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World File Search System饱和电压
PBRN113Z 系列 NPN 800 mA、40 V BISS RET - Nexperia
图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值
PBRN123Y 系列 NPN 800 mA、40 V BISS RET - 所有产品
图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值
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发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE =10uA, IC =0 5 V 集电极截止电流 I CBO V CB =30V, IE =0 100 nA 发射极截止电流 I EBO V EB =5V, IC =0 100 nA h FE(1) V CE =2V, IC =5mA 40 h FE(2) V CE =2V, IC =150mA 63 250 直流电流增益 h FE(3) V CE =2V, IC =500mA 25 集电极-发射极饱和电压 V CE(sat) IC =500mA, IB =50mA 0.50 V 基极-发射极电压 V BE V CE =2V, IC =500mA 1.00 V 转换频率 f TV CE =5V, IC =10mA,f=100MHz 130 MHz h 的分类FE(2) 等级 BCX54 BCX55 BCX56
在电热模式模式测试时，IGBT模块的故障机制 div>
已经研究了在电递电明模式下测试过程中焊接结构的幂IGBT模块的组件降解的主要机制和连接的界面。已经开发了焊接结构的功率IGBT模块组成部分降解机制的分类和出现，包括其发生和检测指标的原因。准备并进行了一个实验，以研究循环模式对IGBT模块设计个人元素载荷程度的影响。根据测试以短而长的电脱脂基化模式，构建了收集器发射器对周期数的饱和电压的依赖性，从而确定在测试模式或操作上没有数据的情况下，在不需要其他诊断措施的情况下，在没有数据或操作上没有数据的情况下，测试设备降解的主要机制。
伽玛射线对双极结特性的影响
本文介绍了60 Coγ辐射硬度对双极结型晶体管特性和参数的影响，以分析核领域中使用的单个器件的性能变化。双极结型晶体管（BJT）的类型为（BC-301）（npn）硅，晶体管用60 Co源以不同剂量（1、2、3、4和5）KGy进行γ辐射辐照。使用带稳压电源的晶体管特性仪研究了辐照前后双极结型晶体管的特性和参数。结果表明，由于晶体管增益下降和硅电阻率增加，双极结型晶体管的饱和电压V CE（sat）降低。受电离辐射影响的双极结型晶体管的另一个参数是集电极-基极漏电流，电流的大幅增加是由结附近的累积电荷引起的。1.引言
评估离子 - 分组和极化 - ...
目的：使用小体积电离室进行扁平过滤器（FF）和扁平过滤滤器（FFF）varian Truebeam stx线性加速器的扁平过滤器（FFF）横梁，研究小型和大型电离室的离子重组（K S）和极性校正因子（KPOL）。材料和方法：所有读数均以100厘米源到DMAX的表面距离（SSD）和10厘米深度的PTWBeamScan®水幻影进行测量，为6、10、10、15、6FFF和10FFF MEGA电压光光束，平方场的最大剂量速率为0.5×0.5cm2至30×30 cm2。分别雇用了两个离子腔室，例如PTW Semiflex 3d 31121和农民室30013，分别为0.07cc和0.6cc。根据国际原子能局技术报告系列（IAEA TRS 398）的第398号协议，从读数中计算了校正因子。用“两压方法”（TVM）获得的离子重组值用1/v对1/Q曲线（Jaffé-plot）验证了所有束能。结果：从结果来看，离子重组校正因子（K S）从未超过1.032，此外，Jaffé-Plot的结果与TVM值非常吻合（高达0.3％），除了方形0.5×0.5×0.5cm 2和1×1cm 2（最高8％）。