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毫米级、大面积均匀半导体器件分层，用于物理故障分析和质量控制 Pawel Nowakowski*、Mary Ray、P
毫米级、大面积均匀半导体器件分层用于物理故障分析和质量控制 Pawel Nowakowski*、Mary Ray、Paul Fischione EA Fischione Instruments，Export，宾夕法尼亚州，美国* 通讯作者：p_nowakowski@fischione.com 不断发展的微电子设备设计越来越复杂、越来越紧凑和越来越小。这些设计可能包括越来越多的层、三维 (3D) 垂直堆叠、气隙和不同的材料成分。大批量半导体器件制造需要强大的质量控制和故障分析过程。过去几十年来，已经开发出了许多故障分析技术，包括非破坏性和破坏性技术 [1-3]。一种非常流行的技术是器件分层，即从上到下控制地去除器件层。通过这种技术获得的信息可以支持质量控制、故障分析工作、成品和工艺改进数据以及逆向工程。
用于缴纳市政税的建筑面积价值
从上述调查中获得的要素，适当地重新转化为可以相互关联的术语，可以定义一个价值尺度，使被评估资产能够置于适合其特征和潜力的位置;在自由市场体制下被认为是免费且可用（普通）。在相关评估中，主要采用标准 a) -“改造价值估算”被认为是适当的，因为它被认为最适合于对建筑区域做出正确和平衡的评估判断，因为不可能忽视与当前建筑现实的有效联系，只有这种联系才能保证判断本身的客观性。然而，也充分考虑了标准-b）-“通过比较估计”，采用此程序作为使用以前的方法获得的值的验证方法，以便对其进行任何调整和改进。事实上，这种方法可以使估值锚定在市场的具体现实之上，从而确保价值预测得到普遍“认可”和接受。甚至在市场调研之后，还出现了经济数据，可以制定与不同地区和不同城市规划条件相关的单位价值。因此，根据检测到的市场价值，对前几年确定的价值进行了普遍的重新定义和重新平衡。 6 - 成本持续上涨和/或存在影响
设计师SIO2元面积用于有效的被动辐射冷却
近年来，文献中提出了越来越多的被动辐射冷却材料，由于其独特的稳定性，无毒性和可用性，其中有几个示例依赖于使用二氧化硅（SIO 2）。尽管如此，由于其散装声子 - 孔子带，Sio 2在大气透明度窗口内呈现出明显的反射峰（8-13μm），从而导致发射率降低，这构成了挑战，以实现对亚物种的次级辐射辐射冷却的标准。因此，该领域的最新发展专门用于设计Sio 2光子结构的设计，以增加散装SIO 2辐射冷却器的冷却潜力。本综述旨在通过评估其冷却效率及其可扩展性来确定SIO 2辐射发射器的最有效的光子设计和制造策略，从而对各种类型的各种类型的sio 2 radiative Coolers sio（数值和实验）进行了深入的分析。
底物诱导的大面积单层MOS 2 Ashish Soni 1,2，Nagendra S. Kamath 1,2，Yun-Yang Shen 3，
二维（2D）过渡金属二分法（TMD）的内在特性受其界面条件的深刻影响。工程TMD/底物接口对于在设备应用中利用2D TMD的唯一光电特性至关重要。这项研究深入研究了单层（ML）MOS 2的瞬态光学特性如何受底物和膜制备过程的影响，特别是集中在光激发载体的产生和重组途径上。我们的实验和理论分析表明，转移过程中诱导的应变和缺陷在塑造这些光学特性中起关键作用。通过飞秒瞬态吸收测量值，我们发现了ML MOS 2中载体捕获过程的底物改变的影响。此外，我们研究了激子 - 外激体歼灭（EEA），表明EEA速率随不同的底物而变化，并且在低温（77 K）时会显着降低。这项研究为通过战略接口工程定制TMD的光电特性铺平了道路，有可能导致创建高效的电子设备，例如光电记忆，光发射二极管和光电探测器。
根据BET方程计算的表面积如何可重现？基于离子电活性聚合物的三层微型演员的建模，分析和表征
