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b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
新型 VNA 技术可实现高达 220 GHz 的毫米波宽带测试白皮书
人们对有线和无线通信速度、汽车雷达分辨率和网络基础设施带宽的需求正在推动无线通信向更高数据速率和更高频率发展。随着这些工作频率和数据速率增加到每秒数百千兆位和数十至数百千兆赫，生成、处理、传输和接收这些信号的设备尺寸正在缩小，甚至完整的无线系统都建立在单个 IC 上。此外，随着系统级封装 (SiP)、片上系统 (SoC) 和三维集成电路 (3D IC) 技术的发展，这些 IC 的复杂性也在增加，以适应更高的数据速率、传输速度、内存和处理能力，以满足这些最新应用的性能要求 [1,2,3]。
UniGear ZS1 - 高达 24 kV 的中压空气绝缘开关设备
• UniGear ZS1 是 ABB 主线全球开关设备，最高电压可达 24 kV、4000 A、50 kA，并在六大洲的您身边生产 • 在 100 多个国家/地区生产和安装了超过 300,000 块面板 • 每个 UniGear ZS1 面板由一个单元组成，该单元可配备断路器、接触器或开关切断器，以及常规开关设备可用的所有附件 • 经批准可用于特殊应用，如海洋、地震、核能，并按照 IEC、GB/DL、GOST 和 CSA 标准进行型式试验 • 单元可以直接与 UniGear 系列的其他产品耦合在一起 • 开关设备不需要后部进行安装或维护，所有操作都从前面进行