KS值完全独立于所有光束能的场大小。KPOL值随场大小而独立于2×2cm 2的平方场差异，在2×2cm 2至10×10cm 2之间的平方场2×2cm 2中，绘图几乎显示了所有辐射条件的直线。对于所有平方场（0.5×0.5cm 2和1×1cm 2除外），FFF梁的K S和KPOL值分别差异为最大0.6％和0.1％。结论：小场剂量计的饱和电压大于剂量计的工作电压。小场的KS和KPOL值与标准字段（参考字段）不同。使用标准“两压方法”确定的KS可以充分考虑高剂量率FFF梁的高剂量率FFF梁。从FFF梁获得的结果不会显着偏离扁平的梁。平方场的不适当读数0.5×0.5cm 2和1.0×1.0cm 2可能是由于缺乏剂量计响应，这是由于缺乏侧向带电粒子平衡和腔室平均效果的结果。
CIS 堆叠技术
灵敏度 - 数字成像 - 像素 - 量子效率 - 复位 - 正向偏置 - 区域板 - 通道电位 - 全帧成像器 - PPD - 采样频率 - 光子散粒噪声 - VGA - 产量 - 暗固定模式噪声 - 反向偏置二极管 - 收集效率 - 逐行扫描 - 动态范围 - 薄膜干涉 - 固定光电二极管 - 光谱灵敏度 - 饱和电压 - 双线性成像器 - 光子传输曲线 - 行间传输图像传感器 - 电荷耦合器件 - 微透镜 - 暗电流散粒噪声 - E SD - 条纹滤波器 - 数码相机 - 拼接 - 高斯分布 - 硅 - 热噪声 - 传感器结构 - 亮度 - 浮动扩散放大器 - 转换因子 - 闪烁 - MOS 电容 - 辐射单位 - 移位寄存器 - 带隙 - 黄色 - 补色 - 光电门 - 列放大器 - 纹波时钟 - 反转层 - CMOS 成像器 - 对数响应 - 普朗克常数 - 电荷泵 - 阈值电压 - 埋通道 CCD - 暗电流 - 噪声等效曝光 - MSB - 转换因子 -缺陷像素校正 - 边缘场 - 分辨率 - 双相传输 - 正透镜 - 角响应 - PRNU - 波长 - 帧传输成像器 - 电荷注入装置 - 测试 - 通道定义 - 摄像机 - 光晕 - 隔行扫描 - 彩色滤光片 - 自动白平衡 - 虚拟相位 - 拖尾 - 单斜率 ADC - 表面电位 - 耗尽层 - 垂直防光晕 - 多相钉扎 - 电子快门 - PAL - 埃普西隆 - 相关双采样 - 蓝色 - CIF - 洋红色 - 填充因子 - 延迟线 - 线性响应 - 规格 - 结深 - 复位噪声 - 线性图像传感器 - 光学低通滤波器 - 二氧化硅 - 光电二极管 - 勒克斯 - 闪光 ADC - 定时抖动 - 拥有成本 - 封装 - 光刻 - 有源像素传感器 - DSP - 积分时间 - 三相传输 - 光子通量 - 晶圆级封装 - 电荷泵 - 滤光轮 - 有效线时间 - 吸收深度 - 玻尔兹曼常数 - 弱反转 - LSB - 水平消隐 - 光栅滤波器 - 帧抓取器 - 原色 - 拜耳模式- 缩放 - 功耗 - 单色仪 - 模拟数字转换 - 光固定模式噪声 - 无源像素传感器 - 彩色棱镜 - SGA - 氮化硅 - 温度依赖性 - 负透镜 - sigma delta ADC - 混叠 - 插值 - 传输效率 - F 数 - 红色 - 动态像素管理 - 栅极氧化物 - 热漂移 - 热噪声 - 扩散 MTF - 有源像素传感器 - 泄漏器 - 1/f 噪声 - 青色 - 信噪比 - 孔径比 - 奈奎斯特频率 - 非隔行扫描 - 像素内存储器 - 四相传输 - 技术 - kTC 噪声 - 辐射损伤 - 离子注入 - MOS 晶体管 - 内透镜 - 光度单位 - 表面通道 CCD - 延时和集成成像器 - 宽高比 - 绿色 - NTSC - 单芯片相机 -可见光谱 - 调制传递函数 - 同步快门 - 马赛克滤光片 - 背面照明 - 色彩串扰 - 量化噪声 - 逐次逼近 ADC - 压缩 - 漏极 - 多晶硅 - 堆叠 - 光子转换 - 飞行时间 - 吸收系数 - DIL - 收集体积 - 孔 - 四线性成像器 - 单相传输 - 填充和溢出 - 收集效率 - 垂直消隐 - 源极跟随器 - 雪崩倍增 - 辐射 - 横向防晕 - 晶圆上测试 - 自感场 - 自动曝光 - 泊松分布 - 电荷复位 - 伽马