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将稀释的需要二氮浓度掺入传统的III – V合金中会产生带隙能量的显着减少，从而在菌株和带隙工程中带来了独特的机会。然而，宿主基质的理想生长条件与替代二氮的理想生长条件之间的差异导致这些III – V – BI合金的材料质量落后于常规III – V半导体的材料。INSB 1 x BI X虽然在实验上尚未进行，但由于INSB和III – BI材料的理想生长温度相对相对相似，因此是高质量III – V – BI合金的有前途的候选者。通过识别高度动力学上有限的生长状态，我们通过分子束外延展示了高质量INSB 1 x BI X的生长。X射线衍射和Rutherford反向散射光谱法（RBS）测量合金的二晶浓度，并与光滑的表面形态结合，通过原子力显微镜测量，表明Unity-sticking Bismuth掺入了从0.8％到1.5％到1.5％的bismuth浓度，均为0.8％至1.5％。此外，从INSB 1 x BI X中观察到了第一次光致发光，并在230 K时显示了高达7.6 L m的波长延伸，二匹马诱导的带隙还原为29 MeV/％bi。此外，我们报告了INSB 1 x BI X的带隙的温度依赖性，并观察到与传统III – V合金相一致的行为。提出的结果突出了INSB 1 x BI X作为访问Longwave-Infrared的替代新兴候选者的潜力。
应用物理
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