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World File Search System顶栅
C4/陶瓷球栅阵列互连技术
�� l, f = Ton - Toff；实验室、现场 fl, f = 热循环频率；循环次数；实验室、现场每天必须至少 6 次 Qc = 芯片功率，W Θ jc = 芯片结至外壳电阻，°C/W Θ jl = 芯片结至引线（即球）电阻，°C/W Θ ja = 芯片结至环境电阻，°C/W 简介 PowerPC 603 和 PowerPC 604 RISC 微处理器 可扩展的 PowerPC™ 微处理器系列（图 1）由 Apple、IBM 和 Motorola 联合开发，被设计用于高性能、高性价比的计算机（包括笔记本电脑、台式机、工作站和服务器）。PowerPC 微处理器系列包括从 PowerPC 601™ 微处理器到 PowerPC 620™ 微处理器。PowerPC 603 微处理器是 PowerPC 精简指令集计算机 (RISC) 架构的低功耗实现。
来自慢性顶脓肿的细菌鉴定及其灵敏度
在慢性顶脓肿的根管中可以发现的抽象细菌由一些链球菌和葡萄球菌组成。可以通过释放羟基离子来消除它们。研究目标是从葡萄球菌中识别物种。和链球菌属。在诊断出慢性顶脓肿的根管中，并研究了它们在糊和凝胶制备中对氢氧化钙的敏感性。这项研究的方法是真正的实验。样品是用慢性顶脓肿从根管中取出的。链球菌属。。用快速葡萄球菌加鉴定。用糊和凝胶中用氢氧化钙测试所有样品，以测量抑制区的直径。六种葡萄球菌属。确定的是凝血酶阴性葡萄球菌（CONS）的成员，一种链球菌属的一种。确定的是Viridans链球菌的成员。糊剂和凝胶制备中的氢氧化钙会产生抗菌作用，其抑制区直径在链球菌spp上。和葡萄球菌SPP。链球菌属。和葡萄球菌属。从慢性根尖脓肿的根管中发现的具有高度敏感性，并且在糊和凝胶制备中对氢氧化钙具有相似的敏感性。具有高度敏感性，并且在糊和凝胶制备中对氢氧化钙具有相似的敏感性。
FBGA——细间距球栅阵列
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QCD 中顶夸克的量子信息
顶夸克代表着独特的高能系统，因为它们的自旋关联可以被测量，从而允许用高能对撞机中的量子比特来研究量子力学的基本方面。这里，我们给出了通过高能对撞机中的量子色动力学 (QCD) 产生的顶-反顶 (t¯t) 夸克对的量子态的一般框架。我们认为，一般来说，在对撞机中可以探测的总量子态是由产生自旋密度矩阵给出的，这必然会产生混合态。我们计算了由最基本的 QCD 过程产生的 at¯t 对的量子态，发现在相空间的不同区域存在纠缠和 CHSH 破坏。我们表明，任何现实的 at¯t 对的强子产生都是这些基本 QCD 过程的统计混合。我们重点关注在 LHC 和 Tevatron 上进行的质子-质子和质子-反质子碰撞的实验相关案例，分析量子态与碰撞能量的依赖关系。我们为纠缠和 CHSH 破坏特征提供实验可观测量。在 LHC 上，这些特征由单个可观测量的测量给出，在纠缠的情况下，这代表违反柯西-施瓦茨不等式。我们将文献中提出的 t¯t 对的量子断层扫描协议的有效性扩展到更一般的量子态和任何产生机制。最后，我们论证了在对撞机中测量的 CHSH 破坏只是一种弱形式
在 ATLAS 探测器上观测顶夸克的量子纠缠
纠缠是量子力学的一个关键特征 1–3 ，在计量学、密码学、量子信息和量子计算 4–8 等领域有应用。纠缠已在从微观 9–13 到宏观 14–16 的各种系统和长度尺度中被观察到。然而，在可访问的最高能量尺度上，纠缠仍然基本上未被探索。这里，我们报告了在大型强子对撞机产生的顶-反顶夸克事件中对纠缠的最高能量观测，使用由 ATLAS 实验记录的质子-质子碰撞数据集，其质心能量为 √ s = 13 TeV，积分光度为 140 倒数飞靶 (fb) −1。自旋纠缠是通过测量单个可观测量 D 检测到的，D 是由带电轻子在其母顶夸克和反顶夸克静止框架中的夹角推断出来的。可观测量是在顶夸克-反顶夸克产生阈值附近的一个狭窄区间内测量的，在此区间内纠缠检测预计会很显著。它是在一个用稳定粒子定义的基准相空间中报告的，以尽量减少因蒙特卡洛事件生成器和部分子簇射模型在模拟顶夸克对产生方面的局限性而产生的不确定性。当 m 340 GeV < < 380 GeV tt 时，纠缠标记测得为 D = −0.537 ± 0.002（统计）± 0.019（系统）。观测结果与没有纠缠的情况相差超过 5 个标准差，因此这是首次观察到夸克对中的纠缠，也是迄今为止最高能量的纠缠观测。
