技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱:ttid@sac.isro.gov.in 传真:079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
摘要 — 在 SiC 晶片上设计、制造和测量了不同几何形状的基片集成波导 (SIW),以及基于 SIW 的谐振器、基于 SIW 的滤波器、接地共面波导 (GCPW)、GCPW-SIW 过渡和校准结构。使用两层校准从 GCPW 探测的散射参数中提取固有 SIW 特性。由此产生的 D 波段 (110-170 GHz) SIW 表现出创纪录的低插入损耗 0.22 ± 0.04 dB/mm,比 GCPW 好四倍。3 极滤波器在 135 GHz 时表现出 1.0 dB 的插入损耗和 25 dB 的回波损耗,这代表了 SiC SIW 滤波器的最新水平,并且比 Si 片上滤波器好几个数量级。这些结果显示了 SIW 有望在同一 SiC 芯片上集成 HEMT、滤波器、天线和其他电路元件。关键词 — 腔体谐振器、微波滤波器、毫米波集成电路、半导体波导
这些 L 波段隔离器和循环器专为固态功率放大器 (SSPA) 设计,用于航天器的通信、导航、雷达卫星和卫星有效载荷(GEO/MEO 和 LEO 星座),符合太空标准,在 1.57GHz 频率下可无多路复用至 1000 瓦峰值。Smiths Interconnect 的高功率隔离器和循环器采用固态 TNC 连接器,而隔离器采用内部生产的 50Ohm 终端。在内部,这些设备采用专有的多路复用抑制技术,为 SSPA 设计人员提供当前最小风险的操作,并为未来以更高功率运行提供途径。这些功能结合在一起,为最严苛的太空应用提供了高度紧凑、符合太空标准的解决方案。 L 波段设备是一系列机械变体的示例,这些变体在指定波段内运行,从 1.1 GHz(E5/L5)至 1.59 GHz(E1/L1)GNSS、1.2-1.4GHz EOS 和 2.0-2.3 GHz TT&C 波段。
全基因组关联研究(GWAS)已鉴定出113个影响发生连性脊椎炎(AS)风险的单核苷酸多态性(SNP),并且正在进行的GWAS研究可能会识别100 +新的风险基因座。由于以下挑战,将遗传发现向新型疾病生物学和治疗的翻译很难:(1)在确定与疾病相关SNP调控的因果基因时的困难,(2)(2)在确定相关细胞型的caus型基因的差异方面的困难(2)确定其功能(3),(3)(3)询问因果基因在疾病生物学中的功能作用。本评论将讨论最近的进展和未解决的问题,重点是这些挑战。此外,我们将回顾生物学的研究以及与IL-23/IL-17途径相关的药物的开发,该途径是由AS遗传学部分驱动的,并讨论从这些研究中可以从未来的AS-CYPAID基因的功能和翻译研究中学到的知识。
摘要:我们提出了一个基于INP的光子积分电路(PIC),该电路(PIC)由广泛可调的激光主振荡器组成,该电路供应一系列集成的半导体光放大器,这些放大器是在单模式波导中进行干涉式芯片的。我们展示了稳定且有效的片上相干束组合,并从单片PIC中获得高达240 MW的平均功率,其中30-50 kHz Schawlow-townes线宽,并且在整个延伸的C波段中均具有> 180 MW的平均功率。我们还探索了基于INP的激光和放大器阵列PIC的混合整合,并具有高质量的氮化硅微孔谐振器。,我们根据来自硝基硅微孔子芯片的反馈形成的外部空腔中的外部空腔中的干涉放大器阵列的增益观察激光;这种配置导致Schawlow-townes线宽缩小到约3 kHz,在SIN输出方面的平均功率为37.9 MW。这项工作展示了一种用于高功率,狭窄线宽源的新方法,该方法可以与芯片单模波导平台集成,以用于非线性集成光子学中的潜在应用。
