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Semi-active vibro-acoustic control of vehicle transmission systems using a metal rubber-based isolator.Appl.Acoust., 2024 , 217, 109861.6 唐征海 , 郭宝春 , 张立群 , 贾德民 .石墨烯 / 橡胶纳米复合材料 .高分子学报 , 2014 , (7), 865 - 877.7 Xia, S.; Chen, Y.; Tian, J.; Shi, J.; Geng, C.; Zou, H.; Liang, M.; Li, Z.Superior low-temperature reversible adhesion based on bio-inspired microfibrillar adhesives fabricated by phenyl containing polydimethylsiloxane elastomers.Adv.Funct.Mater., 2021 , 31(26), 2101143.8 Zhu, Q.; Wang, Z.; Zeng, H.; Yang, T.; Wang, X.Effects of graphene on various properties and applications of silicone rubber and silicone resin.Compos.Part A: Appl.Sci.制造。,2021,142,106240。9刘z。 Shi,J。; Zhao,n。; Li,Z。通过环状三磷酸磷酸基碱催化的环环(CO)聚合物化,高分子量的高分子量聚二乙基硅氧烷和随机聚二甲基氧烷-Co-二甲基硅氧烷)共硅氧烷。欧洲。polym。J.,2022,173,111280。10什叶,J。; Liu,Z。; Zhao,n。; Liu,s。; Li,Z。由三挥手有组织酶催化为明确定义的聚(二甲基硅氧烷)S催化的己二甲基甲硅氧烷的己二甲硅氧烷的控制环的聚合。大分子,2022,55(7),2844-2853。11 Rius-Bartra,J.M。; Ferrer-Serrano,n。; Agulló,n。; Borrós,S。高抗性有机硅橡胶减少了杨的模量。 介电硅橡胶的工业选择。 J. 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Appl。 polym。 SCI。14 Shen,d。; Yuan,L。; Liang,G。; Gu,A。; Guan,Q.热耐药的光链接阻尼聚聚(氧化苯基) - 氟硅橡胶膜具有宽且高效的阻尼温度。J. Appl。polym。SCI。SCI。,2019,136(12),47231。15 Wang,Y。; Cao,R。; Wang,M。;刘x。 Zhao,X。; lu,y。;冯,a。; Zhang,L。通过阴离子共聚和随后的环氧化的苯基硅橡胶设计和合成苯基硅橡胶。 聚合物,2020,186,122077。 16 Zhu,L。; Zhao,s。;张,c。 Cheng,X。; Hao,J。; Shao,X。; Zhou,C。链结构对苯基硅橡胶阻尼特性和局部动力学的影响:实验和分子模拟的见解。 polym。 测试。 ,2021,93,106885。 17 Cui,H。; Jing,q。; Li,d。; Zhuang,t。;高,y。 ran,X。 研究由硼端多硅氧烷修饰的有机硅橡胶的高温阻尼特性的研究。 J. Appl。 polym。 SCI。 ,2023,140(1),E53262。 18 ma,X。; Luo,c。; Zeng,H。;彭,Y。; Zhao,L。; Zhang,F。聚二氨基硅氧烷对具有双网络结构的有机硅橡胶泡沫的机械性能的影响。 polym。 eng。 SCI。 ,2024,10.1002/pen.26663。 19张,c。; Pal,K。; BYEON,J.U。; Han,S.M。; Kim,J。K.关于硅橡胶/ EPDM阻尼材料的机械和热性能的研究。 J. 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摘要:硅像素传感器上的防护环结构有益于提高传感器的高压承受性能。为了评估防护圈结构对硅像素传感器的保护效果,模拟和分析了三种防护环结构。通过技术计算机辅助设计进行了三个防护环结构的两个维度建模,并使用软件内置的电气模型模拟了三个防护圈结构的I -V特性。当前收集环的存在可以使像素可以承受高压,并且不等的防护戒指,不同的空间后卫环,内部和外部等距的Al悬架,并且多个防护戒指结构有益于进一步增加传感器的击穿电压。关键词:PIN二极管silicon Pixel Sensor;防护戒指;耐用高压;技术计算机辅助DEGSIN OCIS代码:280.4750 ;230。0040 ;230.5160
