Azad Kumar 博士目前担任 M.L.K (P.G.) 化学系助理教授学院,巴尔拉姆普尔。Kumar 博士获得理学学士学位。荣誉学位 (2007)、理学硕士学位。学位 (2009)、哲学硕士学位。化学学位 (2010),Dayalbagh 教育学院,Dayalbagh Agra,博士学位。化学学位 (2018),Babasaheb Bhimrao Ambedkar 大学(中央大学),勒克瑙。Kumar 博士也是多个科学协会的成员。他的研究和教学兴趣包括纳米材料合成的理论和应用及其应用、混合复合材料、光催化剂和聚合物。Kumar 博士在同行评审期刊以及国际和国家期刊上发表了 20 篇研究论文。Kumar 博士是一些国际期刊的编辑成员。Kumar 博士也是
Marlborough当前GDP的30%以上来自农村部门。马尔伯勒最大的经济驱动力是葡萄酒和葡萄栽培,水产养殖,农业,食品和纤维以及林业行业。这些部门与健康的游客经济相关,以及新的新兴领域(如屏幕和艺术)。这些核心部门得到了坚实的工程和制造业以及建筑和专业服务部门的支持。在本报告中,重点主要是在解决土地和海洋行业面临的一些最大挑战方面的农业领域。
类型 国际 国家 在 UGC-CARE 列出的期刊上发表的论文 145 --- 在同行评审期刊上发表的论文(上面未提及) - -- 出版的书籍 1 -- 编辑的书籍 -- -- 对书籍章节的贡献 3 会议 / 研讨会论文集的编辑 - 在会议 / 研讨会论文集上发表的论文 2 -- 在会议 / 研讨会上发表的论文 74 68 存放在 CCDC、PDB 等中 -
libretexts的使命是将学生,教职员工和学者团结起来,以制定一个易于使用的在线平台,用于构建,自定义和传播OER内容,以减少对我们的学生和社会的不合理教科书成本的负担。libretexts项目是一项多机构的合作企业,旨在开发下一代的开放访问文本,以通过开发开放访问资源环境来改善各级高等教育的高等教育。该项目目前由14个独立运营和互连的图书馆组成,这些图书馆不断地由学生,教职员工和外部专家优化,以取代传统的基于纸质的书籍。这些免费教科书替代方案是在垂直(从进步到基本水平)和水平(跨不同字段)集成的中心环境中组织的。
免疫系统是人类有机功能的核心组成部分。本文解决了生物系统的自组织,并嵌套在怀孕中的其他生物系统中。妊娠构成了人类实施的基本状态,也是我们物种进化和保护的关键步骤。并非所有人类都可以怀孕,但我们在另一个人的身体内的最初出现和生长状态是普遍的。因此,怀孕的状态并不关心某些人,而是所有人。的确,妊娠中的分层关系反映了胚胎中更早的自动植物过程,通过该过程,单个胚泡中的个体数量由细胞 - 相互作用动态地确定。怀孕期间两个自组织系统之间的关系和相互作用可能在理解
摘要:我们研究了在马尔可夫和非马尔可夫状态下,量子比特与微观碰撞模型建模的环境接触时产生的不可逆熵。我们的主要目标是为非马尔可夫动力学与负熵产生率之间关系的讨论做出贡献。我们采用了两种不同类型的碰撞模型,它们可以或不保留系统与进入的环境粒子之间建立的相关性,而它们都通过从环境到系统的信息回流而具有非马尔可夫性质。我们观察到,前一种模型(其中系统与环境之间的相关性得以保留)在瞬态动力学中产生负熵产生率,而后一种模型始终保持正熵产生率,即使与相应的马尔可夫动力学相比,收敛到稳态值的速度较慢。我们的结果表明,负熵产生率背后的机制不仅仅是通过信息回流的非马尔可夫性,而是通过已建立的系统-环境相关性对其的贡献。
摘要:在过去十年中,非马尔可夫开放系统动力学研究变得越来越流行,并得到了来自不同研究团体的贡献。这种兴趣源于如何定义和量化量子领域的记忆效应、如何利用和开发基于它们的应用程序等基本问题,以及控制开放系统动力学的最终极限是什么。我们在这里对定义和量化量子非马尔可夫性的基本方法进行了简单的理论介绍,并强调了它们的联系和区别。除了对开放量子系统研究发展的重要性之外,我们还讨论了这一进展对其他领域的影响,例如随机过程和量子信息科学的形式研究,并总结了最近发展可能的未来方向。
本文讨论了如何将Q学习和深度Q-Networks(DQN)应用于马尔可夫决策过程(MDP)描述的状态行动问题。这些是机器学习方法,用于在每个时间步骤中找到最佳的动作选择,从而导致最佳策略。讨论了这两种方法的局限性和优势,主要局限性是Q学习无法用于无限状态空间的问题。Q-学习在算法的简单性方面具有优势,从而更好地理解了该算法实际上在做什么。Q学习确实设法找到了本文研究的简单问题的最佳策略,但无法解决高级问题。深层Q-NETWORK(DQN)方法能够解决这两个问题,因此很难理解算法实际上在做什么。
关键字:Gan,Mishemt,MBE,MMIC,AL 2 O 3,可靠性摘要雷神已经在<111> si Hemt技术上采用了分子束外延(MBE)开发了gan的状态。相对于MOCVD(〜1000 o C)的分子束外延(MBE)的较低生长温度(〜750 o C)导致热性能提高和从IIII-V/SI界面减少微波损失。这些因素结合起来,以使最有效的高功率(> 4 w/mm)在高频(≥10GHz)上进行操作,这些操作通常与Si上的gan hemts无关。较低的温度MBE生长过程减少了生长后冷却后的GAN拉伸应变,这又使Aln成核层用于GAN HEMT生长。这与基于MOCVD的生长中使用的复杂的Algan/Aln菌株补偿层相反,这些层已显示出显着降低IIII-V外延层的总体导热率。此外,低温MBE ALN成核层导致Si/IIi-氮化物界面处的界面电荷降低。这种大大降低的电荷使雷神能够实现<0.2dB/mm的创纪录的低微波损失(对于SI上的GAN),最高为35 GHz,可与SIC上的GAN相当[1]。最重要的是,在100mm高电阻(> 1,000 ohm-cm)上实现MBE种植的Gan Hemt Epi层质量和均匀性时,记录了创纪录的低微波损失(> 1,000 OHM-CM)<111> Si,可与MOCVD在SIC上生长的GAN相当。板电阻低至423欧姆 /平方英尺(±0.8%),迁移率为〜1,600 cm 2 /v-s。这样做是为了使整个栅极电容,IDSS,IMAX和V t与为了减少门泄漏,雷神用ALD沉积了Al 2 O 3作为高k栅极介电介质形成不幸的。为了最大程度地减少门泄漏,而不会影响关键的RF设备特性(例如FT,FMAX,POWER和PAE),使用电荷平衡模型与栅极介电堆栈一起设计Schottky层厚度。