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World File Search System静电放电
使用 ESD 枪 NSG 435 进行 IEC 61000-4-2 静电放电抗扰度测试的 3D 模拟。
ESD 测试的首选方法是接触放电。如果不能应用接触放电，则应改用空气放电。每种测试方法的电压列于提供的表格中。每种方法的电压不同是由于测试方法不同。重要的是要注意，不同的电压并不意味着测试方法之间的测试严苛程度相同。
静电放电 (ESD) 至军械技术代理
• NAVSEAINST 8020.19 Rev A 军械 ESD 安全计划 • 联合军械测试程序 (JOTP-062) 军械人员携带 ESD (PESD) 和直升机携带 ESD (HESD) 要求 • 适用于新的或经过修改的海军/海军陆战队军械 • 基于 MIL-STD-331 引信规范的要求 • MIL-STD-464 Rev D：参考 JOTP-062（Rev C 参考 MIL-STD-331） • 涵盖 25 kV 人员携带和 300 kV 直升机携带 • 通常不包括制造、返工或非军事化 • MIL-DTL-23659：EID 规范。仅限 25 kV。旧版本只有 5000Ω
静电放电 (ESD)
o 导电橡胶垫适合电子和微电子工作站的特殊要求。 o 橡胶垫的导电性符合 EN 61340-4-1 标准。 o 最高安全级别：橡胶垫的表面电阻为 ≤ 107 欧姆。 o 所有版本均标有 ESD 安全标签。 o 也可用于防爆区域。必须经过专家检查和批准！
静电放电 (ESD) 至军械技术代理
• 联合军械测试程序 (JOTP) ‐062、PESD 和 HESD 文件提供了产生一致且可重复的结果所需的所有程序、要求和数据，而与进行测试的测试设施、测试站点或服务无关。• JOTP 充当联合服务 ESD 测试程序，直到其内容被纳入军事标准、规范和适用文件的下一版修订版。• 目前正在进行的纳入 JOTP-062 语言的努力包括：
适用于 7 nm FinFET 工艺的可控硅整流器嵌入式二极管静电放电保护
静电放电 (ESD) 引起的损坏是集成电路的主要失效之一。在当今集成电路所采用的 7nm FinFET 工艺中，由于 FinFET 栅极氧化层的厚度减小以及高 k 电介质的可靠性较低，在静电放电 (ESD) 冲击下极其脆弱[1-3]，并且遭遇非致命的 ESD 冲击后，ESD 保护性能会逐渐下降[4,5]。一些 ESD 建模和仿真技术已被用于 FinFET 工艺，以帮助分析 ESD 冲击下的 ESD 保护特性[6-9]。ESD 保护二极管被认为是一种很有前途的 ESD 保护器件[6-8]。具有高鲁棒性的二极管串硅控整流器 (DSSCR) 也被认为是以前技术节点的 ESD 保护装置 [ 10 – 15 ]，但由于其高漏电和闩锁的较大回弹，它不再适用于 7 nm 技术。FinFET 工艺的 ESD 设计仍然是一个巨大的挑战。目前还没有一种具有足够低触发电压 (Vt) 和高故障电流 (It2) 的高鲁棒性 ESD 保护装置。在本文中，我们提出了一种基于 7 nm FinFET 工艺的新型硅控整流器嵌入式二极管 (SCR-D)。制造并分析了具有不同关键设计的这种保护的特性。
静电放电器测试装置型号 12-612 - HR Smith
一些复合碳尖静电放电器可能难以用标准仪器测量；型号 12-612 通过使用测试套件附件中的独特适配器克服了这些问题。在所有情况下，电阻测量都是一个简单直接的过程，可确保最少的维护时间。
人体静电放电调查
一段时间以来，电子行业已经认识到静电放电 (ESD) 是潜在损坏源，尤其是对半导体器件而言。在此期间，人们一直在努力开发有意义的人体 ESD 脉冲和能够反复将不同电压水平的脉冲施加到半导体器件的设备。目的是确定部件承受特定电压水平的 ESD 脉冲的能力，并将该信息用作部件坚固性的指标。目前，可用设备能够施加在 MIL-STD 883C 等规范中经常描述的 ESD 脉冲作为人体脉冲；但这是正确的脉冲吗？最近的技术论文提出了一些关于 ESD 波形和捕获该波形的方法的有趣问题。IEC 801-2 等规范也导致了 ESD 波形的明显混乱，这些信息来源共同成为促进此项调查的催化剂。