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chiplet使用互连层与高密度混合底物的异质整合
摘要在这项研究中，研究了用于chiplets的高密度有机杂交底物异质整合。重点放在与互连层的杂种底物的设计，材料，过程，制造和表征上。进行了非线性有限元分析，以显示填充有互连层导电糊的VIA处的应力状态。关键词chiplets，异源整合，杂交底物，互连层，扇出面板级芯片last I.对2.1D IC积分的简介，具有细金属线宽度（L）和间距（S）的薄膜层（无芯底物）在堆积包装基板的顶层上制造，并成为混合基板[1-5]。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物很难控制，并且可能非常大。为2.3D IC积分，精细的金属L/S底物（或插头）和堆积包底物是分别制造的[6-15]。之后，细金属L/S底物和堆积封装基板通过焊接接头互连为混合基板，并通过底漆增强。在这种情况下，杂交底物的屈服损失，尤其是精细的金属L/S无烷基底物更易于控制和较小。在这项研究中，精细的金属L/S底物和堆积封装基板或高密度互连（HDI）也被单独制造，然后通过互连层组合。这与2.3d IC集成非常相似，除了焊接接头和底部填充，被取消，这些焊接被互连层取代。互连层约为60μm，由填充有导电糊的预处理和VIA（底部为100μm直径为100μm，直径为80μm），并且处于β级。精细的金属L/S无烷基基材（37μm厚度）是由PID（可令人刺激的介电），LDI（激光直接成像）和PVD（物理蒸气沉积），Photoresist和LDI，LDI，LDI，
使用 Neuropixels 探针进行高密度单元人类皮质记录
动作电位是神经计算的基本单位。尽管在动物模型中记录大量单个神经元方面已经取得了重大进展，但由于临床限制和电极可靠性，这些方法在人类身上的转化受到限制。在这里，我们介绍了一种可靠的方法，使用 Neuropixels 探针在人类术中记录数十个神经元，可同时记录多达 100 个单个单元。大多数单个单元在到达目标深度后 1 分钟内处于活动状态。电极阵列的运动与产量呈很强的负相关性，这表明进一步提高探针效用面临着重大挑战和机遇。在大多数记录中，时间上活动相近的细胞对在空间上也更接近，展示了解决复杂皮质动态的能力。总之，这种方法可以访问人类新皮质深度上的群体单个单元活动，而这种规模以前只能在动物模型中访问。
使用高密度微电极阵列对脑器官进行功能成像
研究已提供证据表明，人类脑类器官 (hCO) 重现了早期大脑发育的基本里程碑，但关于其功能和电生理特性的许多重要问题仍然存在。高密度微电极阵列 (HD-MEA) 是一种有吸引力的分析平台，可用于在细胞和网络规模上进行神经元网络的功能研究。在这里，我们使用 HD-MEA 从切片 hCO 中获取大规模电生理记录。我们记录了几周内 hCO 切片的活动，并从药理学角度探究观察到的神经元动态。此外，我们还展示了如何对获得的记录进行尖峰分类并随后进行跨尺度研究的结果。例如，我们展示了如何在 HD-MEA 上跟踪几天内的单个神经元以及如何推断轴突动作电位速度。我们还从 hCO 记录中推断出假定的功能连接。引入的方法将有助于更好地理解脑类器官中正在发育的神经元网络，并为它们的功能表征提供新方法。
用于高密度、精确定位神经生理学的细胞级硅探针
Egert D、Pettibone JR、Lemke S、Patel PR、Caldwell CM、Cai D、Ganguly K、Chestek CA、Berke JD。用于高密度、精确定位神经生理学的细胞级硅探针。J Neurophysiol 124：1578–1587，2020 年。首次发表于 2020 年 9 月 23 日；doi：10。1152/jn.00352.2020。—带有大量电极的神经植入物已成为检查大脑功能的重要工具。然而，与它们记录的神经元相比，这些设备通常会取代很大的颅内容积。这种大尺寸限制了植入物的密度，引发组织反应，从而降低慢性性能，并妨碍了准确可视化完整电路内记录位置的能力。我们在此报告了下一代细胞级硅基神经探针（横截面积为 5 10 毫米），具有超高密度填充（柄间最小 66 毫米），每个探针有 64 或 256 个紧密分布的记录点。我们表明，这些探针可以插入浅层或深层脑结构，并在自由活动的大鼠中连续数周记录大量尖峰。最后，我们展示了一种切片就位方法，用于精确记录相对于附近神经元和解剖特征（包括纹状体 m -阿片受体贴片）的记录点。这种可扩展的技术为检查神经回路内的信息处理以及潜在的人脑机接口提供了一种有价值的工具。
表征和优化高密度等离子体蚀刻过程的高级记忆应用程序
