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World File Search System非晶硅
玻璃上 14 μm 多晶硅效率达 15%
液相结晶硅 (LPC-Si) 是一种自下而上的太阳能电池制造方法，有可能避免晶圆切片技术中的材料损失和能源使用。本文使用线形能源（即激光）结晶所需厚度的硅（5 – 40 μ m）。第一部分报告了优化非晶硅接触层以实现更好的表面钝化的努力。第二部分介绍电子接触上的激光环。它通过创建低电阻接触实现电荷收集和填充因子 (FF) 之间的可控权衡，同时在其他区域保留 a-Si:H (i) 钝化。观察到短路电流密度 (J SC ) 高达 33:1 mA cm 2 ，超过了该技术之前报告的所有值。开路电压 (V OC ) 高达 658 mV，也超过了之前在低体掺杂浓度 (1 10 16 cm 3 ) 下公布的所有值。激光环将 J SC 降低了 0.6 mA cm 2
特蕾莎·克里斯西
坎帕尼亚大学“Luigi Vanvitelli”应用数学、物理学和工程学博士学位 研究用于电信应用的近红外光电探测器，基于由氢化非晶硅、石墨烯和晶体硅（a-Si：H/Gr/c-Si）组成的混合光子结构 ❖ 开发 COMSOL Multiphysics 模拟（FEM 有限元法），用于设计集成在波导中工作在 1.55um 的光电探测器 ❖ 在 Matlab 中开发实现传输矩阵法（TMM）的数值模拟，用于设计集成在谐振腔中的光电探测器。 ❖ 洁净室中的微制造活动：石墨烯上三维材料沉积技术的研究、光电探测器的制造 ❖ 材料和器件的电气和光学特性。 ❖ 作为生物芯片项目的一部分，向那不勒斯微电子与微系统研究所 (CNR-IMM) 提供研究资助，用于高危地区人群的慢性淋巴细胞白血病的快速诊断和跟踪。主题：基于氧化锌纳米线的生物传感器的制造和电气特性。 ❖ 洁净室微制造活动：用于氧化锌纳米线生长的水热技术、热退火和热氧化工艺、金属蒸发、通过直流磁控溅射进行材料沉积。 ❖ 纳米结构生物传感器的电气特性 ❖ 使用 MATLAB 程序分析和可视化实验数据
用于氮化硅光子学的高效超材料工程光栅耦合器
摘要：氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而，标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器，较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度，从而导致较长的衍射结构，限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起，采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中，我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中，利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料，可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度，而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟，设计了一种超材料工程光栅耦合器，其耦合效率为 − 1.7 dB，工作波长为 1.31 µ m，1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法，可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。
方案-Y02E.pdf
10/00 通过可再生能源发电 10/10 . 地热能 10/20 . 水能 10/30 . 海洋能，例如利用波浪能或盐度梯度 10/40 . 太阳热能，例如太阳能塔 10/44 . . 热交换系统 10/46 . . 将热能转化为机械能，例如朗肯发动机、斯特林发动机或太阳能热机 10/47 . . 支架或跟踪 10/50 . 光伏 [PV] 能 10/52 . . 带聚光器的光伏系统 10/541 . . CuInSe2 材料光伏电池 10/542 . . 染料敏化太阳能电池 10/543 . . 来自 II-VI 族材料的太阳能电池 10/544 .由 III-V 族材料制成的太阳能电池 10/545 . . 微晶硅光伏电池 10/546 . . 多晶硅光伏电池 10/547 . . 单晶硅光伏电池 10/548 . . 非晶硅光伏电池 10/549 . . 有机光伏电池 10/56 . . 电力转换系统，例如最大功率点跟踪器 10/60 . 热光伏混合能源 10/70 . 风能 10/72 . . 旋转轴与风向一致的风力涡轮机 10/727 . . 海上风力涡轮机 10/728 . . 陆上风力涡轮机 10/74 . . 旋转轴垂直于风向的风力涡轮机 10/76 . . 电力转换电气或电子方面