在本文中，基于离子电活性聚合物（IEAP）的三层微型激活器的电响应考虑了在微实施行为中出现的某些现象。分析了对充电和排放过程中测得的电流的详细研究。研究了简化的等效电路的电荷，时间构成，电容和电阻。结果表明，微型演员表现出低于1 V的施加电压的线性行为。除此之外，非线性出现并与放电过程有关，尤其是以非线性方式增加的相应电阻。在此阶段，取决于先前施加的电压的累积电荷在放电过程中未完全恢复。这项研究的结果通过实验和理论结果进行了说明。
大面积多晶-MOO_3薄膜IR光子学
摘要近年来，范德华（Van der Waals）材料中表面声子极地（SPHP）的激发受到了纳米光子学界的广泛关注。alpha相钼三氧化物（α-MOO 3），一种天然存在的双轴双曲晶体，由于其在不同波长带的三个正交指导下支持SPHP的能力（范围10-20 µM），因此出现是一种有前途的极性材料。在这里，我们报告了大面积（超过1 cm 2尺寸）的制造，结构，形态和光学IR表征，α -moo 3多晶膜通过脉冲激光沉积沉积在熔融二氧化硅底物上。由于随机晶粒分布，薄膜在正常发生率下未显示任何光学各向异性。但是，提出的制造方法使我们能够实现单个α相，从而保留与α -moo 3片的语音响应相关的典型强分散体。报告了IR光子学应用的显着光谱特性。例如，在1006 cm -1处具有极化的反射峰，动态范围为∆ r = 0.3，共振Q因子在45°的入射角下观察到高达53的共振Q。此外，我们报告了SIO 2底物的阻抗匹配条件的实现，从而导致独立于极化的几乎完全完美的吸收条件（R <0.01）在972 cm-1处，该条件可维持以较大的入射角维持。在此框架中，我们的发现似乎非常有前途的，对于使用远场检测设置，用于有效和大规模的传感器，滤镜，过滤器，热发射器和无标签的生物化学传感设备，用于进一步开发无IR线印刷膜，可扩展的膜，用于高效和大规模的传感器，过滤器，热发射器和无标签的生化感应设备。
用于软机器人应用的大面积和低成本力/触觉电容传感器
抽象的外观变化是在室外环境中自动驾驶汽车可视定位的最具挑战性问题之一。当前图像与地图中的地标之间的数据关联可能很困难，如果地图是在不同的环境条件下构建的。本文提出了一种解决方案，以构建和使用多条件地图，其中包含在不同条件下记录的序列（白天，夜晚，雾，雪，雨，雨，季节的变化等）。在视觉定位期间，我们利用排名函数从地图中提取最相关的信息。此排名功能旨在考虑车辆的姿势和当前环境状况。在映射阶段，通过不断向地图添加数据来涵盖所有条件，从而导致地图大小的持续增长，进而导致定位速度和性能。我们的地图管理策略是一种增量方法，旨在限制地图的大小，同时使其尽可能多样化。我们的实验是对使用我们的自主班车以及广泛使用的公共数据集收集的真实数据进行的。结果表明，我们的方法在不同的挑战性条件下显着改善了本地化性能。
通过液态硅诱导重建控制大面积 4° 偏离 4H-SiC 硅面的宏观步进
摘要。在 SiC/Si/SiC 夹层结构中，使用 1550°C 熔化的 Si 研究了 4°off 4H-SiC 表面的重建。尽管系统地获得了与液态 Si 接触的整个区域的宏观阶梯形貌，但使用原始 4H-SiC 晶片时发现台阶呈波浪形。在处理过的表面上进行表面重建时，台阶的规则性和直线性得到显著改善：在重新抛光的表面上，在某些情况下发现台阶是规则和笔直的，而在原生外延层上则始终观察到这种情况。经过 2 小时的重建过程后，获得了最佳的台阶规则性，平均宽度为 ̴ 3-5 µm。将处理面积从 1.44 cm 2 增加到 4 cm 2 不会影响结果，这表明该工艺具有良好的可扩展性。
多孔ruoxnysz电极，用于微生物电容器和微生物，具有增强的面积性能
摘要：在物联网黎明时，对于储能的三维电极，越来越重要。的心脏是大量的微电子设备，需要嵌入能量收割机和能量存储组件以确保自治。在这项研究中，我们通过简单的优化电沉积过程开发了多孔金属微观结构及其与新的Ruo X N Y S Z材料的共形涂层。带有纳米端网络的微孔结构显示出较高的面积电容（电极为14.3 f cm -2，全溶剂固定状态的微蛋白酶酸一小度为714 mf cm -2）和稳定的性能（5000个周期后保留> 80％）朝H +存储。也观察到具有高面积容量（5 mAh cm -2）和速率特征（3C时1.5 mAh cm -2）的显着LI +存储能力。这些结果加上便捷的合成策略，因此可以为微生物和微生物电容器大规模生产3D多孔电极提供灵感。