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基于内存的逻辑解决方案中串联布尔操作的局限性
抽象！新兴的非易失性记忆被广泛研究为最大化能源效率，并且因为它们可以实现所谓的内存计算。逻辑内存（LIM）范式是计算中内存的子集，它重点介绍了内存内布尔操作的执行。在最受欢迎的解决方案中，魔术和Felix承诺非输入破坏性操作，作为经典计算范式，因此可以重新使用多个操作的输入数据集。在本文中，我们在各种操作条件下分析了某些重要的LIM实现（Magic Nor and and Felix NAND）的电气行为。我们的结果表明，保证非输入破坏性操作（对于Felix NAND）并非微不足道，并且由于非理想的中间结果而导致的多项操作存在真正的困难。
化学计量羟基磷灰石的理论研究和电化学研究是3％NaCl
摘要：这项研究使用了电力动力学极化曲线的测量，电化学障碍光谱（EIS）和量子化学计算来检查硫酸和咖啡因在硫酸硫酸硫酸中硫酸腐蚀的抑制性和吸附性能（H 2 SO 4）溶液（H 2 So 4）溶液。获得的结果表明，在0.5 m H 2 SO 4溶液中，Linalool比咖啡因比咖啡因更有效。电位动力学极化曲线表明，Linalool充当混合型抑制剂，而咖啡因是0.5 m H H 2 SO SO 4溶液中低调钢的阳极型抑制剂。根据阻抗测量值，腐蚀机制发生在激活控制下。理论拟合也用于评估包括Langmuir，Flory-Huggins和动力学模型在内的各种吸附等温线。。这两种抑制剂都通过碳钢表面的物理吸附机制作用。但是，它们的吸附过程是一个非理想的过程。量子化学参数被计算并解释。
探索纠缠光子相关性如何增强光谱
由高度相关或“纠缠”光子对组成的量子光源越来越成为经典光源的流行替代品，以执行显微镜和光谱法。纠缠的光子对可以复制并增强光谱信号，并且与通常用于执行这些测量的脉冲激光系统相比，具有实际优势。例如，纠缠的光子是固有的低频率，可以在没有不希望的光效应的情况下进行测量，例如样品加热和退化或非理想的光诱导样品行为。此外，与具有可比频率带宽和时间分辨率的最先进的脉冲激光系统相比，可以对纠缠的光子源进行纠缠和操纵。在一起，这些功能可以允许开发不依赖笨重，昂贵的激光系统，这些激光系统需要专家团队进行维护。反过来，这种仪器的发展可以使更多的原子和物质表征的外来形式更广泛地访问。
所有关于界面的信息：在高质量H-BN单层二酰亚胺界面处的残留污染物是否会导致电荷捕获？
为了表征有机sem iConductor中的内在电荷传输过程，必须最小化外部效应（例如接触电阻，非理想的污染物和外部污染物）的外在效应的影响。[1–3]半导体介电界面对于电荷传输至关重要，因为陷阱和表面粗糙可以阻止有效的电荷转移。[4,5]虽然表面粗糙度易于表征，例如，使用原子力显微镜（AFM）及其来源很容易识别，但[6]对于电活动陷阱而言，这是高度无琐的。此类陷阱通常与有机场效应晶体管（OFET）中使用的介电的影响有关，因为介电常数和其他内在特性会影响电荷转运。[4,5,7-10]为了减少半导体 - 二元界面处的捕获（例如，水和其他固有或外在陷阱），典型的是，表面是由于使用自组装单层（SAMS）而被钝化的。[11]最近还用本质上惰性的六角硼（H-BN）用作介电，其目标是实现无陷阱界面。[12–14]
M.Tech学位课程和VLSI设计的课程和教学大纲
主题代码主题名称L-T-P CRORC 22101设备建模3-0-0 3模块1（13小时）半导体表面，理想的MOS结构，MOS设备，热平衡中的MOS设备，非理想的MOS：工作函数差异，氧化物中的电荷，氧化物，界面状态，界面状态，非理想的MOS，flate traptage thatbage，flattage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage coldection a MOS，电荷计算（计算），计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算电压，MOS作为电容器（2个端子设备），三个端子MOS，对阈值电压的影响。模块2（10小时）MOSFET（增强和耗尽的MOSFET），活动性，对当前特征，当前特征，亚刺孔摇摆，界面状态对子阈值的影响对子阈值的影响，排水电导和跨导电，源偏置的影响，源偏置和身体偏置对阈值电压和设备操作。模块3（6小时）缩放，短通道和狭窄的通道效应 - 高场效应。