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供应链高膨胀柱填料 | 汉高
高膨胀支柱填料可减少包装体积并大幅减少运输过程中的二氧化碳排放量。汉高的高膨胀支柱填料在未固化状态下高效地包装在托盘桶中，使用后膨胀率超过 500%，通过减少补给汽车生产厂所需的往返次数，可大幅减少运输过程中的二氧化碳排放量。它还可减少运输人工费用、设备成本和一次性包装浪费。在装配线上，机器人应用可将挡板的手动定位人工减少多达 15%。* 与尼龙挡板相比，可泵送支柱填料的固化重量也可提供汽车轻量化优势。相比之下，注塑尼龙挡板在一次性包装中以 100% 的成品形式运输，最终运往垃圾填埋场。除了节约环境成本外，使用可泵送支柱填料还有显著的好处，包括减少补给行程、降低运输燃料消耗和增加每辆卡车的产量。*基于可泵送支柱填料替代尼龙挡板的总百分比、汽车生产线和劳动力分配。
GF-1 DNA/RNA 提取试剂盒(小量试剂盒)
GF-1 DNA/RNA 提取试剂盒适用于提取和纯化各式不同样品的 DNA/RNA 。 GF-1 试剂盒最主要的 GF-1 硅胶膜离 心柱能在高盐缓冲液的裂解帮助下有效地离心吸附 DNA/RNA 。硅胶膜离心柱法以及洗涤缓冲液可去除残余蛋 白质和各种杂质，让吸附在离心柱的 DNA/RNA 更进一步地被纯化。最后通过洗脱液把 DNA/RNA 洗脱下来。提 取的 DNA/RNA 可用在各种不同的后续实验。
高阳科技（中国）有限公司
鉴于2023年国内市场利率持续偏低，穗信云链把握机遇，加强与各大金融机构的紧密合作，以更高效率、更低利率为中小企业提供信贷支持。集团不仅全面支持新一代票据及供应链票据受理，还加强银行承兑汇票受理，与近10家银行合作。随着穗信云链服务受理能力的进一步提升，2023年交易规模突破百亿元，较去年同比增长131%。其中票据业务同比增长185%，带动金融科技服务板块经营利润达4,300万港元，同比增长190%。
高导电性PVDF/MWCNTs-AgNWs@MXene双层三维网络的 ...
Sample SE T /dB SE R /dB SE A /dB SE A /SE R /% SSE t /(dB·(cm −2 ·g) −1 ) M3-MX-0 5.0 0.9 4.0 4.3 87.6 M3-MX-5 6.8 1.5 5.3 3.5 147.5 M3-MX-10 7.2 1.7 5.5 3.2 171.0 M3-MX-15 7.0 1.7 5.3 3.0一直m3-ag@mx-15 69.0 10.3 58.7 5.7 2 356.6 m3-ag@mx-20 68.2 10.3 57.8 5.6 2 719.8 m3-ag@mx-25 67.9 10.0 57.0 57.9 5.8 2 439.4 2 439.4
高压下二元富氢超导体的实验研究进展
lah 10（T C = 250 K），Drozdov和Al。（2019）LAH 10（T C = 260 K），Somayazalu和Al。（2019）YH 9（T C = 243 K），Kong和Al。（2019）YH 6（T C = 224 K），Troyan和Al。（2019）CAH 6（T C = 215 K），但等。（2021）CAH 6（T C = 210 K），Li和Al。（2022）SH 3（T C = 203 K），Drozdov和Al。（2015）THH 10（T C = 161 K），Semenoch和Al。（2019）CEH 10（T C = 115 K），Chen和Al。（2021）CEH 9（T C = 100K），Chen和Al。（2021）YH 4（T C = 88 K），Shao和Al。（2021）BAH 12（T C = 20 K），Chhen和Al。（2021）SNH X（T C = 70K），Hong和Al。（2022）
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]