回顾——21 世纪光伏研究需求
到 2050 年，安装的太阳能电池板规模必须达到约 100 TWp，才能对我们的能源结构和碳排放产生切实影响。薄膜非晶硅电池板是目前唯一能够安装 100 TWp 的技术。如果用铜或铝代替硅板中的银，硅晶片电池板可以达到 100 TWp。碲化镉和铜铟镓硒将成为大局中微不足道的技术。为了高效生产硅板，需要研究高效净化硅、低切口损耗硅晶片以及地球上储量丰富的硅顶电池。或者，我们可以寻求一种比硅更节能且仅利用地球上储量丰富的材料的新型电池技术。对于任何电池技术，都需要研究以改善成本、效率和可持续性，包括用于每日至多年存储以及太阳能电力区域和全球贸易的存储技术、回收技术以最大限度地降低成本并最大限度地利用废弃电池板的收入，以及用于实时和现场消耗太阳能电力的系统和应用。© 2020 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/2162-8777/abd377]
硫化氢钝化P型钝化
摘要 - 这项工作报告了硫的应用 - 钝化发射极和后接触（PERC）太阳能电池的应用。发射极表面被硫化氢（H 2 s）气相反应钝化，并用氢化的非晶硅（A-SIN X：H）层盖住。在对称的N+扩散的发射极上的硫钝化显示导致发射极饱和电流密度（J 0N+）在R板，n+≈100Ω/sq处的30 fa/cm 2。在PERC细胞结构中，S-钝化在发射极表面上的应用，后表面被氧化铝（Al 2 O 3）/A-Sin X：H堆栈钝化，在金属化前显示了有希望的隐含敞开电压（IV OC）为686 mV。该IV OC高于A-SIN X：H或SIO 2 /A-SIN X：H钝的发射极表面（分别为675和674 mV），在同一运行中处理的PERC细胞上。然而，在用激光图案，屏幕打印的金属接触沉积和射击的设备制造后，观察到S-Papsiviving Perc细胞的细胞V OC显着下降。尽管如此，用硫的发射极表面实现了〜20％的效率和〜650 mV的V OC。我们确定760 O C接触触发过程降低了S-抑制质量。研究了表面形态，并进行了详细的表面分析以研究S-PASSITITIVIVITINED表面降解的原因。索引项 - N +扩散的发射极，硫化氢反应，丝网印刷金属接触射击，X射线光电子光谱，P-PERC细胞。
光伏性能测试的辐射测量仪器和测量指南
2.1 典型的太阳光谱分布显示 PV 感兴趣的区域 。.....................3 2.2 各种 PV 材料的相对光谱响应函数。.....................4 2.3 用于光伏材料评估的不同实验室灯的光谱分布。...........5 2.4 太阳光谱分布随大气质量增加的变化 M ......................6 2.5 太阳几何定义，包括法线角、天顶角、入射角和方位角 ............7 3.1 光学滤波器参数 ....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......11 3.2 使用公式 (4) 时指示辐照度与真实辐照度变化示意图 ..........14 3.3 使用二极管阵列和扫描光栅光谱仪测量的 Spire 2 40A 的相对光谱分布与校准灯光谱的比较 ....................15 3.4 阵列光谱辐射计数据收集时序图 .........................16 3.5 带有 3 个误差线的光谱辐照度灯数据标准 ........................19 3.6 NREL 光谱辐射校准照片 ...............................2 2 3.7 NREL 光谱辐射计相隔六个月的校准文件比率 ..........2 3 3.8 汞氩灯的发射光谱显示用于波长校准的线条 .2 4 3.9 由于校准期间过量的（反射的）辐射到达输入光学器件导致白炽灯的光谱分布失真 ......................... ; .......2 5 4.1 氙源的光谱分布、ASTM E-892 全局光谱以及 CIS 和非晶硅电池的光谱响应，用于光谱失配计算 .............2 6 4.2 白炽灯源的CIS和非晶硅光谱响应和光谱辐照度曲线 