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HNF1B和糖尿病 成人高品质血症的管理 - 2023年10月 UKKA关于的脆弱儿童和成人护理指南 tolvaptan for ADPKD（更新）
HNF1B糖尿病是1型糖尿病吗？导致不同的 - 通过免疫系统（1型糖尿病）治疗使胰岛素产生细胞的失败（HNF1B单基因）v破坏主要相同：胰岛素注射，泵，闭环。与1型相比，胰腺（在早期阶段）将获得更多的帮助，但通常比1型胰岛素需要更多的胰岛素，因为HNF1B引起的“胰岛素抵抗”。很少有人听说过HNF1B，因此最好将其称为“一种类型的1型糖尿病”！
六方氮化硼超表面实现全可见光谱高品质纳米光子学
振幅[3,4]光散射的方向性[5,6]自旋[7,8]和轨道角动量[9,10]，而不受金属基方法固有材料损耗的限制。特别是，由近场增强驱动的应用，如生物分子传感，依赖于高共振品质因数（Q）（定义为共振波长除以线宽），因此需要高的电磁近场强度来实现最大样本灵敏度。[11,12]从米氏理论等中得知，共振品质因数和共振器折射率[13]之间的固有相关性，因此推动了基于高折射率材料体系（如硅[14,15]锗[16,17]或磷化镓）的全电介质纳米光子学的发展。 [18,19] 尽管这些材料在近红外 (NIR) 和红外 (IR) 光谱区域具有出色的高 Q 共振特性，但由于它们的带隙能量处于中间水平，因此在整个可见光谱范围内都伴随着较高的材料固有带间吸收损耗。由于这些基本的材料限制，在整个可见光谱范围内都缺乏无损高折射率材料。[20–23] 特别是，对于可见波长范围，存在大带隙和无损材料的竞争
高品质严重联合免疫缺陷 (SCID) 大鼠生物资源
免疫缺陷动物是外源组织植入的宝贵模型，广泛应用于人源化动物模型的建立、再生医学和肿瘤学等诸多领域。与小鼠相比，实验室大鼠体型较大，更容易接受各种组织器官的移植。考虑到缺乏优质的免疫缺陷大鼠资源，我们利用 CRISPR/Cas9 基因组编辑系统，单独或联合敲除 F344/Jcl 大鼠的白细胞介素 2 受体γ 链基因 ( Il2rg )，以创建研究人员可以自由使用的优质生物资源：重症联合免疫缺陷 (SCID) 大鼠。选取Il2rg（5-bp del）和Rag2（[1-bp del+2-bp ins]/[7-bp del+2-bp ins]）同时发生移码突变的创始大鼠1只，进行交配，建立免疫缺陷大鼠系。Il2rg单敲除（sKO）和Il2rg/Rag2双敲除（dKO）大鼠均存在严重的胸腺发育不全，初步证实了免疫缺陷表型。外周血血细胞计数评估显示，sKO和dKO大鼠白细胞计数明显降低，红细胞计数不受影响。白细胞计数的减少主要是由于淋巴细胞的减少所致。此外，通过流式细胞术分析淋巴细胞群表明，在两只基因敲除大鼠中，B 细胞 (CD3 - CD45 + ) 和自然杀伤细胞 (CD3 - CD161 + ) 的数量均显著减少。相反，T 细胞显著减少，但在 sKO 和 dKO 大鼠之间结果略有不同。值得注意的是，我们的免疫缺陷大鼠没有表现出生长迟缓或配子发生缺陷。这种高质量的 SCID 大鼠资源现在由日本国家生物资源项目管理。我们的 SCID 大鼠模型已用于各个研究领域，证明了其作为生物资源的重要性。
采用嵌套互补开口环谐振器实现高品质因数
摘要 ─ 提出了一种基于平面结构的嵌套互补开口环谐振器 (CSRR)。这项工作的主要目的是获得更高的品质因数 (Q 因子)，同时将复介电常数的误差检测降至最低。传感器在 3.37GHz 谐振频率下工作，并通过 ANSYS HFSS 软件进行仿真。随后，在传感器上放置了多个被测材料 (MUT)，制造并测试了设计的传感器。结果实现了 464 的高空载 Q 因子。理论、模拟和测量的误差检测参数结果具有很好的一致性，低于 13.2% 的实部介电常数和 2.3% 的损耗角正切。所提出的传感器在食品工业、生物传感和制药工业应用中非常有用。
采用高品质因数变压器电感器的 65-81 GHz CMOS 双模 VCO
摘要 — 本文介绍了一种宽调谐范围双模毫米波 (mm-wave) 压控振荡器 (VCO)，该振荡器采用了基于高品质因数 (Q) 变压器的可变电感器。通过构建高 Q 固定电容器变压器负载与无损开关结构串联，提出了一种具有两个不同值的高 Q 开关电感器，该无损开关结构不会像通过改变电容器上的信号模式那样给 LC 谐振回路增加任何损耗。通过为每种模式选择合适的中心频率和足够的频率重叠，可以设计宽频率调谐范围 (FTR) 毫米波 VCO。它提供了几乎两倍的调谐范围，同时保持相位噪声 (PN) 与使用两个独立电感器设计的双模 VCO 几乎相同。该 VCO 采用 65 nm CMOS 工艺制造，在 64.88 至 81.6 GHz 范围内测得的 FTR 为 22.8%。测量的 10 MHz 偏移处的峰值 PN 为 -114.63 dBc/Hz，最佳 FOM 和 FOM T 的最大和最小对应值分别为 -173.9 至 -181.84 dB 和 -181.07 至 -189 dB。VCO 核心在 1 V 电源下消耗 10.2 mA 电流，占用面积为 0.146 × 0.205 mm 2 。