许多人以不同的方式为我作为博士学位的经验做出了贡献。首先，我要感谢CMP的所有人。首先，非常感谢我的论文导演AgnèsRoussy多年来。感谢您不断的支持，尤其是在困难时期。，也感谢您每天都在您的办公室里支持我...幸福！我还要感谢当时CMP主任StéphaneDauzère-Pérès，因为我有机会在他的实验室中进行论文。我要特别感谢Jakey的所有帮助以及我一直学到很多东西的所有有趣的讨论（即使我们不一定人同意！）。和种族，感谢所有的SFL人！…为了休息，为了进行研讨会，分享美妙的食堂……与您和属于这个小组的博士学位真是太好了！
通过溶液处理提高碳电极的容量以实现高密度储能
摘要：通过 1,8-二氨基萘衍生物的电化学反应对平面碳电极进行廉价的溶液相改性，通过形成 15 - 22 纳米厚的有机薄膜，使容量增加了 120 至 700 倍。用相同方法改性高表面积碳电极可使容量增加 12 至 82 倍。改性层含有 9 - 15% 的氮，以 - NH - 氧化还原中心的形式存在，从而产生较大的法拉第分量，每个电子对应一个 H + 离子。在 0.1 MH 2 SO 4 中长时间循环后，电极没有容量损失，并且电荷密度明显高于基于石墨烯和聚苯胺的类似报道电极。对沉积条件的研究表明，N 掺杂的低聚物带是由重氮离子还原和二氨基萘氧化形成的，而 1,8 异构体对于大容量增加至关重要。容量增加至少有三个原因：带形成引起的微观表面积增加、含氮氧化还原中心的法拉第反应以及极化子形成导致的带电导率变化。开发了一种水相制造工艺，既提高了容量，又提高了稳定性，并且适合工业生产。二氨基萘衍生薄膜的高电荷密度、低成本制造和 <25 纳米厚度应该对平面和高表面积碳电极的实际应用具有吸引力。关键词：超级电容器、可再生能源、重氮还原、法拉第储能、导电聚合物/碳复合材料、N 掺杂碳材料
大脑电生理记录的高密度碳纤维阵列组装机
图3.1：（a）带有设备和辅助基板的CFE并行化机制以及（b）CF孔排列算法：孔作为模板的图像，自动检测到孔位置（蓝绿色）和标记的CF位置（黄色）位置（黄色），并在对齐之前，以及在移动substrates substrates [39,51]之前与孔保持一致。............................................................................................ 26
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
朝着水凝胶中的DNA高效加载，以进行高密度和长期信息存储
数字信息转换为DNA序列时，提供致密，稳定，能效和可持续数据存储。封装DNA的最稳定方法是在二氧化硅，氧化铁或两者兼而有之的无机基质中，但受到低DNA吸收和复杂恢复技术的限制。这项研究研究了一种合理设计的热响应功能分级（TRFG）水凝胶作为存储DNA的简单且具有成本效益的方法。TRFG水凝胶显示出高的DNA吸收，长期保护以及由于非破坏性DNA提取而引起的可重复性。高负载能力是通过直接从溶液中吸收DNA来实现的，该溶液与该溶液的相互作用是由于其与超支线的阳离子聚合物的相互作用而保留的，该聚合物将其加载到带负电荷的水凝胶基质中用作支持，并且由于其热过程性质，因此可以通过多个溶胀/溶解层内的多层溶解凝胶中的DNA浓度。使用基于水凝胶的系统，我们能够实现每克7.0×10 9 GB的高DNA数据密度。
具有超小照相和高可靠性的高密度RDL的新型光敏电介质材料
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜（PDM），其高分辨率，低CTE和低剩余应力，用于下一代高密度重新分布层（RDL），2.5D Interposer，以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL，光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时，我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。，我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处，可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化，这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程（SAP）和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹，并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力，它通过了温度周期测试（1,000个周期），其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论，新开发的PDM是一种有前途的介电材料，用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序，用于高度可靠的高密度重新分布层（RDL）。