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摘要:在航空航天高辐射环境中使用的静态随机记忆(SRAM)细胞已经非常容易受到单事件效应的影响(请参阅)。因此,使用辐射硬化设计(RHBD)概念提出了一个用于软误差恢复的12T SRAM硬化电路(RHB-12T单元)。为了验证RHB-12T的性能,由28 nm CMOS过程模拟了所提出的细胞,并将其与其他硬化的细胞(Quatro-10t,We-Quatro-12t,Rhm-12t,Rhm-12t,Rhd-12t,Rhd-12t和RSP-14T进行比较)。仿真结果表明,RHB-12T单元不仅可以从其敏感节点引起的单事件障碍中恢复,而且还可以从由其存储节点对引起的单事件多节点误击中。所提出的单元格与Quatro-10t /We-Quatro-12t /rsp-14t和1.31×/1.11.11×/1.18×/1.37×更短的写入延迟相比,比We-Quatro-12t sspsssss Spsssssss Spssss Spsssss Spssss Spssss Spssss Spsssss Spssss Spsssss Spsssss Spsssss Spssss Spsssss较短。它还显示出比Quatro-10t /Rhm-12t /Rhd-12t和1.12×/1.04×/1.09×比RHM-12T /RHM-12T /RHD-12T /RSP-14T更高的1.35×/1.11×/1.04×读取稳定性和更高的读取稳定性。所有这些改进都是以稍大的面积和功耗的成本来实现的。
要跟上对较小天线的需求,其性能提高和成本下降,大多数下一代体系结构都要求更高的IC(集成电路)芯片集成。与传统的包装配置相比,高级芯片包装技术(例如2.5D和3D)提供了更大的芯片兼容性和较低的功耗。鉴于这些优点,不可避免地采用先进包装。在高级包装中,铜支柱互连是一个关键的启用技术,也是下一个逻辑步骤。这项技术提供了多种好处,包括改善电气抗性,改善的电导率和导热性,简化的弱化金属化金属化(UBM)以及更高的I/O(输入/输出)密度。铜支柱允许的细球有助于该技术取代焊撞技术,该技术达到了最低的40微米。更精细的音高允许更高的I/O计数,从而提高性能。
量子存储,传输和处理是信息技术的未来。量子硬件的承诺源于纠缠量子系统的固有复杂性 - 波功能尺度的大小与粒子数,无论是在真实空间还是在参数空间中表示。相比之下,经典的n个体系统只能由6个N变量(所有粒子的位置和动量)完全表示。量子系统的这种复杂性通过经典计算(维度的诅咒)创建量量子系统的尚未解决的挑战。的确,尽管我们可以轻松地为任何相互作用的核和电子系统编写schrödinger方程,但我们只能在非常小的系统上精确地在古典计算机上求解它。量子技术渴望将这种诅咒变成一种祝福。波功能的指数复杂性表明,它原则上可能代表了指数的严重问题。因此,可以使用量子硬件存储和操纵信息来解决在经典计算机上无法解决的问题。
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜(PDM),其高分辨率,低CTE和低剩余应力,用于下一代高密度重新分布层(RDL),2.5D Interposer,以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL,光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时,我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。,我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处,可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化,这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程(SAP)和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹,并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力,它通过了温度周期测试(1,000个周期),其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论,新开发的PDM是一种有前途的介电材料,用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序,用于高度可靠的高密度重新分布层(RDL)。
摘要我们使用 36 年(1980-2015 年)美国本土(CONUS)的每小时天气数据来评估低成本能源存储对仅使用可变可再生能源(VRE;风能和太阳能光伏)的高可靠性电力系统的影响。即使假设 CONUS 上聚集的风能和太阳能发电完美传输,能源存储成本也需要从完全 VRE 电力系统中的当前成本(至 1 美元/千瓦时)降低数百倍,才能在不大量削减 VRE 发电的情况下产生高度可靠的电力。能源存储的作用从高成本存储与削减竞争以填补 VRE 发电和每小时需求之间的短期差距转变为几乎免费的存储,作为 VRE 资源的季节性存储。能源存储在 VRE/存储系统中面临“双重惩罚”:随着容量的增加,(1)额外存储的使用频率降低,(2)每小时电力成本的波动性会降低,从而减少额外存储的价格套利机会。
我们的高可靠性产品能够满足最苛刻的应用规范,符合相关的 CeCC、eN、eSCC 或 MIL 规范。例如,我们的高可靠性电感器符合 MIL-t-27e、MIL-C-15305e 和 MIL-C-39010d 规范。我们的高可靠性电阻元件符合 eSCC 4001/022、MIL-PRF-39007、MIL-PRF-39009、MIL-PRF-39017、MIL-PRF 55182、MIL-PRF-55342、MIL-PRF-83401 和许多其他高可靠性规范。我们的高可靠性电容器符合 MIL-PRF-39003、MIL-PRF-39006、MIL-PRF-55365、MIL-PRF-123 和 MIL-PRF-55681 标准。
随着我们进入云计算时代,服务器平台不仅必须提供高可靠性和高可用性,而且还必须提供虚拟化作为实现信息和通信技术 (ICT) 资源的有效使用和高效运营的基础技术。2005 年,富士通运用其在多年大型机开发中积累的专业知识和经验,开发了基于开放 IA 技术和 Linux/Windows 操作系统的任务关键型英特尔架构 (IA) 服务器 PRIMEQUEST 系列服务器。该系列被应用于各种社会基础设施系统,有助于开拓开放任务关键型系统的市场。现在,为了进一步发展该系列,富士通开发了 PRIMEQUEST 1000 系列服务器,该系列服务器在继承现有 PRIMEQUEST 系列的功能的同时,增强了虚拟化支持、提供长期支持并加强了绿色 ICT 支持。自 2010 年 3 月以来,该公司一直在营销这个新系列。本文介绍了 PRIMEQUEST 1000 系列的目标和特点以及相关技术。
•无基质钥匙孔•全半球覆盖范围•无电缆包裹•两个相同的驱动链•简单且低维护•高可靠性•高可靠性•低功耗•较低的生产成本•运营的灵活性 - leo/meo/heo/heo/geo•我们已经使用了经过证明的,现有的机械想法
高可靠性恒温器 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ...