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World File Search System高电平
2 线串行温度传感器 - Microchip Technology
TCN75A 产品带有用户可编程寄存器，可为温度传感应用提供灵活性。寄存器设置允许用户选择 9 位至 12 位温度测量分辨率、配置省电关断和单次（关断时按命令进行单次转换）模式以及指定温度警报输出和滞后限值。当温度变化超出指定限值时，TCN75A 会输出警报信号。用户可以选择将警报输出信号极性设置为恒温器操作的低电平有效或高电平有效比较器输出，或设置为基于微处理器的系统的温度事件中断输出。
用于保护的低功率电压和电流传感器...
如图 1 所示，继电器系统首先将输入信号降低到较低水平。此步骤或过程源于这些设备需要使用与其机电和静态前身相同的输入信号电平。鉴于基于微处理器的继电器技术迅速被接受，我们现在可以研究其输出信号电平与新继电器直接兼容的仪表传感器。稍后我们将展示，移除高电平信号输出可获得显著的性能和应用优势。接下来让我们研究导致新低功率输出技术发展的仪表传感器的发展。
TACAN 宣传册 - Doorway Projects, Inc.
方位 RS485 串行数字格式同时为两个站提供 TACAN 方位，正弦/余弦交流电，7.9 伏峰值*，100 毫安峰值低电平 CDI 输出（根据 ARINC 547）：航向 ......................................每 10 度偏差 .150 Mv ................ ± 10 度满量程，最高 5 个 1,000 欧姆负载标志输出 ............................ 根据 ARINC 547 和 ARINC 579 低级 ..............0.5 VDC，最大 1 Ma，最多 4 个 1,000 Ohm 负载高电平 ............................... 28 VDC，最大 250 Ma 至/从输出 .....。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.最多三个 200 欧姆负载
低功耗机电除冰系统设计
提供有效的保护，但需要大量的电力或维护。此外，在更多电动飞机的背景下，依赖热力发动机的系统可能会过时，从而为新的电气系统开辟道路。机电除霜系统最近已被证明在能源消耗和车载质量方面具有相关性，这解释了本文继续开发该系统的工作。本论文重点研究基于新型执行器结构或架构的谐振机电除霜系统的设计。所研究的谐振机电除霜系统基于压电执行器。由交流电供电，压电陶瓷通过以给定频率激励结构来振动。当它对应于结构的固有频率之一时，由于共振现象，振动幅度会增加，产生高电平
ADS8515 - 德州仪器
ADS8515 以二进制补码数据输出格式输出完整或字节读取并行数据。当 R/C（引脚 24）为高电平且 CS（引脚 25）为低电平时，并行输出有效。CS 和 R/C 的任何其他组合都会使并行输出 3 态。可以在引脚 6 至 13 和引脚 15 至 22 上以完整并行、16 位字或两个 8 位字节的形式读取有效转换数据。可以切换 BYTE（引脚 23）以在一个转换周期内读取两个字节。有关理想输出代码，请参阅表 2，有关相对于 BYTE 状态的位位置，请参阅图 20。
用于漏电保护的弹性对称 8T SRAM 单元...
一、SRAM 静态随机存取存储器 (SRAM) 是一种静态存储单元，它使用触发器来存储每位数据。它广泛应用于各种电子系统。SRAM 存储器中的数据不需要定期刷新。与其他存储单元相比，它速度更快，功耗更低。正因为如此，SRAM 是 VLSI 设计师中最受欢迎的存储单元。 SRAM 操作 传统的 6T SRAM 单元由两个背靠背连接的反相器组成。第一个反相器的输出连接到第二个反相器的输入，反之亦然。基本上，SRAM 执行三种操作，即保持、读取和写入操作。 保持操作：在待机操作或保持操作中，字线 (WL) 处于关闭状态。连接到字线和 B 和 BLB 线的存取晶体管也处于关闭状态。为了使 SRAM 以读取或写入模式运行，字线应始终处于高电平。 写入操作：存储数据的过程称为写入操作。它用于上传 SRAM 单元中的内容。写入操作从分配要写入 Bit 的值及其在 Bit' 的互补值开始。为了写入“1”，Bit 预充电高电压，并将互补值“0”分配给 Bit'。当通过将 WL 置为“高”将 M5 和 M6 设置为 ON 状态时，在 Bit 处分配的值将作为数据存储在锁存器中。M5 和 M6 MOS 晶体管设计得比单元 Ml、M2、M3 和 M4 中相对较弱的晶体管强得多，因此它们能够覆盖交叉耦合反相器的先前状态。读取操作：恢复数据的过程称为读取操作。它用于获取内容。读取操作首先将字线“WL”置为高电平，这样在将位线和位线预充电至逻辑 1 后，访问晶体管 M5 和 M6 均将启用。第二步是将存储在数据和数据线中的值传输到位线，方法是将位保留为其预充电值，并通过 M4 和 M6 将位线放电至逻辑 0。
CMOS 数字隔离器取代工业光耦合器...
