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World File Search System高密度
使用长期植入的 128 通道无源硅探针对猕猴进行高密度电生理记录
图 4：电极插入后的早期示例记录。（A）平均（N = 149 次试验）闪光诱发的 LFP 反应的层状分布。轨迹根据接触点的排列（与 C 比较）从左到右、从上到下排序。（B）从 126 个位置记录的神经元 RF 中心的位置。较暗的点表示多个重叠的 RF 中心。（C）在探针的 126 个功能触点处采样的神经元的 RF。RF 图的方向与接触顺序相对应（参见图 2(B)）。底行面向探针的尖端。参考触点记录了足够的 MUA 信号来计算 RF 图（右上角，以黑框突出显示）。
源探测器阵列拓扑的高密度漫射光学地形性能评估
作为功能接口的光学神经成像系统的最新进展增强了我们对大脑神经活动的理解。高密度漫射光学地形（HD-DOT）使用多距离重叠通道来提高图像的空间分辨率，可与功能性磁共振成像（fMRI）相媲美。源和探测器（SD）阵列的拓扑结构直接影响 HD-DOT 成像模态中血流动力学重建的质量。在本文中，通过展示基于分析方法的模拟设置，研究了不同 SD 配置对脑血流动力学恢复质量的影响。鉴于 SD 排列决定了雅可比矩阵的元素，我们得出结论，该矩阵中的各个组件越多，检索质量就越好。结果表明，多距离多方向（MDMD）排列在雅可比阵列中产生更多独特元素。因此，逆问题可以准确地检索漫射光学地形数据的大脑活动。
高密度适配器应用中 C(OSS) 磁滞损耗的影响
如今，人们对设备的依赖程度比以往任何时候都高。随着智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备的便携性，它们占据了我们日常生活中越来越多的空间和时间。由于可以无缝、即时地访问全球其他人和内容，因此持续、无限和无边界的通信、连接和任务已成为一种生活标准。但这对功率半导体行业有何影响？这些便携式设备依靠电池供电，因此，使用它们的基本前提是拥有充电器或适配器（取决于额定功率）来为它们充电。这就是功率微电子发挥作用的地方。在确定需要充电器/适配器来为我们的（智能）设备的电池充电之后，下一个问题是：我们愿意花多少时间充电？答案很明显：尽可能少。这正是快速充电越来越受欢迎的原因。但只有通过增加充电器/适配器的功率传输能力才能实现快速充电。除了充电时间，充电器的重量也是一个重要的考虑因素（越轻越好，因为我们通常必须随身携带）。这就是为什么需要功率密度更高的充电器/适配器的原因，它们可以在不增加物理尺寸或重量的情况下提供更多功率。
通过溶液处理提高碳电极的容量以实现高密度储能
摘要：通过 1,8-二氨基萘衍生物的电化学反应对平面碳电极进行廉价的溶液相改性，通过形成 15 - 22 纳米厚的有机薄膜，使容量增加了 120 至 700 倍。用相同方法改性高表面积碳电极可使容量增加 12 至 82 倍。改性层含有 9 - 15% 的氮，以 - NH - 氧化还原中心的形式存在，从而产生较大的法拉第分量，每个电子对应一个 H + 离子。在 0.1 MH 2 SO 4 中长时间循环后，电极没有容量损失，并且电荷密度明显高于基于石墨烯和聚苯胺的类似报道电极。对沉积条件的研究表明，N 掺杂的低聚物带是由重氮离子还原和二氨基萘氧化形成的，而 1,8 异构体对于大容量增加至关重要。容量增加至少有三个原因：带形成引起的微观表面积增加、含氮氧化还原中心的法拉第反应以及极化子形成导致的带电导率变化。开发了一种水相制造工艺，既提高了容量，又提高了稳定性，并且适合工业生产。二氨基萘衍生薄膜的高电荷密度、低成本制造和 <25 纳米厚度应该对平面和高表面积碳电极的实际应用具有吸引力。关键词：超级电容器、可再生能源、重氮还原、法拉第储能、导电聚合物/碳复合材料、N 掺杂碳材料
1 高密度脂蛋白通路作为治疗靶点...
