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MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
高频无线电力传输技术特刊无线电力传输（WPT）技术在众多领域中越来越重要
高频无线电力传输技术特刊 无线电力传输 (WPT) 技术在众多新兴应用中越来越重要，包括交通电气化、电网、消费电子、医疗和太空。其非接触性质使其在高温、水下、地下和外层空间等具有挑战性的环境条件下具有优势。当前 WPT 系统的性能与开关频率密切相关，开关频率是功率容量、功率密度和效率的关键决定因素。随着宽带隙和超宽带隙器件 (WBG 和 UWBG) 的快速发展，最新的半导体能够在高功率水平下实现高开关频率，从而为 WPT 系统提供能量。此外，大多数关于高频 WPT 的单独报告都没有考虑如何在批量生产中制造谐振器，而单个谐振器是针对测试进行调整的，这不适合工业批量生产。本期特刊积极征集针对广泛功率水平范围内高频 WPT 技术的前沿研究贡献。通过展示最新进展，我们旨在突破当前限制当代 WPT 系统频率和功率水平的界限。我们邀请研究人员为此做出贡献，并促进这一充满活力的领域的进一步创新。
基于景深的脑机接口发际线以下区域高频稳态视觉诱发电位评估
背景和目标：最近，提出了一种基于稳态视觉诱发电位（SSVEP-BCI）的很有前途的脑机接口，它由两个刺激组成，这两个刺激一起呈现在受试者的视野中心，但在不同的深度平面（景深设置）。因此，用户可以通过转移眼球焦点轻松地选择其中一个。然而，在这项工作中，EEG 信号是通过放置在枕骨和顶骨区域（头发覆盖的区域）的电极收集的，这需要较长的准备时间。此外，该工作使用了低频刺激，这会产生视觉疲劳并增加光敏性癫痫发作的风险。为了提高实用性和视觉舒适度，本研究提出了一种基于景深的 BCI，使用从发际线以下区域（耳后）测量的高频 SSVEP 响应。
梁格材料动态高频一致性连续化 Andrea Bacigalupo 1 和 Luigi Gambarotta 1* 1 土木工程系，
（紫线）。 (a) 沿无量纲不可约第一布里渊区边界的色散函数；(b) 沿无量纲不可约第一布里渊区子域边界的色散函数；(c) 周期性晶胞和无量纲第一布里渊区（以浅橙色突出显示无量纲不可约第一布里渊区）；(d) 无量纲不可约第一布里渊区的子域。
直接皮质刺激与 SEEG 记录中语言映射诱发高频活动之间的关系
目的 作者评估了在立体脑电图记录过程中，术前任务诱发的高频活动 (HFA) 对难治性癫痫患者语言映射的临床意义。尽管 HFA 评估被描述为认知的假定生物标志物，但其对映射语言网络的临床意义主要通过使用皮层脑电图 (ECOG) 的研究来评估。方法 对 42 例癫痫患者进行了颅内电极植入，并在任务诱发的 HFA 和直接皮层刺激 (DCS) 语言映射期间进行了评估。评估了每种方法在特异性和敏感性方面的空间和功能相关性。结果 结果表明，这两种方法都可以映射经典的语言区域，并且通过诱发的 HFA 获得了大型双侧语言网络。在区域层面，顶叶和颞叶的方法存在差异：HFA 招募了更多的皮层顶叶部位，而 DCS 涉及更多的皮层颞叶部位。重要的是，结果显示，HFA 可以预测 DCS 引起的语言干扰，具有高特异性（92.4%；阴性预测值 95.9%）和非常低的敏感性（8.9%；阳性预测值 4.8%）。结论 DCS 语言映射似乎比诱导 HFA 映射更适合广泛的时间映射。此外，应使用诱导 HFA 作为 DCS 的补充，通过省略报告为 HFA - 的部位来预先选择 DCS 期间刺激的部位数量。这可能是一个相当大的优势，因为它可以减少刺激过程的持续时间。讨论了每种方法要使用的几个参数，并根据 ECOG 研究报告的先前结果解释了结果。
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 ................................................................................ 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、RF） .............................................................................. 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子、激光二极管 ............................................................................................. TJ 测定 ............................................................................................................. 示例 .............................................................................................................................
MIL-HDBK-217F - TQU GROUP
6： 分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 单结晶体管 ................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*.......................... 晶体管，大功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... ....... ....... .......
MIL-HDBK-217F
6：分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 晶体管，单结 ........................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*..........................晶体管，高功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ ...........0。 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
基于景深的脑机接口发际线以下区域高频稳态视觉诱发电位评估
背景和目标：最近，提出了一种基于稳态视觉诱发电位（SSVEP-BCI）的很有前途的脑机接口，它由两个刺激组成，这两个刺激一起呈现在受试者的视野中心，但在不同的深度平面（景深设置）。因此，用户可以通过转移眼球焦点轻松地选择其中一个。然而，在这项工作中，EEG 信号是通过放置在枕骨和顶骨区域（头发覆盖的区域）的电极收集的，这需要较长的准备时间。此外，该工作使用了低频刺激，这会产生视觉疲劳并增加光敏性癫痫发作的风险。为了提高实用性和视觉舒适度，本研究提出了一种基于景深的 BCI，使用从发际线以下区域（耳后）测量的高频 SSVEP 响应。
GM50301
概述 GM50301 是一款 2.5GHz 、 10 路输出差分扇出缓冲 器，用于高频、低抖动时钟 / 数据分配和电平转换。输 入时钟可以从两个通用输入或一个晶体输入中选择。 所选定的输入时钟被分配到三组输出，两组包含 5 个 差分的输出和 1 个 LVCMOS 输出。两个差分输出 组均可被独立配置为 LVPECL 、 LVDS 或 HCSL 驱 动器，或者被禁用。 LVCMOS 输出具有用于在启用 或禁用时实现无短脉冲运行的同步使能输入。 GM50301 采用一个 3.3V 内核电源和 3 个独立的 3.3V 或 2.5V 输出电源供电。 GM50301 具有高性能、高功效而且用途广泛，使其 成为替代固定输出缓冲器器件的理想选择，同时增加 系统中的时序裕度。 GM50301 在内核和输出电源域之间没有电源时序要 求。 功能框图