• 大致分为小FFE(3”-8”靶材)和大FFE(10”-17”靶材) • 靶材利用率高,镀膜均匀性好 • 半导体、研发、贵金属溅射、光学
钨 (W) 因其高密度和极高的熔点而成为靶材的主要候选材料。钨本身具有一个关键缺点,即在室温下脆性(低温脆性)、再结晶脆性和辐照脆性。TFGR(增韧、细晶粒、再结晶)W-1.1%TiC 被认为是解决脆性问题的可行方案。我们在 2016 年开始与 KEK 和金属技术有限公司 (MTC) 合作制造 TFGR W-1.1%TiC。TFGR W-1.1%TiC 样品于 2018 年 6 月成功制造。结果,样品显示出轻微的弯曲延展性和 2.6 GPa 的断裂强度。 TFGR W-1.1%TiC于2018年9月28日纳入HRMT-48 PROTAD实验。冷却后将对辐照后的TFGR W-1.1%TiC进行辐照后检测。
钨 (W) 因其高密度和极高的熔点而成为靶材的主要候选材料。钨本身具有一个关键缺点,即在室温下脆性(低温脆性)、再结晶脆性和辐照脆性。TFGR(增韧、细晶粒、再结晶)W-1.1%TiC 被认为是解决脆性问题的可行方案。我们在 2016 年开始与 KEK 和金属技术有限公司 (MTC) 合作制造 TFGR W-1.1%TiC。TFGR W-1.1%TiC 样品于 2018 年 6 月成功制造。结果,样品显示出轻微的弯曲延展性和 2.6 GPa 的断裂强度。 TFGR W-1.1%TiC于2018年9月28日纳入HRMT-48 PROTAD实验。冷却后将对辐照后的TFGR W-1.1%TiC进行辐照后检测。