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摘要 原子层沉积（ALD）已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜，并且厚度可控制在埃级，尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来，ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小，而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体，因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此，我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学，并详细讨论了与薄膜生长相关的机制；然后，我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学；最后，我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用，并对 ALD 技术的未来进行了展望。
薄膜的原子层沉积
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