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World File Search System高灵敏度
高灵敏度硅基 VIS/NIR 光电探测器
1. A. Loudon、P. Hiskett、G. Buller、R. Carline、D. Herbert、WY Leong 和 J. Rarity，选择。莱特。 ，27，219 (2002)。 2. Z. Lo、R. Jiang、Y. Zheng、L. Zang、Z. Chen、S. Zhu、X. Cheng 和 X. Liu，Appl.物理。莱特。 ，77，1548 (2000)。 3. M. Elkurdi、R. Boucaud、S. Sauvage、O. Kermarrec、Y. Campidelli、D. Bensahel、G. Saint-Girons 和 I. Sagnes，Appl。物理。莱特。 ，80，509 (2002)。 4. C. Wu、CH Crouch、L. Zhao、JE Carey、R. Younkin、JA Levinson、E. Mazur、RM Farrell、P. Gothoskar 和 A. Karger，Appl.物理。莱特。 ，78，1850（2001）。 5. R. Younkin、JE Carey、E. Mazur、JA Levinson 和 CM Friend，J. Appl.物理。 ，93，2626 (2003)。 6. CH Crouch、JE Carey、M. Shen、E. Mazur 和 FY Genin 提交给 Appl。物理。答： 7. M. Ghioni，A. Lacaita，G. Ripamonti 和 S. Cova，IEEE J. Quantum Electronics，28，2678（1992 年）。
DNA高灵敏度测定快速指南LabChip®GX...
1使用梯子作为TE缓冲液样品确定与DNA片段有关的所有规格。使用Covaris剪切对照基因组DNA（人类雄性）在TE缓冲液中确定与DNA涂片有关的所有规格。剪切时间为30或240。2分辨率定义为两个峰的一半高度或更好的分离。实际分离性能取决于样本和应用。峰值小于一半高度的峰仍然可以通过系统软件准确地识别。
高灵敏度DNA试剂盒2100生物分析仪系统
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DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器
8.1 应用信息 ................................................................ 13 8.2 典型应用 .............................................................. 13 8.3 要做什么和不要做什么 .............................................. 16 9 电源建议 .............................................................. 17 10 布局 .............................................................................. 17 10.1 布局指南 .............................................................. 17 10.2 布局示例 .............................................................. 17 11 器件和文档支持 ...................................................... 18 11.1 文档支持 ............................................................. 18 11.2 接收文档更新通知 18 11.3 社区资源 ............................................................. 18 11.4 商标.................................................................... 18 11.5 静电放电警告 ............................................................. 18 11.6 术语表 .................................................................... 18 12 机械、封装和可订购信息 .......................................................................... 18
亚毫米分辨率 PET 用于高灵敏度小鼠脑成像
