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World File Search System预充电
加热到冻结的电化学交互策略使稳定的4.5 V Li-Metal电池在以太基电解质中
摘要：形成稳定的电化学相互作用，包括固体电解质间相（SEI）和阴极电解质相间（CEI）对于开发高性能碱金属电池至关重要。SEI/CEI的稳定性主要取决于其化学和结构。当前对SEI/CEI设计的研究主要集中于通过调节电解质配方来调节其化学。在这项工作中，我们展示了SEI/CEI的化学和结构都可以通过温度调制的形成策略轻松调节。具体而言，使用加热条件下的预充电来调节电解质分解反应的类型和动力学，然后在低温存储下冷冻，以控制电极界面上分解产物的沉积行为。研究表明，高温预充电会影响LI+的配位结构并加速分解反应动力学，从而导致大量阴离子分解。随后的低温存储迅速降低了在高温下产生的分解产物的溶解度，从而促进了两个电极对不溶性产物的沉积，从而导致密集且稳定的SEI/CEI。强大的SEI/CEI实现了中等浓度的基于以太电解质的4.5 V LI || NCM811单元的稳定循环，
用于漏电保护的弹性对称 8T SRAM 单元...
一、SRAM 静态随机存取存储器 (SRAM) 是一种静态存储单元，它使用触发器来存储每位数据。它广泛应用于各种电子系统。SRAM 存储器中的数据不需要定期刷新。与其他存储单元相比，它速度更快，功耗更低。正因为如此，SRAM 是 VLSI 设计师中最受欢迎的存储单元。 SRAM 操作 传统的 6T SRAM 单元由两个背靠背连接的反相器组成。第一个反相器的输出连接到第二个反相器的输入，反之亦然。基本上，SRAM 执行三种操作，即保持、读取和写入操作。 保持操作：在待机操作或保持操作中，字线 (WL) 处于关闭状态。连接到字线和 B 和 BLB 线的存取晶体管也处于关闭状态。为了使 SRAM 以读取或写入模式运行，字线应始终处于高电平。 写入操作：存储数据的过程称为写入操作。它用于上传 SRAM 单元中的内容。写入操作从分配要写入 Bit 的值及其在 Bit' 的互补值开始。为了写入“1”，Bit 预充电高电压，并将互补值“0”分配给 Bit'。当通过将 WL 置为“高”将 M5 和 M6 设置为 ON 状态时，在 Bit 处分配的值将作为数据存储在锁存器中。M5 和 M6 MOS 晶体管设计得比单元 Ml、M2、M3 和 M4 中相对较弱的晶体管强得多，因此它们能够覆盖交叉耦合反相器的先前状态。读取操作：恢复数据的过程称为读取操作。它用于获取内容。读取操作首先将字线“WL”置为高电平，这样在将位线和位线预充电至逻辑 1 后，访问晶体管 M5 和 M6 均将启用。第二步是将存储在数据和数据线中的值传输到位线，方法是将位保留为其预充电值，并通过 M4 和 M6 将位线放电至逻辑 0。
lpc865 with smbus
该系统可以用标称电压为8.4 V充电。在充电过程中，电池电压，电流，温度和充电时间在LCD屏幕上实时显示。在开发程序的过程中，我们使用LPC-Link2模拟器将其下载到MCU。您可以使用其他任何模拟器，其中包括1.27'10-pin SWD连接器，例如J-Link，U-Link。也可以通过Freemaster软件实时绘制充电序列。在充电过程中，它经历了四个阶段：预充电，恒定电流充电，恒定电压充电和充电。
CW6308
CW6308 是一款高精度线性充电器 IC，具有电源路径管理功能，适用于使用单节锂离子/锂聚合物电池的可穿戴设备和物联网设备。该设备嵌入充电管理模块并完成完整充电阶段，包括预充电、快速充电恒流 (CC)、快速充电恒压 (CV) 和充电终止。该设备集成了电源路径管理 (PPM)，即使电池电量耗尽，设备也可以在为电池充电的同时为系统运行提供电源。它还支持完整系统重置和运输模式。CW6308 通过限制从输入到系统的电流和从电池到系统的电流来提供系统过流保护 (OCP)。当电池电压低于电池欠压锁定 (UVLO) 阈值时，电池到系统的放电路径将被切断。CW6308 可以通过 NTC 引脚（支持 10K 或 100K NTC 热敏电阻）监控电池组温度，并在电池处于热或冷状态时暂停充电。该设备还集成了充电安全定时器和预充电定时器。当其中任何一个定时器到期时，正在进行的充电将被关闭。I 2 C 控制接口允许主机配置充电器参数并获取 IC 状态。充电和放电期间可使用 I 2 C 看门狗。该设备采用微型无铅 0.4mm 间距、1.25mm x 1.25mm、9 球 WLCSP 封装。
