XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System高纯锗
纯存储flasharray // C20
©2024 Pure Storage，Pure Storage P徽标，常绿，Flasharray，Flasharray // C，FlashArray // X，FlashArray // XL，Pure1，Safemode，SafeMode和纯存储商标中的标记列表中的商标或纯存储公司的注册商标。可以在purestorage.com/trademarks找到商标列表。其他名称可能是其各自所有者的商标。
单片集成在锗上的量子级联激光器
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
坚固耐用的锗探测器系统和解决方案
各种尺寸的电冷却 HPGe 探测器，配有经认证可用于水下应用（燃料储存池或河流/湖泊/海洋）的特殊耐压外壳。即使使用包括 MCA 和装有 Genie 软件的 PC 在内的完整系统，也可以处理不同的深度。
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。
利用分子束外延自生长的六方锗...
图 1：(a) GaAs 核（蓝色）- Ge 壳（红色）NW 示意图，具有受控晶相：纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB)，具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品，以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间（b）29 分钟（c）35 分钟和六方 Ge 生长期间（d）3 分钟（e）10 分钟，沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像（二次电子对比度）显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1 m。
中间的单片锗-Tin基座波导...
摘要：锗键（GESN）是CMOS兼容的组IV材料。它的生长受到SN隔离的趋势和GESN层中缺陷的产生的困扰，当它在晶格不匹配的底物上生长时。到目前为止，据报道，在近中音红外光源和光电探测器的直接波段间隙中使用了薄的GESN。在这种交流中，我们报告了高质量的单晶GESN（〜1μm），其压缩应力（-0.3％）和Si基板上的GE缓冲液对GE缓冲液的低缺陷（-0.3％）的生长。然后将生长的GESN制成1.25μm宽度的基座波导。估计的传播损失为1.81 dB/ cm，弯曲损失为0.19 dB/弯曲，测量为3.74μm。在没有GE-O吸收峰在820和550 cm-1处，在最佳制造和测量条件下，提出的GESN波导可能支持超过25μm的波长的光传播。
领先的氦气纯业务
未经本公司事先书面批准，不得以任何目的复制、重新分发或直接或间接向任何其他人传播本演示文稿，或全部或部分地将其出版。本演示文稿中包含的材料仅供参考。本演示文稿并非本公司证券的认购或购买要约或邀请，或有关建议，本演示文稿及其所载内容均不构成任何合同或承诺的基础。向澳大利亚人提供任何本公司证券均受澳大利亚证券法的约束。在澳大利亚以外的司法管辖区分发本文件可能受到法律限制，持有本文件的人士应了解并遵守所有此类限制。本投资者演示文稿并非在美国出售证券的要约。本公司证券未根据经修订的 1933 年美国证券法（“美国证券法”）注册，未经美国证券法注册或获得注册豁免，不得在美国提供或出售。该等证券并未在美国进行公开发售，且本文所含信息不构成在美国出售证券的要约。
“促进可再生能源（纯）项目”
纯项目是在不列颠群岛最北端岛的乌恩斯特（Unst）岛上的开创性项目。图1从英国的角度说明了Unst的岛屿。纯项目展示了如何合并风能和氢技术，以提供偏远农村工业庄园的能源需求。它是由UNST Partnership Ltd.开发的，该公司由UNST社区委员会建立，以支持当地的经济发展和再生。UNST合作伙伴关系认为该项目有助于满足社区的一些主要需求。在将基础奠定在胚胎氢经济的UNST中，纯项目创造了就业机会，新的商机，并吸引了新的技术技能。
纯和工业化学手册24.pdf
该部门的简短历史是化学系（初始名称）于1976年创建的，当时科学学院是根据联邦政府建立了七（7）所新第二代大学的政策 - 卡诺（Kano）包含的。该部门于1977年2月在B. J. Sulter-Duke教授的主管下开始，并于1980/81年毕业了15（15）名学生。两（2）个学生获得了头等荣誉学位。三（3）名学生获得了二等高级荣誉，八（8）个学生的下班级别是下层级的下班级，而两（2）名学生获得了三等荣誉学位。该部门在员工的力量和发展，学生入学和设施方面继续增长。到1984/85年，就教师而言，该部门被视为该国最好的人物之一，这是因为21个（21）个讲师在总共22（22）中具有博士学位。该部门于2004/05年创立B.Sc.工业化学计划，后来在2008年更名为Pure和Industrial Chemistrial Chemisty系，因为它既均在B.Sc.化学和B.Sc.工业化学。部门开始了学士学位在2021/22会议期间的法医科学计划，目前，该计划的学生已经进入了第三年。