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航天级、100krad、100V、高侧电流感应电路 (Rev. A)
• PMOS 选择 1. PMOS 的阈值电压 |V th | 的绝对值需要足够小，以便运算放大器能够打开和关闭 PMOS 栅极。 2. PMOS 的零栅极电压漏极电流 (I DSS ) 定义栅极电压等于 V bus 时的漏电流。I DSS 设置较低的 V out 范围。 3. 如果从运算放大器输出 (V o ) 到栅极的线路电阻过大，则 PMOS 栅极电容会影响稳定性。此电容在 1/ ꞵ 曲线中增加了一个零点。如果零点位于 1/ ꞵ 和 Aol 截距点的左侧，相位裕度会减小。因此，最好使用小的栅极电容。 4. 根据军用标准，漏极-源极击穿电压必须是 V bus 的两倍，至少需要 200V 的击穿电压。
IRS21867S 600 V、4 A、高侧和低侧栅极驱动器
描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 600V。
AN1596 VIPower：汽车高侧驱动器
简介 当今的汽车市场要求电子系统的复杂性和可靠性不断提高。为了实现这一目标，汽车系统的概念越来越多地基于微控制器架构，该架构驱动集成单片电路，包括同一芯片上的功率级、控制、驱动和保护电路。垂直智能电源是意法半导体的一项专利技术，成立于 13 年前，采用的制造工艺允许在同一芯片上集成完整的数字和/或模拟控制电路来驱动垂直功率晶体管。用于制造高侧驱动器 (HSD) 的 VIPower M0 技术可生产单片硅片，该硅片将控制和保护电路与标准功率 MOSFET 结构相结合，其中功率级电流垂直流过硅片（见图 1）。