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World File Search System黑焊盘
LED 组装中的低空洞焊膏
摘要 目的——本文旨在研究在批量生产环境下使用七种低空洞无铅焊膏通过回流焊接组装的发光二极管 (LED) 的导热垫下焊点的空洞现象。设计/方法/方法——所研究的焊膏为 SAC305 型、Innolot 型或由制造商在 (SnAgCu) 合金基础上特别配制，并添加了一些合金元素，例如 Bi、In、Sb 和 Ti，以提供低空洞含量。使用 SnPb 焊膏 - OM5100 - 作为基准。由于行业实践中通常使用 LED 焊盘的焊膏覆盖率作为焊点中空洞含量的衡量标准。发现 – 发现使用 LMPA-Q 和 REL61 焊膏形成的焊点具有最高的覆盖率，且空洞含量最低，其特征是覆盖率平均值分别为 93.13% [标准差 (SD) = 2.72%] 和 92.93% (SD = 2.77%)。空洞直径达到平均值，LMPA-Q 为 0.061 毫米 (SD = 0.044 毫米)，REL61 为 0.074 毫米 (SD = 0.052 毫米)。结果以直方图、绘图框和 X 射线图像的形式呈现。使用 3D 计算机断层扫描观察了一些选定的焊点。原创性/价值 – 使用 Origin 软件基于 2D X 射线图像进行统计分析。它们可以比较制造商推荐的低空洞的各种焊膏的特性。该结果可能对焊膏制造商或电子制造服务有用。
NV3047E 数据表
1. 概述 ................................................................................................................................ 1 2. 特点 ................................................................................................................................ 2 3. 焊盘排列 ................................................................................................................................ 3 3.1. 输出焊盘尺寸 ........................................................................................................................ 3 3.2. 焊盘尺寸 ............................................................................................................................. 4 3.3. 对准标记尺寸 ...................................................................................................................... 5 3.4. 焊盘坐标 ............................................................................................................................. 6 4. 框图 ............................................................................................................................. 17 5. 引脚描述 ............................................................................................................................. 18 6. 3 线串行接口 ................................................................................................................ 21 7. 寄存器列表 ........................................................................................................................ 22 7.1. 寄存器汇总 ........................................................................................................................ 22 7.2. 算法 ................................................................................................................................ 25 7.2.1.全局对比度设置 (04h) ...................................................................................................... 25 7.2.2. Sub-R 对比度设置 (05h) ................................................................................................ 26 7.2.3. Sub-B 对比度设置 (06h) ................................................................................................ 27 7.2.4. 全局亮度设置 (07h) ................................................................................................ 28 7.2.5. Sub-R 亮度设置 (08h) ................................................................................................ 29 7.2.6. Sub-B 亮度设置 (09h) ................................................................................................ 30 7.3. OTP 控制设置 ............................................................................................................................. 31 7.3.1. OTP 控制 (10h) ............................................................................................................. 31 7.3.2. OTP 地址 (11h) ................................................................................................................. 32 7.3.3. OTP 写入数据（12h） ...................................................................................................... 33 7.3.4. SPI 读取 OTP 数据（13h） ................................................................................................ 34 7.4. 接口类型和消隐门限控制 ...................................................................................................... 35 7.4.1. 接口类型和极性设置（21h） ............................................................................................. 35 7.4.2. 消隐门限控制 1（22h~26h） ............................................................................................. 36 7.4.3. 消隐门限控制 2（27h~2Bh） ............................................................................................. 37 7.5. 功率微调 ............................................................................................................................. 38 7.5.1. IBAS 调整（30h） ............................................................................................................. 38 7.5.2. IBIAS 和 VCC 调整 (31h) .............................................................................................. 39 7.5.3. LVD 和 VDDS 调整 (32h) .............................................................................................. 40 7.5.4. GVCL 调整 (38h) ...................................................................................................... 41 7.5.5. GVDD 调整 (39h) ...................................................................................................... 