适用于高可靠性应用的高压 GaN HEMT 现提供 15 A 和 30 A 低电流版本 加利福尼亚州米尔皮塔斯 – 2021 年 1 月 6 日 – Teledyne e2v HiRel 正在为其基于 GaN Systems 技术的业界领先的 650 伏高功率产品系列添加两款新型加固型 GaN 功率 HEMT(高电子迁移率晶体管)。两款新型高功率 HEMT TDG650E30B 和 TDG650E15B 分别提供 30 安和 15 安的低电流性能,而去年推出的原始 650 V TDG650E60 可提供 60 A 的电流。这些 650 V GaN HEMT 是市场上可用于要求高可靠性的军事、航空电子和太空应用的最高电压 GaN 功率器件。它们非常适合电源、电机控制和半桥拓扑等应用。它们采用底部冷却配置,具有超低 FOM Island Technology® 芯片、低电感 GaNPX® 封装、>100 MHz 的超高频开关、快速且可控的下降和上升时间、反向电流能力等。Teledyne e2v HiRel 业务开发副总裁 Mont Taylor 表示:“我们很高兴继续为太空等需要最高可靠性的应用推出 650 V 系列高功率 GaN HEMT。我们相信,这些新器件的较小尺寸封装将真正使客户受益于设计最高功率密度项目。”TDG650E15B 和 TDG650E30B 都是增强型硅基 GaN 功率晶体管,可实现大电流、高击穿电压和高开关频率,同时为高功率应用提供非常低的结到外壳热阻。氮化镓器件已经彻底改变了其他行业的电源转换,现在采用耐辐射的塑料封装,经过严格的可靠性和电气测试,以确保关键任务的成功。这些新型 GaN HEMT 的发布为客户提供了关键航空航天和国防电源应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。对于所有产品线,Teledyne e2v HiRel 都会针对最高可靠性应用进行最严格的认证和测试。对于功率器件,此测试包括硫酸测试、高海拔模拟、动态老化、高达 175°C 环境温度的阶跃应力、9 伏栅极电压和全温度测试。与碳化硅 (SiC) 器件不同,这两种器件可以轻松并联实现,以增加负载电流或降低有效 RDSon。这两种新器件现在都可以订购和立即购买。
目的。[1-3]此外,等离子体在包括太空推进和生物医学技术在内的许多领域都起着重要作用。[4-6]阴极管和等离子体的一代需要外部电源设备,但是不幸的是,由于其重量较重,而且体积较大,因此该设备无法便携。因此,高压应用在没有电力供应的太空,战场和偏远地区等严酷的环境中存在严重限制。基于Triboelectrification和静电诱导的工作机制的Triboelectric纳米发育仪(TENGS)[7-11]可以在我们的圆形或人类运动中的机械运动中产生电力,而无需外部电源。[12–16]到目前为止,Teng产生的功率已被用作可植入的医疗设备,发光二极管,液晶显示器,传感器和低功耗电子设备的能源。[11,17–20]考虑到自动高压和便携性,Teng可以被视为高压应用的理想驾驶源。在这项工作中,我们提出了一个基于锯齿的电极的Teng(SE-TENG),该Teng(SE-Teng)基于火花放电来产生超高功率输出,以直接驱动高压操作设备。接触两种不同的摩擦材料,然后
摘要:在本文中,我们介绍了一项有关聚合物衍生的氧气(SIOC) /石墨复合材料的研究,用于潜在用作高功率储能设备中的电极,例如锂离子电容器(LIC)。使用高功率超声辅助溶胶 - 凝胶合成进行了复合材料,然后进行热解。密集的超声处理增强了凝胶化和干燥过程,从而改善了前陶瓷混合物中石墨akes的均匀分布。使用X射线差异,29 si固态NMR和拉曼光谱法表明组件之间未发生反应,使用X射线差异,29 si固态NMR和拉曼光谱对SIOC /石墨复合材料进行了理化研究。与纯组分相比,SIOC /石墨复合材料记录的高电流率(1.86 A g -1)的能力(1.86 a g -1)显示出了增强的能力(高达63%)。此外,向SIOC矩阵添加石墨降低了划界势的值,这是LIC中阳极的理想特征。
摘要 多电动飞机 (MEA) 架构由多个子系统组成,这些子系统都必须符合航空航天应用的既定安全要求。因此,在对不同的解决方案进行分类时,实现可靠性和容错是主要基石。混合动力飞机 (HEA) 扩展了 MEA 概念,将推进动力和辅助动力电气化,从而突破了电气化的极限。本文概述了目前正在争夺飞机电力转换系统的大功率电机系列及其相关的电力电子转换器 (PEC) 接口。还介绍了各种功能和起动发电机 (S/G) 解决方案。为了突出最新的进展,以图形方式表示了在 E-Fan X HEA 项目中开发的世界上最强大的航空航天发电机 (Mark 1) 的效率,并与其他竞争解决方案进行了评估。受效率、功率密度、可靠性以及启动功能的严格要求的驱动,系统级设计的补充考虑至关重要。为了突出 MEA 目标并利用所有潜在优势,必须将所有子系统视为一个整体。然后表明,PEC、飞机电网和电机的组合可以更好地适应整个系统。本调查概述了这些问题的影响,并提供了