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摘要：半导体纳米晶体中电子和空穴之间的静电相互作用 (EI) 强度对其光电系统的性能有重大影响，不同的光电器件对活性介质的 EI 强度有不同的要求。然而，实现特定光电应用的 EI 强度的大范围和微调是一项艰巨的挑战，特别是在准二维核壳半导体纳米片 (NPL) 中，因为沿厚度方向的无机壳外延生长仅对量子限制效应有贡献，但却会严重削弱 EI 强度。在此，我们提出并展示了一种双梯度 (DG) 核壳结构的半导体 NPL，通过平面内结构调制控制局部激子浓度来按需调整 EI 强度，这通过对辐射复合率和激子结合能的广泛调整得到了证明。此外，这些激子浓度设计的 DG NPL 还表现出接近 1 的量子产率、高光和热稳定性以及显著抑制的自吸收。作为概念验证演示，基于 DG NPL 实现了高效的颜色转换器和高性能发光二极管（外部量子效率：16.9%，最大亮度：43,000 cd/m 2）。因此，这项工作为高性能胶体光电器件应用的开发提供了见解。关键词：半导体纳米片、接近 1 的量子产率、可定制的静电相互作用、高稳定性、光电子学
接近统一发射、广泛可定制且稳定的激子……
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