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..29 4.3 NREL 参考电池校准测量系统框图 ...............3 2 4.4 NREL 样品光谱响应报告 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................3 3 4.5 用于 Sandia/NIST 校准程序的设备示意图 ...................3 4 5.1 典型的绝对腔辐射计设计 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.4 1 5.2 使用绝对腔辐射计参考的典型日射计响应度与一天中的时间。注意响应度有 1.2% 的差异... ................................... 44 5.3 遮光-非遮光日射强度计校准信号时间序列 .......< div> 。。。。。。。。。...... div>......4 5 5.4 示意图日射强度计的分量总和校准。................. div>....4 6 5.5 ' 典型太阳辐射计响应度响应与天顶角 . < /div>................. div>.........4 7 5.6 与图相同型号太阳辐射计的响应度与天顶角的关系。5.5 ........... div>....4 8 5.7 三纬度倾斜 NREL 光伏系统太阳辐射计与四季晴空的纬度倾斜参考太阳辐射计。.........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.49 5.8 与 5.7 类似，但适用于部分多云条件 .....................................50 5.9 与图 5.7 和 5.8 类似，但阴天条件除外。.........................5 1 5.10 由晴空分量总和（直射光计/漫反射）数据生成的 NREL 太阳辐射计方位角-仰角响应图 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......5 2 5.11 未补偿的 50 结 T 型热电偶的温度响应非线性。还显示了补偿网络的响应。.................5 3 5.12 Eppley Laboratories 温度补偿网络示意图 ...................5 4 5.13 典型的 Eppley PSP 和 Kipp 和 Zonen 温度响应数据 ................5 4 5.14 单个 Eppley PSP 日射强度计的重复温度响应结果 ............5 5 6.1 用于 NREL 标准化室外测量系统的日射强度计支架，用于 PV 模块性能测试。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..5 8 6.2 NREL 户外测试设施使用的光伏系统日射强度计安装方案示例 ..60 6.3 用于评估光伏模块能量生产能力的拟议方法流程图 ........6 1 6.4 辐射数据的月/小时平均数据报告样本 .........................6 3 6.5 NSRDB 每小时数据格式注释示例 ...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 4
固体薄膜 799 (2024) 140399
微转移打印 (µ TP) 是一种很有前途的技术，可用于将 III-V 材料异质集成到基于 Si 的光子平台中。为了通过增加 III-V 材料和 Si 或 SiO 2 表面之间的粘附性来提高打印产量，通常使用像苯并环丁烯这样的粘附促进剂作为中间层。在这项工作中，我们展示了在没有任何粘合剂中间层的 SiO 2 中间层上基于 InP 的试样的 µ TP，并研究了无粘合剂键合的机理。源试样是基于 InP 的试样堆栈，位于牺牲层上，该牺牲层通过使用 FeCl 3 的化学湿法蚀刻去除。对于目标，我们在 8 英寸晶圆上制造了非晶硅波导，并用高密度等离子 SiO 2 封装，并通过化学机械抛光程序进行平坦化。我们使用 O 2 等离子体激活源和目标，以增加试样和基板之间的粘附性。为了更好地理解键合机理，我们应用了几种表面表征方法。利用原子力显微镜测量了等离子体激活前后 InP 和 SiO 2 的均方根粗糙度。利用光学台阶仪估算目标晶圆上微转移印刷源试样的台阶高度。利用 InP 的拉曼峰位置映射来分析等离子体激活前后 SiO 2 上可能的应变和接触角测量值，以观察表面亲水性的变化。利用 X 射线光电子能谱分析来表征 InP 源的 P2p、In3d、O1s 以及 SiO 2 目标的 Si2p、O1s 的表面能态。我们的结果表明，无需应变补偿层，就可以通过 µ TP 直接键合 InP 试样。这样，为使用 µ TP 进行 InP 异质集成提供了一种与互补金属氧化物半导体兼容的有希望的途径。
