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虽然TiB 2 基复合材料的各种优异性能及制备方法已被广泛研究,但是其中子屏蔽性能尚未受到足够的重视。本文将对先前制备的TiB 2 -Al复合材料的中子屏蔽性能进行研究。利用光中子源装置对厚度为10 mm 的试验样品进行中子辐照试验。TiB 2 基含硼复合材料的平均热中子屏蔽率为17.55%,且屏蔽率随BN含量的增加而增大。复合材料的热中子宏观截面总体呈现稳定趋势,当BN含量为10%时,热中子宏观截面达到最大值7.58cm -1 。随着BN含量的增加,热中子注量率呈现逐渐减小的趋势。

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