CMOS 数字隔离器的基本操作类似于光耦合器，只是使用 RF 载波代替光（图 1b）。CMOS 数字隔离器由两个相同的半导体芯片组成，它们在标准 IC 封装内连接在一起，形成由差分电容隔离屏障隔开的 RF 发射器和接收器。数据使用简单的开关键控 (OOK) 从输入传输到输出。当 VIN 为高电平时，发射器生成 RF 载波，该载波通过隔离屏障传播到接收器。当检测到足够的带内载波能量时，接收器在 VOUT 上断言逻辑 1。当 VIN 为低电平时，发射器被禁用，并且不存在载波。因此，接收器未检测到带内载波能量并将 VOUT 驱动为低电平。
AN67 - 线性技术杂志电路集，第 III 卷
如时序图 (图 2) 所示，MUX 通道选择和 A/D 转换采用流水线方式，以最大程度地提高转换器的吞吐量。转换过程从选择所需的多路复用器通道对开始。将逻辑高电平应用于 LTC1390 的 CS 输入，通道对数据在 5MHz 时钟信号的上升沿上被时钟输入到每个数据 1 输入中。然后将芯片选择 MUX 拉低，锁存通道对选择数据。然后将选定 MUX 输入上的信号应用于 LTC1410 的差分输入。在 LTC1410 的转换启动输入 CONVST 被拉低之前 700ns，芯片选择 MUX 被拉低。这对应于 LTC1390 的 MUX 开关完全打开所需的最大时间。这可确保在 LTC1410 的 S/H 捕获其样本之前，输入信号已完全稳定。
NSPGD1系列一体化压力传感器
NSPGD1 系列是经过校准的表压传感器，它结合了最先进的 MEMS 传感器技术和 CMOS 混合信号处理技术，在带管端口的双列直插式封装 (DIP) 中生产出放大、完全调节、多阶压力和温度补偿传感器。NSPGD1 系列压力传感器适用于家用电器以及小型厨房和浴室家用电器。将压力传感器与信号调节 ASIC 结合在一个封装中，简化了高级硅微机械压力传感器的使用。压力传感器可以直接安装到标准印刷电路板上，并且可以从数字接口或模拟/频率输出获取放大的、高电平的、经过校准的压力信号。这消除了对额外电路的需求，例如补偿网络或包含自定义校正算法的微控制器。NSPGD1 系列设计用于 -10kPa ~ 10kPa 表压范围，非常适合洗衣机和洗碗机等家用电子产品。主要特点
SHT1x / SHT7x
2.2.2 串行数据 (DATA) DATA 三态引脚用于将数据传入和传出设备。DATA 在下降沿后发生变化，并在串行时钟 SCK 的上升沿有效。在传输过程中，DATA 线必须在 SCK 为高电平时保持稳定。为避免信号争用，微控制器应仅将 DATA 驱动为低电平。需要外部上拉电阻 (例如 10 kΩ) 将信号拉高。(见图 2) 上拉电阻通常包含在微控制器的 I/O 电路中。有关详细的 IO 特性，请参阅表 5。(1) 每个 SHTxx 都经过测试，完全符合 25 °C (77 °F) 和 48 °C (118.4 °F) 下的 RH 精度规格 (2) 默认测量分辨率 14 位 (温度) 和 12 位 (湿度) 可以通过状态寄存器降低到 12 位和 8 位。