模块4（5小时）MOS晶体管在动态操作中，大信号建模，低频率和高频的小信号模型。模块5（8小时）SOI概念，PD SOI，FD SOI及其特征，SOI MOSFET，多门SOI MOSFET的阈值电压，替代MOS结构。参考：1。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。 2。 Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3. Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。 4。 Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。2。Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3.Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。4。Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。5。M.S.Tyagi，《半导体材料和设备简介》，John Wiley＆Sons，ISBN：9971-51-316-1。
激光结构化微靶标在4 x10^16 W/cm^2
相对论温度电子高于0.5 MeV的温度电子通常以大约10 18 w/cm 2的激光内部产生。以非相关强度运行的高重复速率激光器（≃1016 w/cm 2）的产生是针对紧凑型，超短，台式电子源的基础主教。能够利用激光 - 血浆相互作用的不同方面的新策略对于降低所需的强度是必要的。我们在这里报告，一种新型的微螺旋体动态靶标结构技术，能够在蓬代尺度（10 18 w/cm 2）所需的强度的1/100中产生200 keV和1 meV电子温度，以产生相对论电子温度。将这种方法与“非理想的” Ultrashort（25 fs）脉冲以4×10 16 W/cm 2的形式结合了固定，优化的尺度长度和微观访问的概念，可实现两样式的衰减增强的电子加速度（25 fs）脉冲。具有KHz的射击可重复性，这种精确的原位靶向物可以通过毫升joule类激光器产生高达6 MeV的质量质量束状电子发射，这对于所有科学领域的时间分辨，微观研究都可以进行转化。
测量非理想P-N Diodes中碳纳米管网络的电子带隙
摘要：由于多体效应和较强的电子 - 电子相互作用，准二维材料（例如碳纳米管）中电子带隙和激子结合能的测量很具有挑战性。与众所周知的电子带隙的散装半导体不同，低维半导体中的光学共振由激子主导，使其电子带隙更难测量。在这项工作中，我们使用非理想的P-N二极管测量了聚合物包裹的半导体单壁碳纳米管（S-SWCNTS）网络的电子带隙。我们表明，由于界面陷阱状态的存在，我们的S-SWCNT网络具有较短的少数载体寿命，从而使二极管非理想。我们使用来自这些非理想二极管的生成和重组泄漏电流测量具有不同直径的不同聚合物包裹的S-SWCNT的电子带隙和激子水平：ARC放电（〜1.55 nm），（7,5），（7,5）（0.83 Nm），（0.83 Nm）和（6,5），（6,5,76 nm）（0.76 nm）。我们的价值观与理论预测一致，从而深入了解S-SWCNT网络的基本属性。此处概述的技术展示了一种可靠的策略，可以应用于测量各种纳米级和量子限制的半导体的电子带隙和激子结合能，包括依赖于纳米线的最现代的纳米晶体管。
自主量子设备：什么时候可以实现而没有额外的热力学成本？
量子热力学的资源理论一直是一个非常成功的理论，并且在社区中产生了很多后续工作。，它要求在系统，浴室和催化剂上实施能源的统一操作，作为其范式的一部分。到目前为止，这种统一的操作被认为是该理论中的“免费”资源。但是，这只是一个不必要过程的理想化。在这里，我们包括一个额外的辅助控制系统，该系统可以通过打开或关闭交互来自主实现统一。”但是，由于统一的实施，控制系统将不可避免地会降低。我们得出了控制装置质量的条件，因此热力学定律不会通过使用良好的量子时钟来改变并证明量子力学定律允许反应足够小，从而可以满足这些条件。我们将非理想的控制纳入资源框架也会引起有趣的前景，在考虑理想化的控制时，这是不存在的。除其他外，第三定律的出现而无需假设光锥。我们的结果和框架将自动量热机器的自动量量子资源理论统一，并为所有量子加工设备与完全自主机统一的所有量子处理设备奠定了基础。