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高压下二元富氢超导体的实验研究进展
lah 10（T C = 250 K），Drozdov和Al。（2019）LAH 10（T C = 260 K），Somayazalu和Al。（2019）YH 9（T C = 243 K），Kong和Al。（2019）YH 6（T C = 224 K），Troyan和Al。（2019）CAH 6（T C = 215 K），但等。（2021）CAH 6（T C = 210 K），Li和Al。（2022）SH 3（T C = 203 K），Drozdov和Al。（2015）THH 10（T C = 161 K），Semenoch和Al。（2019）CEH 10（T C = 115 K），Chen和Al。（2021）CEH 9（T C = 100K），Chen和Al。（2021）YH 4（T C = 88 K），Shao和Al。（2021）BAH 12（T C = 20 K），Chhen和Al。（2021）SNH X（T C = 70K），Hong和Al。（2022）
香港中文大学医院心血管精准医疗门诊
由于来自遗传或基因组评估的信息是复杂的，并且随着时间的流逝而变化，因此经常在接受测试之前和之后咨询临床遗传学家。遗传咨询将帮助患有遗传疾病的患者或家庭了解测试的需求，局限性和收益，以及家庭内发生的疾病，风险和频率的性质，模式和性质，以及在家庭计划中做出明智决定的预防手段。心脏病专家可以进行其他检查以评估病情，安排检查以确认诊断以制定最佳治疗计划。
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
从灵活性平衡视角的高比例可再生能源电力系统形态演化分析
摘要：电力系统中长期愿景及其形态演化分析是引领电力行业发展的重要先导性研究，尤其在我国提出2060年实现温室气体净零排放的新目标下，如何加快发展可再生能源成为新的关注点。本文尝试从灵活性平衡的视角探究含高比例可再生能源的未来电力系统形态演化指标。在回顾国际上关于未来电力系统发展愿景相关文献的基础上，总结了未来电网的特征及其驱动力的变化，并提出了一种全局敏感性分析方法。考虑到影响演化路径的多重不确定性因素，抽取大样本模拟电力系统演化，并以西北电网为例，分析了我国高比例可再生能源的演化路径。
高性能金属3D打印机的应用
来源：https://www.aeroreport.de/en/artikel/ werkstoffentwicklung-fuer-die-luftfahrt 航空部件应用示例
Silicon N-Channel MOSFET
WSDY06A1Y2N 产品是单节锂离子 / 锂聚合物可充 电电池组保护的高集成度解决方案。 WSDY06A1Y2N 包括了先进的功率 MOSFET ，高精 度的电压检测电路和延时电路。 WSDY06A1Y2N 具有非常小的 SOT-23-5L 封装， 这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的 可充电电池组应用。 WSDY06A1Y2N 具有过充、过放、过流、短路等所 有电池需要的保护功能，并且工作时功耗非常低。 WSDY06A1Y2N 不仅仅为穿戴设备而设计，也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供 电的各种信息产品的应用场合。
