机构名称：
¥ 2.0
每当V dd小于VWI时，MRAM受到写作的保护。v dd超过v dd（min）后，启动时间为2 ms，然后才能启动读取操作。这次允许内存电源稳定。/e和 /w控制信号应在电源上跟踪V dd至V dd -0.2 V或V IH（以较低者为准），并且在启动时间保持较高。在大多数系统中，这意味着应用电阻将这些信号拉起，以便如果驱动信号为HI-Z，则在电源上升高时，信号保持较高。任何驱动 /e和 /w的逻辑都应将信号保持高的信号与启动时间更长的启动时间更长。在功率损耗或BrownOut期间，V DD在VWI以下，写入受到保护，并且当功率返回V DD（min）时，必须观察到启动时间。
UT81NDQ512G8T
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