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World File Search System高亚
低温溅射沉积亚微米氮化铝薄膜的高热导率
摘要：氮化铝 (AlN) 是少数具有优异导热性的电绝缘材料之一，但高质量薄膜通常需要极高的沉积温度 (>1000°C)。对于密集或高功率集成电路中的热管理应用，重要的是在低温 (<500°C) 下沉积散热器，而不会影响底层电子设备。在这里，我们展示了通过低温 (<100°C) 溅射获得的 100 nm 至 1.7 μ m 厚的 AlN 薄膜，将其热性能与其晶粒尺寸和界面质量相关联，我们通过 X 射线衍射、透射 X 射线显微镜以及拉曼和俄歇光谱对其进行了分析。通过反应性 N 2 的分压控制沉积条件，我们实现了 ∼ 600 nm 薄膜热导率 ( ∼ 36 − 104 W m − 1 K − 1 ) 的 ∼ 3 × 变化，上限范围代表室温下此类薄膜厚度的最高值之一，尤其是在低于 100°C 的沉积温度下。还可以从热导率测量中估算出缺陷密度，从而深入了解 AlN 的热工程，可针对特定应用的散热或热限制进行优化。关键词：热导率、氮化铝、生产线后端、热传输、溅射沉积、低温、电力电子
高尺寸的块茎土豆品种
Ladics，G.S。，Selgrade，M.K.，2009。Identifying Food Proteins with Allergenic Potential: Evolution of Approaches to Safety Assessment and Research to Provide Additional Tools.调节毒理学和药理学54，S2 – S6。https://doi.org/10.1016/j.yrtph.2008.10.010
1 2 3 1 高知 (06) 高空作业车作业等 高知驻军 ...
6 一般事项 (1) 承包商应提供所使用的高空作业平台。 （2）高空作业车的操作应由承包商进行。 （3）承包商应负责将货物运至使用现场和运离使用现场。 （4）承包商应承担工作期间和装卸时使用的燃料费用。 （5）在开展工作前，必须向主管部门提交高空作业平台操作人员的驾驶执照副本。
大幅缩短高强度粘合剂的开发时间<研究成果
Harutoshi Yamada、Teruki Tsurimoto（筑波大学纯粹与应用科学研究生院）、Sirawit Pruksawan 和 Naito（筑波大学纯粹与应用科学研究生院、国家材料科学研究所）
高压电气设备检查 - 防卫省/自卫队
1. 参加者应具备的资格 (1) 参加者不得有《预算会计审计法》第70条规定的情况。此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于《预算会计审计法》第七十一条规定情形的。 （3）2022、2023、2024年度防卫省竞争性投标资格（各省厅统一资格）“提供服务等”类别中被评为D级以上，且具备参加关东、甲信越地区竞争性投标资格的，或者，如果其不具备参加竞争性投标的资格，但在投标之日前已经通过竞争性投标资格审查，并在竞争性投标资格名单中登记，并被认定具备参加竞争性投标资格的。 （4）该人目前不属于防卫省长官房长官、防卫政策局局长、采购技术后勤局局长（以下称为“防卫省暂停权限”）或海上自卫队参谋长根据“设备等及服务采购暂停提名等指南”采取的暂停提名措施的对象。 (5) 与前项规定暂停指定对象者有资本或人事关系，且无意与国防部签订与其同类物品买卖、制造或承包服务契约者。 （6）目前处于暂停提名状态的人员原则上不允许进行分包。但有关部会暂停提名权机关认定确有不可避免的情况时，不在此限。
利用人工智能（AI）技术提高繁殖率
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高数值孔径 EUV 光学元件开发在亚...方面的进展
来源：https://www.samsung.com/semiconductor/minisite/exynos/products/mobileprocessor/exynos-9825/，https://consumer.huawei.com/en/campaign/kirin-990-series/
