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数字空气流量计 - Instrumentation2000.com
为了便于理解，我们可以将其与更常见的东西进行比较。考虑将一条小溪与一条大河进行比较。一条河流面积巨大，但水流速度可能较低，而一条溪流速度可能较高，但规模不大。如果仅测量水流速度，溪流的数字会更高。一些大河流速很慢，但由于其规模庞大，水量巨大。如果我们考虑流入一条河流的所有小溪，我们可以将所有小溪的速度乘以它们的面积（体积）相加，从而得出河流的体积。此外，如果我们知道河流所占的面积，我们可以通过测量水流的平均速度并乘以河流面积来确定体积。这样我们就可以得到流过特定点的总水量。
社区发展项目活动...
申请人：HFA-AE, Ltd 状态：在建 商业 - 现有建筑 1. Rancho Sahuarita 的 Pima Heart & Vascular TI 市场 面积：4,173 平方英尺 申请人：Annette Suarez 状态：在建 2. 140 W. Duval Mine Rd 的 So Fresh Laundromat TI 租户改进 面积：1,999 平方英尺 申请人：Patrick D Hallman 状态：在建 3. SAMTEC 的 ATAG Inc. TI 租户改进 面积：4,485 平方英尺 申请人：Craig Skelton 状态：已颁发 C of O 4. SAMTEC 的 Global Water TI 租户改进 面积：8,033 平方英尺 申请人：BWS Architects 状态：在建 5. Sahuarita Plaza 的 El Herradero Market TI 租户改进申请人：VVC Design 状态：建设中 5. Rancho Sahuarita Marketplace 的 UPS Store TI 租户改进 面积：1,228 平方英尺 申请人：Rancho Sahuarita 状态：已开具发票；待付款
缅因州挪威镇法令 - DigitalCommons@UMaine
第 7 条 地块面积。不得在面积小于 20,000 平方英尺的地块上建造建筑物或将预制房屋移至该地块，并且该地块面向任何街道的正面长度不得小于 100 英尺。允许在面积至少为 10,000 平方英尺、临街长度至少为 100 英尺的地块上建造或安置预制房屋，前提是提供公共供水和公共污水处理设施。如果现有住宅或建筑被拆除、烧毁或因自然原因被毁坏，则可以根据本规范在同一地块上重建或修复，即使该地块面积小于 20,000 平方英尺且临街长度可能小于 100 英尺，但前提是必须在符合条件的事件发生之日起 1 年内获得建造或安置预制房屋的许可证。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。