氧化物界面超导相图中的多带效应
LaAlO 3 /SrTiO 3 和 LaTiO 3 /SrTiO 3 异质结构表现出由电子密度控制的复杂相图。 [1,2] 虽然系统在低密度下处于弱绝缘状态，但当通过静电门控（采用背栅、侧栅或顶栅结构）添加电子时，就会出现超导性[1,3,4]（图1）。当载流子密度（n 2D）增加时，超导 T c 升至最大值 c max T ≈ 300 mK，然后随着掺杂的进一步增加而降低。由此产生的圆顶状超导相图类似于在其他超导体家族中观察到的相图，包括高 T c 铜酸盐、Fe 基超导体、重费米子和有机超导体。 [5,6] 在氧化物界面相图中，普遍观察到两个明显的掺杂点：低密度下的量子临界点 (QCP)，它将弱绝缘区与超导区分开；最佳掺杂下的最大临界温度点 (c max T)，它定义了欠掺杂区与过掺杂区之间的边界。尽管进行了大量研究，但对这两个点的起源尚无共识。在 LaAlO 3 /SrTiO 3 异质结构中，电子
颞顶皮层参与建模自己和其他人的注意力
摘要在传统观点中，在社会认知中，注意力等同于目光，人们通过追踪他们的目光来追踪别人的注意力。在这里，我们使用fMRI来测试大脑是否以更丰富的方式表示注意力。人们阅读了描述代理商（自己或其他人）的故事，以两种方式指向对象的注意：内部定向（内源性）或外部引起的（外源性）。我们使用多毒素模式分析来检查心形网络中的大脑领域如何编码注意力类型和代理类型。左颞顶连接（TPJ）中的大脑活动模式显示出有关内源性和外源性注意的信息的显着解码。左TPJ，左上颞沟（STS），前胸骨和内侧前额叶皮层（MPFC）显着解码剂类型（自我与其他）。这些发现表明，大脑构建了一个人自己和其他人注意状态的丰富模型，可能是有助于心理理论。
用数字法测定球栅阵列的热膨胀系数
本文介绍了通过数字图像相关 (DIC) 技术对球栅阵列 (BGA) 上焊球的热膨胀系数 (CTE) 进行分析的方法。由于微尺度元件对热的敏感性，评估半导体元件的热机械性能是一项主要挑战。然而，BGA 的 CTE 分析对于解决导致故障的热失配应变问题具有重要意义。同时，焊球热膨胀的测量是在微尺度和加热条件下进行的，传统的应变测量方法无效。在本分析中，使用微 DIC 系统测量焊球在加热台上受到温度载荷时的应变值。使用加热台内的热电偶测量焊球的实际温度，以确保温度的均匀性。获得特定温度下测得的应变，并使用线性分析绘制 CTE 图表。测得的焊球的平均 CTE 值为 27.33 × 106 / oC。结果表明，测量结果接近焊球 CTE 的参考值。该分析使用开发的 DIC 方法对 BGA 进行了可靠的分析。
背栅石墨烯晶体管的接触电阻和迁移率
摘要 金属-石墨烯接触电阻是限制石墨烯在电子设备和传感器中技术开发的主要因素之一。高接触电阻会损害器件性能并破坏石墨烯固有的优良特性。在本文中，我们制造了具有不同几何形状的背栅石墨烯场效应晶体管，以研究接触和沟道电阻以及载流子迁移率随栅极电压和温度的变化。我们应用传输长度法和 y 函数法，表明这两种方法可以相互补充以评估接触电阻并防止在估计载流子迁移率对栅极电压的依赖性时出现伪影。我们发现栅极电压以类似的方式调节接触和沟道电阻，但不会改变载流子迁移率。我们还表明，升高温度会降低载流子迁移率，对接触电阻的影响可以忽略不计，并且可以根据施加的栅极电压诱导石墨烯薄层电阻从半导体行为转变为金属行为。最后，我们表明，消除接触电阻对晶体管沟道电流的不利影响几乎可以使载流子场效应迁移率翻倍，并且通过 Ni 接触的锯齿形成形可以实现低至 700 Ω · μ m 的竞争性接触电阻。