物理
第一学期 论文 IV – 电子设备 第一单元 晶体管：JFET、BJT、MOSFET 和 MESFET、不同条件下 IV 特性方程的结构推导、微波器件、隧道二极管、传输电子器件（Gunn 二极管）、雪崩渡越时间器件、Impatt 二极管和参数器件。 第二单元 光子器件：辐射和非辐射跃迁、光吸收、体和。 薄膜光电导器件 (LDR)、二极管光电探测器、太阳能电池（开路电压和短路电流、填充因子）、LED（高频极限、表面和间接复合电流的影响、LED 的运行）、半导体；二极管激光器（激活区域中粒子数反转的条件、光限制因数、光增益和激光的阈值电流。单元 - III 存储设备：只读存储器 (ROM) 和随机存取存储器 (RAM)。ROM 的类型：PROM、EPROM、EEPROM 和 EAPROM、静态和动态 RAM (SRAM 和 DRAM)、SRAM 和 DRAM 的特性。混合存储器：CMOS 和 NMOS 存储器、非易失性 RAM、铁电存储器、电荷耦合器件 (CCD)、存储设备：磁性（FDD 和 HDD）和光学（CD-ROM、CD-R、CD-R/W、DVD）存储设备的几何形状和组织。单元 - IV 电光、磁光和声光效应，与获得这些效应相关的材料特性，这些设备的重要铁电、液晶和聚合物材料，压电、电致伸缩和磁致伸缩效应。这些特性的重要材料及其在传感器和执行器设备、声学延迟线中的应用，压电谐振器和滤波器、高频压电器件-表面、声波器件、单元 - V 太阳能光伏能量转换物理和材料特性基础、光伏能量转换基础：固体的光学特性。直接和间接过渡半导体，吸收系数和载流子带隙复合之间的相互关系。太阳能电池的类型、pn 结太阳能电池、传输方程、电流密度、开路电压和短路电流、单晶硅和非晶硅太阳能电池的简要说明、先进太阳能电池的基本概念，例如串联太阳能电池。固体液体结太阳能电池、半导体的性质、电解质结、光电化学太阳能电池的原理。教科书和参考书：1. SM Sze Willey (1985) 半导体器件 - 物理技术 2. MS tyagi 半导体器件简介 3. M Sayer 和 A Manisingh 物理学和工程学中的测量仪器和实验设计 4. Ajoy Ghatak 和 Thyagrajam 光电子学 5. Millman Halkias：电子设备
2012 – 2013 年度报告 - IIEST
我很高兴在我们大学即将更名为印度工程科学技术学院（Shibpur）的前夕推出 2012-13 年度报告，预计今年印度议会将通过 NITSER（修正案）法案，更名为印度工程科学技术学院。卓越的研发一直是这所大学的标志。在其各个学术部门，大学可以为其教职员工的出色表现而自豪，尤其是他们高质量的研究成果，仅去年一年就在各种同行评议的国内外期刊上发表了近 850 篇出版物。博士学位课程也有了很大的提高。目前有 454 名注册博士生，去年新招收了 101 名候选人。大量获得大量资金的赞助项目正在实施中。目前，142 个赞助研究项目正在进行中，财务支出约为 7.4 亿卢比。在过去的一年里，31 个新项目价值近 100 亿卢比。已批准 7 千万卢比用于支持该大学。这些项目包括制定印度公路容量手册、开发用于收集光的模型合成叶子、设计和开发基于基板集成波导的射频电路、精确制导导弹的制导控制和目标跟踪策略、流行区家用氟化物去除过滤器的快速评估等。在这一年中，我们的许多教职员工因其在学术上的卓越表现获得了多个奖项和荣誉。仅举几例：电子和电信系的 Partha Bhattacharya 博士获得了 2012 年 INSA 青年科学家奖章、2012 年 INAE 青年工程师奖，并在 2013 年 Marquis 世界名人录中获得传记引文；材料科学与工程学院的 M. Ray 博士获得了 MRSI 最佳博士 GC Jain 奖。论文，SK Saha 教授当选为传热与传质中心科学委员会成员，绿色能源与传感器系统卓越中心的 AK Barua 教授担任 MNRE 研发委员会主席。该大学在促进学术、研究和行政活动的基础设施方面取得了显著进展。朝这个方向采取的一些步骤如下：电子与电信系在微波和毫米波实验室、纳米薄膜实验室、固态气体传感器设备实验室等实验室基础设施方面进行了广泛的开发；在绿色能源和传感器系统卓越中心，建立了最先进的晶体和非晶硅太阳能电池制造设施；