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Two-step method enables controllable WS₂ epitaxy growth
在美国化学学会杂志上发表的一项研究中,由中国科学技术大学(USTC)的Song Li教授(USTC)领导的中国科学院合成的单层WS2 WS2通过现场域工程,并启用了这些结构的可控制的直接化学蒸气(CVD)。