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摘要：据推测，通过 CaSi 2 拓扑脱插合成的二维硅纳米片 (Si-NS) 由 sp 3 杂化硅原子的弯曲层组成，这些硅原子与其他三个框架 Si 原子以及一个终端原子或功能团（例如 H、Cl 或 -OH 基）结合。在这里，我们应用 1 H{ 35 Cl} 和 29 Si{ 35 Cl} 共振回波饱和脉冲双共振 (RESPDOR) 固态 NMR 实验来直接确认 Si-NS 内氯化 Si 原子的存在。将观察到的 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相绘制为 35 Cl 饱和脉冲偏移的函数，可以测量 35 Cl 中心跃迁 (CT) 四极粉末图和氯四极耦合常数 (CQ )。对 1 H{ 35 Cl} RESPDOR 失相曲线进行建模表明，Si-Si 层间距约为 6 Å。平面波 DFT 计算表明，Si-NS 的直接带隙跃迁随着氯化程度的增加而减小，这表明氯化是调整应用带隙的可行途径。
氢化硅纳米片的氯化揭示......
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