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INSTANT - IGBT 网络仿真和瞬态分析工具
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种功率半导体器件，已获得电力电子电路设计工程师的认可，用于电机驱动和功率转换器应用。这些器件兼具功率 MOS 和 MOS 的最佳特性。
SiC MOSFET 在特定低栅源电压偏置下具有重复短路能力，可实现更强劲的极端操作
摘要 — 本文介绍了商用碳化硅 (SiC) MOSFET 器件在高漏源电压下重复性短路应力下的短路 (SC) 性能。研究了两种方案来评估栅源电压 (V GS ) 去极化和短路持续时间 (T SC ) 减少的影响。V GS 去极化可降低功率密度，并允许在增加短路持续时间 T SCmax 的情况下保持安全故障模式 (FTO：开路故障)。结果表明，SiC MOSFET V GS 去极化不会降低 T SCmax 下的短路循环能力。但是，使用 V GS 去极化可以使性能接近 IGBT 稳健性水平，在 T SC =10 µ s 下循环近 1000 次。短路测试期间芯片温度变化的模拟表明，性能下降仍然归因于短路循环期间结温 (TJ ) 的升高，这导致顶部 Al 融合，从而导致厚氧化物中出现裂纹。
检验和建造规则... - ClassNK
1.2 散货船适用范围 1.2.1 本规范适用于船长L CSR 为90 m 及以上的单舷侧和双舷侧散货船的船体结构。散货船是指通常建造为单甲板、双底、底边舱和顶边舱，货舱区域为单舷侧或双舷侧结构，主要用于载运散装干货的船舶。散货船的典型布置如图1 所示。混合型散货船应满足本规范定义的强度标准，其中至少一个货舱设有底边舱和顶边舱，参见图1 的典型布置，其他货舱不设有底边舱和/或顶边舱，参见图2 的横剖面示例。本规范不适用于下列船舶类型：
提高具有完全未掺杂结构的量子设备的可重复性
量子电子器件，例如量子点接触 (QPC) 和量子点，因具有电自旋控制的潜力而引起了人们对自旋电子学和量子信息处理应用的极大研究兴趣 1–6。这些器件可能构成未来量子电路的构建块，例如基于大量相同量子点使用 QPC 作为电荷传感器的量子比特阵列。为了实现大规模可制造性，首先必须建立可重复性，使得集成电路中的每个组件具有相同的工作参数。传统上，调制掺杂结构已用于量子电子器件，因为其易于制造。然而，随机分布的电离供体的背景静电势大大降低了可重复性 7,8。这种内在的可变性可以通过利用完全未掺杂的结构来避免，通过对金属顶栅施加适当的偏置将电荷载流子限制在异质界面处 9-12 。这些结构有许多优点，包括提高迁移率 13 、提高热循环特性 14 ，以及我们将在这里展示的量子传输特性的优越性。量子点接触是连接两个二维储层的窄一维通道，是最简单的栅极定义量子装置类型，使其成为研究可重复性 7,15,16 的理想选择。我们首先问一个问题：如果在同一晶圆上制造几个相同的装置，它们会表现出相同的行为吗？为了研究这个问题，我们在调制掺杂和未掺杂的晶圆上制造了 18 个名义上相同的 QPC，并观察定义和夹断一维通道所需的栅极偏置。我们还研究了 QPC 通道内电导量子化和静电势的均匀性，以及热循环下的可重复性。为了进行比较，我们还研究了空穴 QPC 中的可重复性。基于 III-V 半导体系统的空穴量子器件最近引起了广泛关注，因为它们
基于低压体驱动翻转电压跟随器的...
本文提出了一种低压高性能运算跨导放大器设计。所提出的架构基于体驱动准浮栅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，支持低压操作并提高放大器的增益。除此之外，通过在输入对处使用翻转电压跟随器结构以及体驱动准浮栅 MOSFET，消除了运算跨导放大器 (OTA) 的尾电流源要求。与传统的体驱动架构相比，所提出的运算跨导放大器的直流 (DC) 增益增加了五倍，单位增益带宽增加了三倍。用于放大器设计的金属氧化物半导体 (MOS) 模型采用 0.18 微米互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术，电源为 0.5 V。
zealand-pharma-2024-h1-中期报告.pdf
• 胰淀素类似物 Petrelintide：16 周多次递增剂量 (MAD) 试验（1b 期试验第 2 部分）报告了积极的顶线数据。顶线结果显示，使用剂量递增方案每周一次服用 Petrelintide 16 周后，平均体重减轻高达 8.6%，而合并安慰剂组平均体重减轻 1.7%。48 名试验参与者中有 79% 为男性，中位 BMI 为 29 千克/米 2 。Petrelintide 耐受性非常好，没有严重或严重的不良事件 (AE)。所有胃肠道 (GI) AE 均为轻微，除了一名参与者报告的两起中度事件（恶心和呕吐）外，该参与者停止了治疗。没有其他试验参与者因 AE 而停止治疗。没有发生其他呕吐事件，报告了两起腹泻事件，均为轻微。 • 达匹鲁肽，GLP-1/GLP-2 受体双激动剂：报告了由研究人员主导的 DREAM 试验的顶线数据，该试验使用低剂量达匹鲁肽。顶线结果显示，12 周后平均体重减轻高达 4.3%
联合条令出版物 0-20，英国陆军力量，第 6 版
5. JDP 0-20《英国陆军力量》在联合条令架构中提供了基石陆地领域条令，位于顶石 JDP 0-01《英国防御条令》之下，与其他联合作战领域条令并列，包括 JDP 0-10《英国海上力量》、JDP 0-30《英国空中力量》、JDP 0-40《英国太空力量》和 JDP 0-50《英国国防网络与电磁条令》。JDP 0-20 与北大西洋公约组织的顶石条令——盟军联合出版物 (AJP)-01《盟军联合条令》和 AJP-3.2《盟军陆地作战联合条令》。在反映联合背景的同时，JDP 0-20 与英国陆军的单一军种顶石条令《陆军条令出版物《陆地作战》第一部分：竞争与冲突》和第二部分：陆地力量的应用》保持一致。
FIPS 140-2 非专有安全策略 Ciena ...
数据输入/输出包括利用模块提供的服务的数据。控制输入包括输入到模块中的配置或管理数据。状态输出包括信号输出，然后由主机电路板将其转换为警报和日志信息。Waveserver Ai 加密模块的物理端口和接口包括中板连接器（直接连接到 WCS-2 加密模块）、FPGA 球栅和 SGMI 接口。光学连接器直接连接到模块的 FPGA 引脚。表 2 列出了 Waveserver Ai 加密模块中可用的物理端口和接口，并提供了从物理端口和接口到 FIPS 140-2 定义的逻辑接口的映射。接口由处理器和 FPGA 提供。请注意，FPGA 球栅引脚分为以下几组（具有相关的引脚数）：
接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846