此预印本的版权所有者于 2020 年 3 月 6 日发布此版本。；https://doi.org/10.1101/2020.03.02.19010173 doi: medRxiv preprint
磁活性高密度等离子体中的简并
简并致密等离子体因其在现代技术和天体物理学中的重要应用而备受关注。这种等离子体在过去十年中引起了人们的极大兴趣，因为它们在半导体、金属、微电子、碳纳米管、量子点和量子阱等许多物理学领域都具有重要意义。此外，简并等离子体在聚变燃烧波的点火和传播方面表现出非常有趣的特征。在本文中，我们研究了静磁场对致密等离子体中电子能态和简并度的影响。利用微扰理论，考虑了两种情况，即强磁化电子和弱磁化电子。强磁场不会完全消除简并度，但可以降低简并度。扰动能量特征值 Δ 퐸 被计算得非常准确。此外，无论扰动态是否简并，能量 Δ 퐸 都是通过考虑轨道和自旋耦合 푊 푠 = ℵ( 푟) 㨀→ 퐿⋅ 㨀→ 푆 关于本征函数 Ψ 푛, 푙, 푚, 푚 푠 的平均值而给出的。其中㨀→ 퐿 是角动量矢量，㨀→ 푆 是电子的自旋矢量，ℵ( 푟) 是等离子体中自旋轨道耦合的能量，这在研究等离子体电子的能态和简并性时起着至关重要的作用。
尽管有典型的感觉处理，胱氨酸病患者的听觉感觉记忆仍受损_对错配负性 (MMN) 的高密度电映射研究
胱氨酸病是一种罕见遗传性疾病，其特征是胱氨酸积聚和结晶，可导致肾脏、甲状腺、眼睛和大脑等多种组织和器官严重受损。虽然胱氨酸病对大脑功能的影响与其对其他器官的影响相比相对较轻，但该人群的寿命增加以及因此对社会做出生产性贡献的潜力导致人们对其对大脑功能的影响越来越感兴趣。尽管如此，尽管存在一些结构性大脑差异的证据，但这种突变对神经的影响仍未得到很好的描述。在这里，我们使用被动持续时间异常范式（具有不同的刺激开始异步性 (SOA)，代表对记忆的不同需求水平）和高密度电生理学，在一组 22 名被诊断患有胱氨酸病的儿童和青少年（年龄范围：6-17 岁）和神经典型年龄匹配的对照组（N = 24）中测试了基本听觉处理。我们检查了 N1 和不匹配负波 (MMN) 在各组之间是否存在显著差异，以及这些神经测量值是否与言语和非言语智商相关。被诊断患有胱氨酸病的个体表现出与年龄匹配的同龄人相似的 N1 反应，表明该人群的基本听觉处理是典型的。然而，尽管两组对最短（450 毫秒）SOA 表现出相似的 MMN 反应，表明变化检测和感觉记忆完好无损，但诊断为胱氨酸病的个体对较长（900 毫秒和 1800 毫秒）SOA 的反应明显减少。这可能表明在诊断为胱氨酸病的儿童和青少年中，听觉感觉记忆痕迹持续时间缩短，因此感觉记忆受损。未来需要研究感觉和工作记忆的其他方面，以了解此处描述的差异的根本基础及其对高阶处理的影响。
航天高密度PCB技术评估...
摘要 高密度互连 (HDI) 印刷电路板 (PCB) 和相关组件对于使太空项目受益于现代集成电路（如现场可编程门阵列 (FPGA)、数字信号处理器 (DSP) 和应用处理器）日益增加的复杂性和功能至关重要。对功能的需求不断增加，意味着更高的信号速度和越来越多的 I/O。为了限制整体封装尺寸，组件的接触垫间距会减小。大量 I/O 与减小的间距相结合对 PCB 提出了额外的要求，需要使用激光钻孔微孔、高纵横比核心通孔以及小轨道宽度和间距。虽然相关的先进制造工艺已广泛应用于商业、汽车、医疗和军事应用；但将这些能力的进步与太空的可靠性要求相协调仍然是一个挑战。
高密度安全存储器 DDR3 SDRAM
4GB 512M x 64 W3J512M64X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XPB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 64 W3J512M64X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 512M x 72 W3J512M72X-XLB2X 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 23 毫米 x 32 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 64 W3J512M64X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 4GB 高清 512M x 72 W3J512M72X(T)-XHDX 800-1600 K=1.35，G=1.5 399 PBGA 14 毫米 x 21.5 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 64 W3J1G64X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M 8GB 8GB x 72 W3J1G72X-XPBX 800-1600 K=1.35，G=1.5 543 PBGA 24 毫米 x 32 毫米 C、I、M
具有超小照相和高可靠性的高密度RDL的新型光敏电介质材料
摘要本文提出了新开发的先进的超薄光敏电介电膜（PDM），其高分辨率，低CTE和低剩余应力，用于下一代高密度重新分布层（RDL），2.5D Interposer，以及高密度的风扇输出包装应用程序。对于高密度RDL，光敏电介质材料需要具有低CTE才能达到高包装可靠性。材料的CTE为30-35ppm /k。在保持低CTE时，我们成功地证明了5UM厚度中3UM的最小微型视野直径。PDM的固化温度为180 0 C x 60分钟。比目前在行业中使用的大多数高级介电材料低。低温固化过程会导致低压力。，我们通过4英寸晶圆的经经测量测量结果计算了固化的PDM中的残余应力。作为PDM材料在固化过程中的另一个好处，可以将PDM固化在空气烤箱中。大多数先进的照片介电材料都需要在N2烤箱中固化，这是由于防止材料氧化的。我们通过使用半添加过程（SAP）和溅射的Ti/Cu种子层展示了2UM线的铜痕迹，并在PDM上间隔。由于由于低温固化而引起的低CTE和低残余应力，它通过了温度周期测试（1,000个周期），其雏菊链结构在结构中具有400个VIA。可以得出结论，新开发的PDM是一种有前途的介电材料，用于2.5D interposers和Fan-Out Wafer级级别的应用程序，用于高度可靠的高密度重新分布层（RDL）。