鉴于2023年国内市场利率持续偏低,穗信云链把握机遇,加强与各大金融机构的紧密合作,以更高效率、更低利率为中小企业提供信贷支持。集团不仅全面支持新一代票据及供应链票据受理,还加强银行承兑汇票受理,与近10家银行合作。随着穗信云链服务受理能力的进一步提升,2023年交易规模突破百亿元,较去年同比增长131%。其中票据业务同比增长185%,带动金融科技服务板块经营利润达4,300万港元,同比增长190%。
光脉冲成型是超快光学,射频光子和量子通信的强大技术。现有系统依赖于带有平面波导段的批量光学元件或集成平台进行空间分散,但它们在实现填充器(少量或sub-GHz)频谱控制方面面临限制。这些方法需要相当大的空间,或者在组装以实现实现分辨率的情况下,从预测的相误差和光损失中进行了措施。解决这些挑战时,我们使用具有内联相位控制和高光谱分辨率的微波炉过滤器库提出了铸造式六通道硅光子塑造器。利用现有的基于梳子的光谱技术,我们设计了一个新型系统来减轻热串扰并实现我们的芯片上塑形器的使用。我们的结果表明,在3、4和5 GHz的可调通道间距上,塑形器能够在六个梳子线上相同的能力。特别是在3 GHz通道间距下,我们展示了时间域中的任意波形的产生。这种可扩展的设计和控制方案有望满足未来对高精度光谱塑形功能的需求。
在 DRAM 器件中制造电荷存储电容器时,高纵横比 (AR) 沟槽对于实现大电容值必不可少。高 AR 沟槽的蚀刻会受到固有 RIE 滞后机制的影响,这是由于深沟槽底部的离子能量和蚀刻物质数量减少所致。本文提出了两种方法来尽量减少这些问题,从而实现更高的硅蚀刻速率和更深的沟槽。本文所述工作中使用的气体混合物为 HBr + NF 3 + O 2 。沟槽蚀刻工艺的设计目的是在蚀刻沟槽时在侧壁上连续沉积一层薄钝化膜。这种氧化物状钝化膜 (SiO x F y Cl z ) 可防止沟槽侧壁在 XY 平面表面被蚀刻时被蚀刻。在蚀刻过程中平衡形成钝化膜对于在高纵横比沟槽蚀刻中实现高度各向异性至关重要。尽管钝化膜形成于包括蚀刻前沿在内的所有表面上,但沟槽底部的膜却不断被入射到该表面上的高能离子去除。然而,侧壁上的膜不受离子轰击(除了那些以掠射角接收离子且能量 > 阈值能量的区域),因此不会被蚀刻,从而防止硅的横向蚀刻。该过程还提高了掩模选择性,因为钝化膜也沉积在掩模表面上,从而降低了其有效蚀刻速率。据悉,蚀刻工艺内置有沉积组件,可在沟槽表面形成氧化物状钝化膜。由于沟槽开口附近的壁暴露在高浓度反应物等离子体中的时间最长,因此此处的沉积物较厚(> 25 nm),并随着深度逐渐变薄至 < 5 nm。沟槽下部沉积物较薄的另一个原因是,从倾斜掩模偏转的一些离子以掠射角到达该区域并使薄膜变薄。顶部沉积物较厚的直接后果是开口收缩,从而减小了这一临界尺寸,这反过来又通过减少进入沟槽孔的离子和中性粒子的数量而增加了 RIE 滞后。因此,可实现的深度减小,电池电容也减小了。显然,通过减薄衬里定期扩大该开口将允许更多蚀刻物质进入沟槽,底部的立体角增加,从而实现更高的硅蚀刻速率。虽然减薄可以在单独的系统中完成,但我们建议在本文中现场执行此步骤。需要定制此原位等离子清洗工艺,以便在此步骤中不会显著蚀刻掩模。这很关键,因为减薄工艺按要求,等离子体中几乎没有或完全没有沉积成分。我们已成功使用硅烷(例如 SiH 4 )和含 F 气体(例如 NF 3 )的混合物以及少量或完全没有氧气来进行此减薄步骤。另一种方法涉及去除钝化层
Sample SE T /dB SE R /dB SE A /dB SE A /SE R /% SSE t /(dB·(cm −2 ·g) −1 ) M3-MX-0 5.0 0.9 4.0 4.3 87.6 M3-MX-5 6.8 1.5 5.3 3.5 147.5 M3-MX-10 7.2 1.7 5.5 3.2 171.0 M3-MX-15 7.0 1.7 5.3 3.0一直m3-ag@mx-15 69.0 10.3 58.7 5.7 2 356.6 m3-ag@mx-20 68.2 10.3 57.8 5.6 2 719.8 m3-ag@mx-25 67.9 10.0 57.0 57.9 5.8 2 439.4 2 439.4
[25] Shi K W,Yow K Y,LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议(EPTC),2014年12月3日至5日,2014年12月3日,新加坡。纽约:IEEE出版社,2015:752-759。