黑色的网格形成控制策略从海上风力发电厂开始
摘要。可再生能源与功率电动转换器的大规模集成正在将电源系统更接近其动态稳定性限制。这增加了大区停电的风险。因此，电力系统中不断变化的发电公司需要使用替代能源（例如风力发电厂）来提供黑色启动服务。但是，这需要格式形成，而不是传统上普遍存在的环形风力涡轮机。本文介绍了形成网格控制的一般工作原理，并检查了四种此类控制方案。为了比较其性能，已经通过高压直流电流（HVDC）连接的风力发电厂进行了一项模拟研究，以针对陆上负载的不同阶段进行了模拟研究。在变压器覆盖，转换器预充电和去障碍物以及陆上负载拾音器期间的瞬态行为已进行了比较，并进行了质量分析，以突出每个控制策略的优点和缺点。
BQ41Z90 高度集成的 3–16 节电池电量监测计，具有 IT-DZT 算法和 ECC 认证功能 数据表 (Rev. A)
• 高度集成的电池组管理器，适用于 3 至 16 节串联电池应用 – 超低功耗 32 位 RISC 处理器 – 最多可对 16 节串联电池进行 ADC 测量，容差为 80V – 高精度 SoC 和 SoH，具有动态 Z Track ™ 测量算法 – 基于证书的安全保护闪存 • 带有两个独立 ADC 的精密模拟前端： – 高精度 18 位积分 delta-sigma 库仑计数器 – 带有输入转换和多路复用器的高精度 16 位 delta-sigma – 支持同时进行电流和电压采样 – 支持最多八个外部热敏电阻测量和一个内部温度传感器 • 强大的高端 NMOS FET 驱动器，具有快速开启和关闭时间 • 电荷泵支持预充电和预放电 NMOS FET 驱动器 • 并联配置支持可拆卸电池，带有独立的充电器和系统端口 • 电池平衡支持每节电池高达 50mA 的旁路电流 • 诊断寿命数据监视器和记录器 • 多主机通信支持：– I 2 C（高达 1MHz） – SMBus 3.2（高达 1MHz）• 多种电源模式，实现低静态电流运行• SHA-1、SHA-2 或 EC-KCDSA 身份验证，确保电池组安全
一种具有输入阻抗增强和抑制偏移诱导电荷转移的斩波神经前端
摘要 — 现代神经调节系统通常提供大量的记录和刺激通道，这降低了每个通道的可用功率和面积预算。为了在面积限制越来越严格的情况下保持必要的输入参考噪声性能，斩波神经前端通常是首选方式，因为斩波稳定可以同时改善（1/f）噪声和面积消耗。现有技术中，通过基于输入电压缓冲器的阻抗增强器解决了输入阻抗大幅降低的问题。这些缓冲器对大型输入电容器进行预充电，减少从电极吸取的电荷并有效提高输入阻抗。这些缓冲器上的偏移直接转化为电荷转移到电极，这会加速电极老化。为了解决这个问题，提出了一种具有超低时间平均偏移的电压缓冲器，它通过定期重新配置来消除偏移，从而最大限度地减少意外的电荷转移。本文详细介绍了背景和电路设计，并介绍了在 180 nm HV CMOS 工艺中实现的原型的测量结果。测量结果证实，发生了与信号无关的缓冲器偏移引起的电荷转移，并且可以通过所提出的缓冲器重新配置来缓解这种电荷转移，而不会对输入阻抗增强器的操作产生不利影响。所提出的神经记录器前端实现了最先进的性能，面积消耗为 0.036 mm2，输入参考噪声为 1.32 µV rms（1 Hz 至 200 Hz）和 3.36 µV rms（0.2 kHz 至 10 kHz），功耗为 13.7 µW（1.8 V 电源），以及 50 Hz 时的 CMRR 和 PSRR ≥ 83 dB。