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World File Search System非晶硅
用于空间天气应用的氢化非晶硅探测器
Grimani Catia 1.2 † , Fabi Michele 1.2 † , Sabbatini Federico 1.2 † , Villani Mattia 1.2 † , Calcagnile Lucio 3.4 , Caricato Anna Paola 3.4 , Catalano Roberto 5 , Cirrone Giuseppe Antonio Pablo 5 , Croci Tommaso 6.7 , Cuttone Giacomo 5 , Dunand Sylvain 8 , Frontini Luca 9 , Ionica Maria 6 , Kanxheri Keida 6.10 , Large Matthew, Liberali Valentino 9 , Martino Maurizio 3.4 , Maruccio Giuseppe 3.4 , Mazza Giovanni 12 , Menichelli Mauro 6 , Monteduro Anna Grazia 3.4 , Morozzi Arianna 6 , Moscatelli Francesco 6.13 , Pallotta Stefania 2.14 , Passeri Daniele 6.7 , 佩迪奥·玛德莲娜 6.13 , 佩塔塞卡·马可, 佩特林加·贾达 5 , 佩韦里尼·弗朗西斯卡 6.10 , 皮科洛·洛伦佐 12 , 普拉西迪·皮萨纳 6.7 , 夸尔塔·詹卢卡 3.4 , 里扎托·西尔维娅 3.4 , 斯塔比莱·阿尔贝托 9 , 塔拉蒙蒂·辛齐亚 2.14 , 惠顿·理查德·詹姆斯 12 , 维尔施·尼古拉斯 8
通过辐照在非晶硅中制备的纳米粒子尺寸越小，越软……
“越小越软”是强度的逆尺寸依赖性，违背了“越小越强”的原则。它通常由表面介导的位移或扩散变形引起，主要存在于一些超小尺度（几十纳米以下）的金属材料中。在这里，利用离子束辐照的表面改性，我们在更大尺寸范围（< ∼ 500 纳米）的共价键、硬而脆的材料非晶硅（a-Si）中实现了“越小越软”。它表现为从准脆性破坏到均匀塑性变形的转变，以及在亚微米级范围内随着样品体积的减小而屈服应力的降低。提出了一个硬核/超塑性壳的分析模型来解释人为可控的尺寸相关软化。这种通过离子辐照的表面工程途径不仅对于调整小尺寸非晶硅或其他共价结合非晶态固体的强度和变形行为特别有用，而且对于非晶硅在微电子和微机电系统中的实用性也具有实际意义。© 2023 由 Elsevier Ltd 代表《材料科学与技术杂志》编辑部出版。
电子学 (ELEC) - 日历 - 卡尔顿大学
ELEC 4703 [0.5 学分] 太阳能电池 半导体能带结构、光生成、太阳光谱。单晶硅太阳能电池的详细分析。基于薄膜材料的太阳能电池：非晶硅、III-V 材料、有机物、二氧化钛染料电池。用于聚光系统的电池。光伏发电系统。用于建筑围护结构的太阳能电池。包括：体验式学习活动先决条件：ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及可持续和可再生能源工程四年级身份，或 ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及工程四年级身份（经讲师许可）。每周讲课三小时，隔周进行实验室/问题分析三小时。
电子学 (ELEC) - 日历 - 卡尔顿大学
ELEC 4703 [0.5 学分] 太阳能电池 半导体能带结构、光生成、太阳光谱。单晶硅太阳能电池的详细分析。基于薄膜材料的太阳能电池：非晶硅、III-V 材料、有机物、二氧化钛染料电池。用于聚光系统的电池。光伏发电系统。用于建筑围护结构的太阳能电池。包括：体验式学习活动先决条件：ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及可持续和可再生能源工程四年级身份，或 ELEC 2501 和 ELEC 2507 以及经讲师许可的工程四年级身份。每周讲课三小时，隔周进行实验室/问题分析三小时。
