欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件,甚至造成永久性故障,影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时,请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件,使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作,如有定期更改,恕不另行通知。
欧盟 RoHS 指令范围。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件,甚至造成永久性故障,影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时,请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. VDMOSFET 是对静电敏感的器件,使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作,如有定期更改,恕不另行通知。
(1) TAS5112 封装使用裸露的金属焊盘区域来增强导热冷却性能。将焊盘暴露在环境空气中的器件作为器件的唯一散热方式是不切实际的。因此,在数据表的应用信息部分提供了表征热处理的系统参数 R θ JA。在热信息部分提供了典型系统 R θ JA 值的示例和讨论。此示例提供了有关功率耗散额定值的更多信息。此示例应作为计算特定应用的散热额定值的参考。如果需要,TI 应用工程部门可提供设计散热器的技术支持。
(1) 超过这些额定值的应力可能会造成永久性损坏。长时间暴露在绝对最大条件下可能会降低设备可靠性。这些只是应力额定值,不支持设备在这些或任何超出规定条件的其他条件下正常运行。 (2) 输入端通过二极管钳位到电源轨。输入信号如果能超出电源轨 0.5 V 以上,则必须限制电流,差分放大器输入引脚除外。 (3) 这些输入没有内部过压保护。差分放大器输入引脚必须限制为 5 mA(最大值)或 ±10 V(最大值)。 (4) 功率受限;注意最大结温。
欧盟 RoHS 指令。警告 1. 超过器件的最大额定值使用器件可能会损坏器件,甚至造成永久性故障,从而影响机器的可靠性。建议在器件最大额定值的 80% 以下使用。 2. 安装散热器时,请注意扭矩和散热器的平稳性。 3. IGBT 是对静电敏感的器件,使用时必须保护器件免受静电损坏。 4. 本出版物由华晶微电子制作,如有定期更改,恕不另行通知。无锡华润华晶微电子有限公司。
SBTB10300CT TO-263 50 件 / 管或 800 件 / 卷带 SBTB10300CT 最大额定值(@TA =25 ℃,除非另有说明)
MIL-PRF-19500/429N 1.3 最大额定值 - 续。(1) US 后缀的电气特性与相应的无后缀设备相同。(2) 从 T A = +55 ° C 时的 1.0 A 线性降额至 +100 ° C 时的 0.75 A。在 +100 ° C 和 +175 ° C 之间从 0.75 A 线性降额至 0 A。请参阅图 5 了解降额曲线。(3) 对于 55 ° C 环境温度下的 1 安培额定值或 100 ° C 环境温度下的 0.75 安培额定值,这些 I O 额定值适用于热安装方法(PC 板或其他),其中从安装点到环境的热阻仍然得到充分控制,且 1.3 中的 T J(MAX) 未超过。如图所示,这相当于 R θJX ≤ 115ºC/W。另请参阅 6.5.1 中的应用说明。(4) 气压:1N5617 和 1N5619 为 8 毫米汞柱(100,000 英尺);1N5621 和 1N5623 为 33 毫米汞柱(70,000 英尺)。(5) 参见图 6。(6) 参见图 7。2.适用文件 * 2.1 一般规定。本节列出的文件在本规范的第 3 或第 4 节中指定。本节不包括本规范其他部分引用的文件或推荐用于补充信息或作为示例的文件。尽管已尽一切努力确保此列表的完整性,但文件用户仍需注意,他们必须满足本规范第 3 或 4 节中引用的文件的所有指定要求,无论这些文件是否列出。2.2 政府文件。2.2.1 规范、标准和手册。以下规范、标准和手册构成本文件的一部分,并在此处指定。除非另有说明,否则这些文件的发行版是招标或合同中引用的。国防部规范
(1) US 和 UMC 后缀器件的电气特性与无后缀轴向引线器件相同。(2) 气压:1N5617 和 1N5619 为 8 mm Hg;1N5621 和 1N5623 为 33 mm Hg。(3) 对于 1.0 amp 额定值,从 T A = +55°C 时的 1.0 A 线性降额至 T A = +100°C 时的 0.75 A。请参阅图 7 了解降额曲线。(4) 对于 +55°C 环境温度下的 1 A 额定值或 +100°C 环境温度下的 750 mA 额定值,这些 I O 额定值适用于热安装方法(PC 板或其他),其中引线或端盖温度无法维持,并且从安装点到环境的热阻仍然得到充分控制,且不超过 1.3.2 中的 T J(MAX)。这相当于 R θJX ≤ 115°C/W,如第 9 栏所示。这些设备的 R θJX 应为 127.7 °C/W,如 6.6.3.1b 中单独计算的那样。另请参阅 6.6.1 中的应用说明。(5) 从 T A = +100°C 时的 750 mA 线性降额至 T A = +175°C 时的 0 A。请参阅图 7 了解降额曲线。(6) T L 在 L = .375 英寸处。(9.52 毫米) 适用于轴向引线器件;T EC = T L 在 L = 0 (0 毫米) 适用于美国后缀器件。(7) 仅限轴向引线器件。请参阅图 8 。(8) 仅限美国后缀器件。请参阅图 9 。(9) 仅限 UMC 后缀器件。请参阅图 10 和 11 1.4 主要电气特性。主要电气特性不适用于本规范
绝对最大额定值(注 1) 输入信号电压(V IN1)............................................................................................................................. -0.3V 至 16V 输出电压,无负载.........................................................................................................................内部限制为 1800V RMS 输出电流......................................................................................................................................... 8.0mA RMS(内部限制) 输出功率......................................................................................................................................................... 6.0W 输入信号电压(BRITE 输入)............................................................................................................. -0.3V 至 5.5V 输入信号电压(SLEEP、V SYNC 输入)............................................................................................. -0.3V 至 5.5V 环境工作温度,零气流.........................................................................................................................0°C 至 70°C 存储温度范围......................................................................................................................................... -40°C 至 85°C 注 1:超过这些额定值可能会损坏设备。所有电压均相对于地。电流在指定端子处为正,在指定端子处为负。