1133 精密 1MHz 霍尔效应电流传感器，具有增强隔离工作电压、过流检测和环境场抑制功能 数据表 (Rev. B)
(1) 根据应用的特定设备隔离标准应用爬电距离和电气间隙要求。注意保持电路板设计的爬电距离和电气间隙，以确保印刷电路板上隔离器的安装垫不会减小此距离。在某些情况下，印刷电路板上的爬电距离和电气间隙会相等。在印刷电路板上插入凹槽、肋条或两者等技术可用于帮助提高这些规格。 (2) 在空气或油中进行测试，以确定隔离屏障的固有浪涌抗扰度。 (3) 视在电荷是由局部放电 (pd) 引起的放电。 (4) 屏障两侧的所有引脚连接在一起，形成一个双端子设备。
霍尔效应表征系统
客户满意度、创新、灵活性和高品质是 LINSEIS 的代表。凭借这些基本原则，我们公司在领先的科学和工业组织中享有卓越的声誉。多年来，LINSEIS 一直提供高度创新的基准产品。LINSEIS 热分析业务部门涉及用于研发和质量控制的全系列热分析设备。我们支持聚合物、化学工业、无机建筑材料和环境分析等领域的应用。此外，还可以分析固体、液体和熔体的热物理性质。LINSEIS 植根于强大的家族传统，自豪地传承到第三代，保持了其核心价值观和对卓越的承诺，这些价值观和承诺已在家族领导层中传承下来。这种世代相传加强了我们对创新和质量的奉献精神，体现了真正的家族企业的精髓。LINSEIS 提供技术领导地位。我们按照最高标准和精度开发和制造热分析和热物理测试设备。由于我们的创新动力和精度，我们是热分析设备的领先制造商。热分析测试机的开发需要大量研究和高精度。LINSEIS 公司投资于这项研究，以造福我们的客户。
缺陷工程 4H-SiC(0001) 上的石墨烯霍尔效应传感器的高温热稳定性
稿件收到日期为 2024 年 6 月 20 日；接受日期为 2024 年 7 月 25 日。出版日期为 2024 年 7 月 31 日；当前版本日期为 2024 年 9 月 27 日。这项工作部分由波兰国家科学中心资助，协议编号为 OPUS 2019/33/B/ST3/02677；部分由波兰国家研究与发展中心资助，协议编号为 M-ERA.NET3/2021/83/I4BAGS/2022；部分由 M-ERA.NET3 通过欧盟“地平线 2020”研究与创新计划资助，协议编号为 958174；部分由波兰教育和科学部资助，项目编号为 0512/SBAD/2420。这封信的审阅由编辑 D. Shahrjerdi 安排。 （通讯作者：Tymoteusz Ciuk。）Tymoteusz Ciuk、Beata Sta´nczyk、Krystyna Przyborowska 和 Dariusz Czołak 就职于 Łukasiewicz 研究网络——微电子与光子学研究所，02-668 华沙，波兰（电子邮件：tymoteusz.ciuk@imif.lukasiewicz.gov.pl）。Corinne Nouvellon 和 Fabien Monteverde 就职于 Materia Nova，7000 Mons，比利时。Semir El-Ahmar 就职于波兹南理工大学物理研究所，61-138 Pozna´n，波兰（电子邮件：semir.el-ahmar@ put.poznan.pl）。本信中一个或多个图表的彩色版本可在 https://doi.org/10.1109/LED.2024.3436050 上找到。数字对象标识符 10.1109/LED.2024.3436050
使用紧凑的弱测量值对光的自旋霍尔效应的实验性观察
摘要：光的自旋霍尔效应是一种通过光接口处的横向和旋转依赖性分裂形成的现象，对于从界面和依据的精确定量数据而言是一种吸引人的选择，是提高精度元学的一种吸引人的选择。这种高度的精度归因于弱测量的原理。自从其概念引入以来，通过弱测量技术从经验上观察到了光的旋转效果，并紧密地遵循了最初提出的实验配置。最近，有人建议将设置缩小尺寸，而精确度损害了。在这里，通过观察反映和
高温量子谷霍尔效应具有量化的电阻和
拓扑绝缘子的边缘状态可用于探索低维和拓扑界面上出现的基本科学。实现可靠的电导量化已被证明对螺旋边缘状态具有挑战性。在这里，我们在扭结状态下显示了宽的电阻平台 - 伯纳尔双层石墨烯中量子谷霍尔效应的表现 - 量化为零磁场处的预测值。高原耐药性的温度依赖性非常弱，高达50 kelvin，并且在数十MV的直流偏置窗口内是平坦的。我们演示了拓扑控制开关的电气操作，开/关比为200。这些结果证明了扭结状态的鲁棒性和可调性及其在构建电子量子光学设备方面的承诺。
轨道霍尔效应
1个纳米技术小组，用户 - 纳米纳布，萨拉曼卡大学，萨拉曼卡大学，塞拉梅尔广场，特林里奇建筑，37008，西班牙萨拉曼卡2加州纳米科学和纳米技术研究所，CSIC和BISTI，BISTI，BISTI，BERCUS UAB，UAB，BELLATERRA，BELLATERRA，0893 BATITA，SPINES，FITIS，FINE，弗里，FINE，393 BARCEN，FINE，FINE，FINE，FINE，FINE，林库，FINE，FINE，FINE，3。 24210-346 NITITIROI RJ，巴西4 GISC，DeFísicade Carteres，Cromputense大学，28040，西班牙马德里，55040，加利福尼亚州伯克利大学，加利福尼亚大学94720，美国64720，美国6材料科学司，伯克利国家实验室，伯克利材料机构，美国64777777777770年7月7日科学，1-1 Namiki，Tsukuba，305-0044，日本8国际材料纳米级核库中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukub，Tsukub 305-0044，日本9.日本9. Avançats，08010巴塞罗那，西班牙11号Minho和Porto University（CF-HUM-UP），Braga，Braga，葡萄牙12 InstitutodeFísicaInstitutodeFísica，联邦联邦政府Rio De Janeiro，C.P。68528，21941-972里约热内卢RJ，巴西
通过弯曲的纳米膜中的非线性霍尔效应
高阶霍尔效应超出了普通的效果，解锁了电子传输特性和功能的更多可能性。先驱工作的重点是制造具有低晶格对称性的复杂纳米结构以生产它们。在本文中，我们从理论上表明，可以通过弯曲导电纳米膜来产生这种高阶霍尔效应，该纳米膜高度可调，也可以使各向异性呈各向异性。可以通过简单地改变施加的磁场的方向和幅度来调整其HALL响应。主要的霍尔电流频率也可以从零变为两倍，甚至可以更改为四倍的交替电场。这种现象严重取决于与弯曲几何形状引起的有效磁场偶极子和四极管相关的高阶蛇轨道的发生。我们的结果为弯曲导电纳米膜的空间工程磁通频率，当前的直流和频率乘法提供了途径。