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World File Search System高性能的
明智的杂种掺杂会产生高性能的深蓝色/近紫外的多滋养热激活的延迟荧光OLED
提出了两个多弹性热激活的延迟荧光（MR-TADF）发射器，并显示了如何进一步的深蓝色MR-TADF Emitter（didobna-n）的blueShifts，blueshifts，并缩小产生新的近乎UV的MR-TADDF EMitter，MESB-DIDOBNA-N，MESB-DIDOBNA，MESB-DIDOBNA-N。didobna-n发出明亮的蓝光（𝚽 pl = 444 nm，fwhm = 64 nm，𝚽 pl = 81％，𝝉 d = 23 ms，tspo1中的1.5 wt％）。基于此扭曲的MR-TADF化合物的深蓝色有机发光二极管（OLED）显示，CIE Y的设备为0.073的设备的最大最大外部量子效率（EQE MAX）为15.3％。融合的平面MR-TADF发射极，MESB-DIDOBNA-N显示出近量的较小和窄带（𝝀 pl = 402 nm，fWHM = 19 nm，𝚽 pl = 74.7％，𝝉 d = 133 ms，TSPO1中的1.5 wt％）。掺有共同主持人的MESB-DIDOBNA-N最好的OLED显示出近紫外OLED的最高效率为16.2％。以0.049的CIE坐标为0.049，该设备还显示了迄今为止MR-TADF OLED的最蓝EL。
开发一个高性能的无钴3V电池电池。 ...
（a）半细胞中Xno-Anode材料的第一个形式周期，表明可逆能力为215 mahg -1和98.5％的第一周期效率。（b）半细胞中XNO-ANODE材料的脱二率测试，在10 C时表明能力保留率为95％（vs 0.5 c），在20 C时表明70％。在硬币细胞中进行了测试，电极复合负载为1.4 mAhcm -2。（c）半细胞中LNMO-CATHODE材料的第一型循环，表明137 MAHG -1的可逆能力和95％的第一周期效率。（d）半细胞中的LNMO-cathode材料的晶状率测试，显示在10C时的容量保留率（vs 0.5C）。在25°C的硬币细胞中进行了测试，电极复合负荷为1.1 MAHCM -2。1。[高压LI 1.0 Ni 0.5 Mn 1.5 O 4的表征以及尖晶石，晶格大小和4 V容量中的Ni含量之间的对应关系。https://www.topsoe.com/industries/batteries]。https://www.topsoe.com/industries/batteries]。
高性能的底层纤维电离和压电纳米生成剂
1马德里材料科学研究所（ICMM）。 janon14 @@ ucm.s（J.G.）; hamorin@icmm.sic.s（H.A.）。材料，葡萄牙大街大学； vanovmaximem@ua.p.p）; pcferreira@ua。）; Paula* B.W.智能系统组。
基于高性能的有前景的储能系统...
摘要：本文在研究镍镉电池电极中氢积累的基础上，提出了一种高容量储氢系统（HSS）。实验证明，氢气在镍镉电池运行过程中会在电极中大量积累。研究表明，氢气以金属氢化物的形式积聚在烧结氧化物镍电极的金属陶瓷基体中。镍基体的重量容量为 20.3 wt%，体积容量为 406 kg m −3 。所获得的金属陶瓷基体重量容量几乎超过了美国能源部（DOE）制定的车载储氢系统标准的四倍，也超过了此前任何可逆氢积累材料的结果。此外，在我们之前的论文中，我们已证明，如果我们使用热失控来从金属氢化物中解吸氢，那么美国能源部制定的动力学和热力学标准可能会被大大超越。因此，在拟议的 HSS 框架内，使用氢积累的电化学方法和热失控过程，不仅可以实现美国能源部为 HSS 制定的所有标准，而且可以大大超越这些标准。
高性能的动力预拉薄膜 - 9层膜结构。
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通过还原的石墨烯氧化物块实现高性能的Zn-Ion电池
应用物理系，香港理工大学，洪霍姆，香港，中国公关。*通讯作者。电子邮件地址：biao.ap.zhang@polyu.edu.hk（biao zhang）
高性能的腔体增强量子记忆与温暖的原子细胞电针抑制海马神经元细胞凋亡，并通过调节JNK信号来改善血管性痴呆小鼠的认知功能障碍