PET 是一种强大的分子成像技术，可以提供活体物体的功能信息。然而，PET 成像的空间分辨率一直限制在 1 毫米左右，这使得难以详细可视化小鼠的大脑功能。在此，我们报告了一种我们开发的超高分辨率小动物 PET 扫描仪，它可以提供接近 0.6 毫米的分辨率，以前所未有的细节可视化小鼠的大脑功能。方法：超高分辨率小动物 PET 扫描仪内径为 52.5 毫米，轴向覆盖范围为 51.5 毫米。扫描仪由 4 个环组成，每个环有 16 个相互作用深度探测器。每个相互作用深度探测器由 3 层交错的镥钇正硅酸盐晶体阵列（间距为 1 毫米）和 4 3 4 硅光电倍增管阵列组成。物理性能根据美国国家电气制造商协会 NU4 协议进行评估。使用不同分辨率的模型评估空间分辨率。对小鼠大脑进行体内葡萄糖代谢成像。结果：峰值绝对灵敏度为 2.84%，能量窗口为 400 – 600 keV。使用迭代算法解析分辨率模型的 0.55 毫米杆结构。使用 18 F-FDG 进行小鼠体内脑成像可以清晰识别皮层、丘脑和下丘脑，而我们用于比较的商业临床前 PET 扫描仪几乎无法区分这些区域。结论：超高分辨率小动物 PET 扫描仪是一种有前途的分子成像工具，可用于使用啮齿动物模型进行神经科学研究。
DRV5015 低压、高灵敏度、数字锁存霍尔效应传感器数据表 (Rev. A)
DRV5015 是一款磁性传感器，具有数字输出，可锁存最近测量的极点。上电期间，如果没有外部磁场，DRV5015A1 和 DRV5015A2 默认为低输出状态，而 DRV5015A3 默认为高输出状态。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A1 和 DRV5015A2 输出驱动为低，而北磁极会导致此输出驱动为高。在封装顶部附近施加南磁极会导致 DRV5015A3 输出驱动为高，而北磁极会导致此输出驱动为低。没有磁场会导致输出继续驱动当前状态，无论是低还是高。
通过固态去湿法生长的硅纳米晶体高灵敏度 MIS 结构
图 3：(a) 和 (b) 通过对 1 nm 和 2 nm 厚的 a-Si 进行去湿处理获得的 Si NC 的 SEM 图像，显示 NC 的尺寸均匀；(c) 从 1 nm 厚的 a-Si 获得的单个 NC 的 TEM 横截面图像。插图中给出了图像的 FFT 和 NC 的缩放。
摘要：热发光剂量计（TLDS）由于其出色的特性，例如高灵敏度，SM
摘要：热发光剂量计（TLD）由于其出色的特性，例如高灵敏度，小尺寸和测量低剂量的辐射剂量，因此广泛用于辐射剂量测定法。本综述着重于TLD材料的结构特性及其制备，应用和适应性。评论涵盖了各种类型的TLD材料，晶体结构和特性，包括能量响应和褪色特征。详细讨论了用于制备TLD材料的不同方法，例如固态合成，溶胶 - 凝胶合成和溶液生长方法。审查还包括对TLD的各种应用，包括医疗，环境和工业辐射剂量法的详细讨论。审查了有关TLD的广泛信息，并且可以使用天然和人工TL信号来完成对人类和其他目的利用率的TL剂量测定潜力的明显影响，例如矿物质，石油和天然气资源调查。有关TL测量过程需求和对复合TL剂量测定潜力显着影响的TL特征的信息。最后，审查结束了结论，以强调TLD材料对不同剂量测定应用的适应性及其将来的潜在用途。doi：https：//dx.doi.org/10.4314/jasem.v28i4.13 Open Access策略：Jasem发表的所有文章都是Open-Access文章，可以免费下载，复制，复制，重新分发，重新分发，重新分发，翻译，翻译和阅读。版权策略：©2024。（2024）。J. Appl。SCI。SCI。作者保留了版权和授予JASEM的首次出版物的权利，同时在创意共享署名4.0 International（CC-By-4.0）许可下获得许可。，只要引用了原始文章，就可以在未经许可的情况下重复使用本文的任何部分。将本文列为：Efenji，G。I; Iskandar，S。M； Yusof，N。N; Rabba，J。a; Mustapha，O。I; Fadhirul，I。M； Umar，S。A; Kamgba，F。A; Ushie，P。O； Munirah，J； Thair，H。K; Nabasu，S。E； Hayder，S。NOke，A O.热发光剂量材料，制备，应用和适应性的结构特性：系统评价。环境。管理。28（4）1129- 1150日期：收到：2024年1月22日；修订：2024年2月29日；接受：2024年3月23日发布：2024年4月29日关键字：剂量计；荷兰物理学家Nicolas Steno在1663年首次观察到辐射，热发光，热发光应用，他们注意到
高灵敏度栅/体连接MOSFET型光电探测器的光电流特性
本文介绍了 408 nm – 941 nm 范围内高灵敏度栅/体连接 (GBT) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 型光电探测器的光电流特性。高灵敏度对于光电探测器非常重要，它用于多种科学和工业应用。由于其固有的放大特性，GBT MOSFET 型光电探测器表现出高灵敏度。所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器是通过标准 0.18 µm 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺设计和制造的，并分析了其特性。分析了光电探测器的宽长比 (W/L)、偏置电压和入射光波长。实验证实，所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器在 408 nm – 941 nm 范围内的灵敏度比相同面积的 PN 结光电二极管高 100 倍以上。