二维 GeS2 高平面内各向异性的结构起源的亚埃级表征
摘要：具有层状晶体结构和高平面各向异性的材料（例如黑磷）具有独特的性能，因此有望应用于电子和光子器件。最近，GeS 2 和 GeSe 2 的层状结构因其高平面光学各向异性和宽带隙而被用于短波长区域的高性能偏振敏感光电检测。高度复杂、低对称（单斜）晶体结构是高平面光学各向异性的起源，但相应纳米结构的结构性质仍有待充分了解。在这里，我们展示了单斜 GeS 2 纳米结构的原子级表征，并通过 Cs 校正扫描透射电子显微镜量化了实空间中亚埃级的平面结构各向异性。我们通过密度泛函理论 (DFT) 计算和基于轨道的键合分析，阐明了这种高平面内各向异性的起源，即 GeS 2 单层中 [GeS 4 ] 四面体的有序和无序排列。我们还展示了单层 GeS 2 中的高平面内机械、电子和光学各向异性，并设想了单轴应变下的相变，可能用于非易失性存储器应用。关键词：二硫化锗、复合二维材料、亚埃成像、键合机制、平面内各向异性 T
维斯维斯瓦拉亚科技大学，贝尔高姆
注：BSC：基础科学课程，IPCC：综合专业核心课程，PCC：专业核心课程，INT –实习，HSMC：人文社会科学与管理课程，AEC –能力提升课程。UHV：普世人类价值课程。L – 讲座，T – 辅导，P- 实践/绘图，S – 自学部分，CIE：持续内部评估，SEE：期末考试。TD- 教学部门，PSB：论文设置部门 21KSK37/47 Samskrutika Kannada 适合会说、读和写卡纳达语的学生，21KBK37/47 Balake Kannada 适合不会说、读和写卡纳达语的学生。综合专业核心课程 (IPCC)：指专业理论核心课程与同一课程的实践相结合。IPCC 的学分可以是 04，其教学时间（L：T：P）可以视为（3：0：2）或（2：2：2）。IPCC 的理论部分应由 CIE 和 SEE 评估。实践部分应仅由 CIE 评估（无 SEE）。但是，IPCC 实践部分的问题应包含在 SEE 试卷中。有关更多详细信息，请参阅管理工程/技术学士学位（BE/B.Tech.）的规定2021-22。21INT49 机构间/机构内实习：所有被横向入学类别的工程专业录取的学生必须在 III 和 IV 学期的中间期间参加为期 03 周的强制性 21INT49 机构间/机构内实习。实习只针对 CIE，不会有 SEE。通过 CIE 获得的字母等级应包含在 IV 学期成绩单中。实习应被视为通过，并应考虑垂直晋升和授予学位。未参加/完成实习的学生将被宣布为不及格，并必须在满足实习要求后完成。教师协调员或导师应监控学生的实习进度并与他们互动以确保成功完成实习。
维斯韦斯瓦拉亚科技大学，贝尔高姆。
评估详情（CIE 和 SEE）持续内部评估 (CIE) 的权重为 50%，学期末考试 (SEE) 的权重为 50%。CIE 的最低及格分数为最高分数的 50%。SEE 的最低及格分数为 SEE 最高分数的 40%。如果学生在 CIE（持续内部评估）和 SEE（学期末考试）的总分中获得不低于 50%（满分 100 分，50 分）的成绩，则该学生将被视为已满足学术要求并获得分配给每个科目/课程的学分。 IPCC 理论部分的 CIE 1. 两次考试，每次 20 分 2. 两次作业，每次 10 分/一次技能培养活动，20 分 3. 两次考试和两次作业/一次技能培养活动的总分相加为 CIE 60 分，所得分数将按比例缩减为 30 分。 IPCC 实践部分的 CIE 1. 完成实验室中的每个实验/程序后，学生将接受评估并在同一天获得分数。15 分用于进行实验和准备实验室记录，另外 05 分用于学期末进行的考试。 2. 实践部分授予的 CIE 分数应基于对实验室报告的持续评估。每份实验报告可获 10 分。所有实验报告的分数相加并缩减为 15 分。 3. 实验室测试在完成所有实验后进行，总分为 50 分，并缩减为 05 分。 书面评估和测试的缩减分数将作为 IPCC 实验室部分的 CIE 分数，为 20 分。 IPCC 理论 SEE 将由大学按照预定时间表进行，并附有课程的常见试卷（持续时间为 03 小时）