42 7.5.6. VGSP 调整 (3Ah) ...................................................................................................... 43 7.6. 栅极设置 ............................................................................................................................. 44 7.6.1. 栅极开关设置 (40h) ................................................................................................ 44 7.6.2. 栅极启动使能设置 (41h) ................................................................................................ 45 7.6.3. 栅极结束使能设置 (43h) ................................................................................................ 46 7.7.源控制设置 ................................................................................................................................ 47 7.7.1. 源负载设置 1 (50h) ................................................................................................ 47 7.7.2. 源负载设置 2 (51h) ................................................................................................ 48 7.7.3. 源负载设置 3 (52h) ................................................................................................ 49 7.7.4. 源负载设置 4 (53h) ................................................................................................ 50 7.7.5. 源负载设置 5 (54h) .................................................................................................................................... 51 7.7.6. 源充电设置 1 (55h) .............................................................................................. 52 7.7.7. 源充电设置 2 (56h) .............................................................................................. 53 7.7.8. 源充电设置 3 (57h) .............................................................................................. 54 7.7.9. 源充电设置 4 (58h) ............................................................................................. 55 7.7.10. 源设置 1 (59h) ...................................................................................................... 56 7.7.11. 源设置 2 (5Ah) ...................................................................................................... 57 7.7.12. 源设置 3 (5Bh) ...................................................................................................... 58 7.7.13. 源设置 4 (5Eh) ...................................................................................................... 59 7.8. 7.9. Gamma P 选择 (60h~72h) .......................................................................................................... 60 7.9. Gamma N 选择 (73h~85h) .......................................................................................................... 61 7.10. 泵控制 ...................................................................................................................................... 62...................................................... 62...................................................... 62
晶圆级扇出型封装的可靠性和性能
为了分析 UBM 疲劳，使用热机械有限元模拟研究了圆形衬垫界面处的载荷。由于 Hutchinson 和 Sou [15] 推断出拉伸法向载荷的界面韧性远低于剪切载荷，因此重点关注法向载荷。模拟研究了 T = -40°C 至 125°C 的温度范围。在低温下 (T = -40°C) 存在最高的拉伸法向载荷。这可以通过焊球材料在低温下蠕变减少 [16] 来解释，这会导致更高的弹性应力。此外，在低温下可以检测到焊球的倾斜。倾斜是由 PCB 和封装的 CTE 不匹配引起的。因此，拉伸法向应力位于界面朝向封装周边的一侧（见图 3）。图 3 中的色标直观地显示了拉伸和压缩应力的定性分布。这些模拟结果与分层实验结果相一致（见图 1）：在焊盘的相同外部区域也发现了分层。
TsanKit：用于焊球枕头缺陷检测的人工智能
摘要 本文提出了一种针对焊球HIP（Head-In-Pillow）缺陷检测的AI（人工智能）解决方案。HIP缺陷会影响焊球的导电性，导致间歇性故障。由于HIP缺陷的位置和形状多变，传统的机器视觉算法无法完全解决该问题。近年来，卷积神经网络（CNN）在图像识别和分类方面表现优异，但由于数据不足，容易引起过拟合问题。因此，我们结合CNN和机器学习算法支持向量机（SVM）来设计我们的检测流程。参考几种最新模型的优点，我们提出了3D CNN模型，并采用焦点损失和三重态损失来解决由稀有缺陷数据引起的数据不平衡问题。与几种经典的CNN模型和深度学习检测软件SuaKIT相比，我们的检测方法具有最佳性能和快速的测试速度。
验证房东盘细节-KPMG LLP
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了解和改进盘式制动器的冷却...
每辆车都需要制动系统，它涉及盘片和衬块之间的机械摩擦，从而将动能转化为热能。一旦踩下刹车，车辆就会减速，盘片和衬块表面会发热。制动是一个瞬间过程，只要踩下刹车，摩擦热就会持续产生，一段时间后会扩散到制动系统的其他部件中。制动过程中的温度升高会对制动性能产生不利影响。产生的热量必须立即消散，否则界面温度会随着持续制动而升高。目前，刹车是使用自然空气来冷却的。然而，这种空气冷却不足以带走所有产生的热量，因此热量会积聚并产生热问题，如刹车磨损、刹车衰退、盘片开裂、刹车噪音等。与制动系统热行为有关的主要问题是刹车衰退和刹车磨损，这直接影响制动系统的制动性能。
黑暗中的梦想和阴谋
1964 年，《微型计算机》一书的作者克里斯托弗·埃文斯发表了一篇论文，在文中他将做梦的状态比作计算机离线。在这两种情况下，与现实环境的联系都被切断了。这本新书《夜之风景》是那篇 1964 年论文的延伸。埃文斯于 1979 年突然去世，科学记者彼得·埃文斯承担了编辑和完成这本书的任务，他遇到了将早期草稿思考到合乎逻辑的结尾的问题。这本书由两个很少交流的头脑以这种方式写成，未能达到其宏伟的目标，这也许并不奇怪。克里斯托弗·埃文斯显然想要提出一种全新的梦境理论。然而，这本书以对睡眠和梦的生理学、弗洛伊德和荣格的思想以及不太传统的梦境与超感官知觉的关系的简要介绍开始。然后，它继续描述了 20 世纪 50 年代的一项研究，在这项研究中，渴望进入吉尼斯世界纪录的人试图保持清醒 200 小时或更长时间。他们全都开始出现幻觉，脾气变得非常暴躁，最后不得不被允许入睡。从那时起，更复杂的研究表明，当我们快速眼动时，我们会做梦，如果受试者被剥夺了快速眼动睡眠，他们也会受到心理困扰。埃文斯的结论是我们需要做梦。如果是这样，为什么呢？弗洛伊德当然相信他有答案。但埃文斯认为弗洛伊德的想法只是一厢情愿的想法，并开始
创新型 Waters TGA Smart-Seal 盘可降低成本...
假设使用尺寸合适的手套箱，购买价格为 60,000 美元，每年维护成本为 9,000 美元。TGA 的平均购买价格根据型号和配件不同，在 75,000-135,000 美元之间。TGA Smart-Seal 盘入门套件包含 15 个盘，售价为 6,000 美元，每个额外的盘售价为 75 美元。
用于货物盘应用的热线切割器开发
经常需要在Airdrop应用中切断线路或在命令上索具，这通常是用烟火驱动的切刀来完成的。热线切割机的使用提供了一种简单，安静，低成本，低重量的替代方案。这项工作提供了对热线切割机背后的原理的解释，概述了示例热线切割器系统的设计，从该系统进行了实验测试的结果，这些材料通常用于货物空调中，并显示了在小规模空调测试中使用该系统的结果。开发了一种简单的电池动力，小型设备，可以快速切割各种合成绳索，包括由尼龙，聚酯，光谱，Dyneema，vectran和Kevlar制成的绳索。该设备可用于从空投平台上脱离RIG有效载荷，降落后的主要降落伞和De-Reef降落伞。
下一代约瑟夫森电压标准的纳米技术...
图 4. 1 cm × cm NIST 1 V 可编程电压标准芯片。微波通过左侧的四条共面波导线发射到芯片上。底部和右侧的焊盘用于每个阵列的直流偏置线。每个阵列有 8 个 4096 个结点的阵列。底部阵列分为 2048、1024、512、256 的二进制序列和两个 128 个结点的阵列。