Ting Hu a, *, Qize Zhong a , Nanxi Li, Yuan Dong, Zhengji Xu, Yuan Hsing Fu, Dongdong Li, Vladimir Bliznetsov, Yanyan Zhou, Keng Heng Lai, Qunying Lin
摘要：由人工亚波长纳米结构制成的超透镜已展示出光聚焦和微型成像的能力。本文，我们报告了通过互补金属氧化物半导体兼容工艺在12英寸玻璃晶片上批量生产非晶硅超透镜的演示。所制备的超透镜的测量数值孔径为0.496，聚焦光斑尺寸在940nm波长处为1.26μm。将超透镜应用于成像系统以测试成像分辨率。可以清楚地观察到宽度为2.19μm的分辨率图的最小条。此外，同一系统演示了指纹成像，并证明了使用超透镜阵列来减小系统尺寸的概念，以实现未来的紧凑型消费电子产品。
硅光伏超薄钝化层的电子特性
钝化接触迄今已取得一些成功，最有力的候选者是薄氧化硅层上的多晶硅（例如隧道氧化物钝化接触 (TOPCon) 或氧化物上的多晶硅 (POLO)）和非晶硅 (a-Si) 异质结。[3,7,8] TOPCon 是一种高效的电子选择接触，但具有较高的热预算，需要大约 900°C 的温度才能将接触电阻率降低到可接受的水平。[9] 一种可以匹配或超过当前电子选择材料性能的高效空穴选择层将引起相当大的兴趣。迄今为止，使用 SiO 2 为基础的空穴选择接触未能达到同等水平。[10,11] 最有前途的空穴选择接触材料是 p 型 a-Si 和富硅 SiC，但传统的高温 Ag 丝网印刷方法不一定与此类接触兼容。[10]
薄膜沉积的全面回顾...
摘要。通过等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 方法沉积薄膜是制造 MEMS 或半导体器件的关键工艺。本文全面概述了 PECVD 工艺。在简要介绍 PECVD 反应器的主要层及其应用（例如氧化硅、TEOS、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、非晶硅、类金刚石碳）之后，介绍了这些层。分析了工艺参数（例如腔体压力、衬底温度、质量流速、RF 功率和 RF 功率模式）对沉积速率、膜厚度均匀性、折射率均匀性和膜应力的影响。微机电系统 (MEMS) 和半导体器件的薄膜 PECVD 沉积的主要挑战是优化沉积参数，以实现高沉积速率和低膜应力，这在低沉积温度下是可能的。
用于集成在电子集成电路上方的光子层的 CMOS 兼容沉积材料
摘要 — 近年来，硅光子学引起了越来越多的关注，主要用于微电子电路或生物传感应用中的光通信光互连。主要在绝缘体上硅平台上制造的用于 CMOS 兼容制造的基本无源和有源元件（包括探测器和调制器）的开发已达到如此高的性能水平，以至于应该解决硅光子学与微电子电路的集成挑战。由于晶体硅只能从另一个硅晶体中生长，因此无法在这种状态下沉积，因此光学器件通常仅限于单层。另一种方法是使用后端 CMOS 制造工艺在 CMOS 芯片上方集成光子层。本文讨论了用于此目的的各种材料，包括氮化硅、非晶硅和多晶硅。关键词 — 硅光子学、CMOS、集成。
稳定且可溶液加工的累积 sp-碳线：有机电子的新范式
推动了大面积柔性和印刷电子领域的发展。这些进步使得大量应用成为可能，例如有机发光二极管[1,2]、有机光伏电池[3,4]、有机热电电池[5,6]、有机场效应晶体管 (OFET)、[7–10] 有机（生物）传感器[11–13] 和神经形态设备。[14,15] 在这方面，有机场效应晶体管 (OFET) 不仅与其直接的技术应用有关，而且还是研究薄膜电性能的理想试验台。有机半导体通常分为两大类，即共轭聚合物和小分子。前者，即聚合物，由于其溶液可加工性而特别具有吸引力，并且已广泛报道了电荷迁移率高于氢化非晶硅标准（0.5–1 cm2V−1s−1）的 OFET。 [16] 后者是小分子，易于排列成有序的分子晶体，经过数年的化学调整和薄膜处理的精细调整，已经实现了场效应迁移率 > 10 cm 2 V − 1 s − 1 的小分子 OFET。[17–19] 这些材料的 π 共轭化学根源与其骨架上碳原子的 sp 2 杂化有关。这种特殊的特性也常见于