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动机对非...
该研究的目的是检查动机对索马里摩加迪沙地方非政府组织员工绩效的影响，并为财务和非财务激励措施的功效提供了宝贵的见解。这项研究通过采用定量研究设计并利用通过简单的随机抽样选择的105名员工样本来确保具有代表性和统计学意义的数据集。使用结构化问卷进行数据收集，再加上SPSS和SMART PL等高级分析工具，促进了对激励措施与员工绩效之间关系的强有力评估。这些发现强调了对员工动机的多方面方法的重要性。经济激励措施，包括工资，奖金和薪酬，对员工绩效产生了重大影响，强调了货币奖励在激励员工方面的持续相关性。同样重要的是非财务激励措施，例如改善工作条件，认可和个人发展的机会，表现出对员工绩效的实质性积极影响。这些结果强调组织必须实施平衡的动机策略，以满足员工的财务和个人成长需求。该研究的建议是采用这种平衡的方法，并保持有关激励计划的透明沟通，为寻求增强员工动机策略并提高整体组织绩效的当地非政府组织提供了可行的见解。
非商业用途
动脉开关操作（ASO）已成为大动脉D-转置的患者的标准手术治疗。ASO显着提高了存活率，但一部分患者会形成独特的解剖异常，称为哥特式主动脉弓（GAA）。了解该人群中的心脏力学至关重要，因为改变的力学可能对心脏功能和运动能力产生深远的影响。GAA与心室功能，血液动力学和运动能力的变化有关。研究表明，GAA与升主动脉升高性降低之间的相关性，主动脉弓的收缩波振幅丧失以及心血管不良结果。各种成像技术，包括超声心动图，心脏磁共振成像和心脏计算机断层扫描，在评估心脏力学和评估GAA异常方面起着至关重要的作用。尽管取得了重大进步，但关于GAA异常的预后含义和潜在机制的知识差距仍然存在。本综述旨在探讨GAA异常对心脏力学的影响及其对ASO后年轻患者临床结果的影响。成像技术的进步（例如计算建模）提供了有希望的途径，以增强我们对心脏力学的理解并改善临床管理。
ITASAT#2 任务卫星编队建立的轨道分析
摘要 — ITASAT#2 任务是一项即将进行的纳米卫星任务，旨在研究电离层等离子体气泡并使用三个编队飞行的立方体卫星进行地理定位研究。编队飞行任务通常对卫星相对状态的几何配置有严格的限制。为了使立方体卫星正确实现其所需的空间分布，必须仔细规划和执行任务的获取或建立阶段。考虑到这一点，当前的工作旨在分析两种可能的编队配置建立阶段所需的初步 ∆ V 预算：共轨道串珠和非共面振荡器。为此，分析和模拟了必要的相位和平面外机动。
彩虹鳟鱼非致命性皮炎急性诊断和控制手册
简介................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................. 2
非传染性疾病 - 遗传学和非传染性疾病
罹患（或预防）非传染性疾病的风险源自个人所处环境（例如工作和生活条件）、行为模式（例如吸烟、饮食、身体活动）和基因构成之间的复杂相互作用。与身体和行为特征不同，个人的生殖细胞基因构成不会随时间而改变，这意味着一个人一生中可以对其进行一次分析。测序技术和信息技术的进步，加上过去几十年成本的大幅下降，促成了 2001 年第一个完整人类基因组的测序。这一惊人成就促使人们付出巨大努力，从而在分子水平上阐明了许多非传染性疾病，并改善了风险预测，以及更好的诊断和治疗。1 这些发现现在对制定针对个人的预防或治疗策略（个性化或精准医疗）具有重要意义。2,3
耳鸣：非侵入性、非药物治疗
本证据报告基于 RTI-北卡罗来纳大学循证实践中心通过 RTI International 与华盛顿州卫生保健局 (HCA) 签订的合同进行的研究。本文件中的发现和结论为作者所作，作者对其内容负责。这些发现和结论不代表华盛顿 HCA 的观点，本报告中的任何声明均不应被视为华盛顿 HCA 的官方立场。本报告中的信息旨在帮助华盛顿州独立卫生技术临床委员会做出明智的承保决定。本报告并非旨在替代临床判断的应用。任何做出有关提供临床护理决定的人都应以与任何医学参考相同的方式考虑本报告，并结合所有其他相关信息（即，在可用资源和个别患者所呈现的情况的背景下）。本文件属于公共领域，除文件中明确注明的受版权保护的材料外，可以未经许可使用和转载。未经版权持有人明确许可，禁止进一步复制这些受版权保护的材料。
采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制