细胞质底物。激活的JNK的一部分留在细胞质中，并直接调节Bcl-2家族成员的活性（BIM，BAX，BCL-2等）通过磷酸化，从而介导线粒体途径中的凋亡（Bogoyevitch Ma等2006; Carboni S等。 2005; Tournier C等。 2000; Perier C等。 2007）。 此过程不依赖新基因的表达。 Bcl-2家族是JNK转录独立途径的主要调节剂。 它分为三类：凋亡蛋白，例如Bak和Bax；抗凋亡蛋白，例如Bcl-2和Bcl-XL，以及BH3-，例如BIM和BID。 仅蛋白质。 在其中，Bax是线粒体途径的主要介体（Bogoyevitch Ma等人。 2006; Perier C等。 2007）。 激活的Bax易位到外部线粒体2006; Carboni S等。2005; Tournier C等。 2000; Perier C等。 2007）。 此过程不依赖新基因的表达。 Bcl-2家族是JNK转录独立途径的主要调节剂。 它分为三类：凋亡蛋白，例如Bak和Bax；抗凋亡蛋白，例如Bcl-2和Bcl-XL，以及BH3-，例如BIM和BID。 仅蛋白质。 在其中，Bax是线粒体途径的主要介体（Bogoyevitch Ma等人。 2006; Perier C等。 2007）。 激活的Bax易位到外部线粒体2005; Tournier C等。2000; Perier C等。2007）。 此过程不依赖新基因的表达。 Bcl-2家族是JNK转录独立途径的主要调节剂。 它分为三类：凋亡蛋白，例如Bak和Bax；抗凋亡蛋白，例如Bcl-2和Bcl-XL，以及BH3-，例如BIM和BID。 仅蛋白质。 在其中，Bax是线粒体途径的主要介体（Bogoyevitch Ma等人。 2006; Perier C等。 2007）。 激活的Bax易位到外部线粒体2007）。此过程不依赖新基因的表达。Bcl-2家族是JNK转录独立途径的主要调节剂。它分为三类：凋亡蛋白，例如Bak和Bax；抗凋亡蛋白，例如Bcl-2和Bcl-XL，以及BH3-，例如BIM和BID。仅蛋白质。 在其中，Bax是线粒体途径的主要介体（Bogoyevitch Ma等人。 2006; Perier C等。 2007）。 激活的Bax易位到外部线粒体仅蛋白质。在其中，Bax是线粒体途径的主要介体（Bogoyevitch Ma等人。2006; Perier C等。 2007）。 激活的Bax易位到外部线粒体2006; Perier C等。2007）。 激活的Bax易位到外部线粒体2007）。激活的Bax易位到外部线粒体
高性能的语音神经假期
1 Ping Che ping.che@corteva.com 2 Emily Wu emily.wu@corteva.com 3 Marissa K. Simon marissa.simon@corteva.com 4 Ajith Anand ajith.anand@corteva.com 5 Keith Lowe keithslowe@gmail.com 6 Huirong Gao huirong.gao@corteva.com 7 Amy L. Sigmund amy.sigmund@corteva.com 8 meizhu yang meizhu.yang@corteva.com 9 Marc C. Albertsen marc.albertsen@corteva.com 10 William Gordon-kamm william.gordon.gordon.gordon-kamm@corteva comcortem@corteva.cortem@corteva.comcorm@corteva com
一步生产N – O – P – S共掺杂的多孔碳，用于高性能的超级电容器
基于碳的超级电容器的能量存储能力取决于电解质离子的吸附或电极和电解质界面上可逆的氧化还原反应的吸附。碳材料中的大量微孔（直径少于2 nm）被认为对于通过提供丰富的可访问的表面积和活性位点而对增加能量密度至关重要。然而，电解质离子不能有效地转运到微孔中的内部孔中，从而导致电极材料的下功率性能。通常认为，中孔（2 - 50 nm），尤其是狭窄的中孔可以提供短的电子和离子传输途径，从而增强了微孔的利用率。13,14此外，大孔（> 50 nm）还可以作为快速的储层，以存储更多的电解质离子。因此，具有丰富合适微孔的孔结构的合理设计，碳材料的宏观和中孔具有很大的显着性cance cance cance cans cans cans and cants and cants cans的能力和速率能力。将杂原子引入碳网络是获得出色电化学
具有高性能的单芯片双向神经接口...
摘要 — 单芯片双向脑机接口 (BBCI) 通过同时进行神经记录和刺激来实现神经调节。本文介绍了一种原型 BBCI 专用集成电路 (ASIC)，该集成电路由 64 通道时分复用记录前端、面积优化的四通道高压兼容刺激器和支持同时进行多通道刺激伪影消除的电子设备组成。刺激器电源集成在芯片上，通过谐振电荷泵从低压电源提供 ± 11 V 的顺从电压。高频 (∼ 3 GHz) 自谐振时钟用于减少泵送电容器面积，同时抑制相关的开关损耗。基于 32 抽头最小均方 (LMS) 的数字自适应滤波器可实现 60 dB 的伪影抑制，从而实现同时进行神经刺激和记录。整个芯片采用 65 纳米低功耗 (LP) 工艺，占地 4 平方毫米，由 2.5/1.2 V 电源供电，记录时功耗为 205 µ W，刺激和消除后端功耗为 142 µ W。刺激输出驱动器在最大输出功率为 24 mW 时可实现 31% 的直流-直流效率。