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摘要 — 几十年来，对于从 4K 到室温以上的硅载流子，一直没有开发出统一的模型。本文提出了一个统一的未掺杂硅低场和高场迁移率模型，分别针对 8K 到 300K 和 430K 时<100>和<111>方向的电子以及 6K 到 430K 时<100>方向的空穴。研究发现，Canali 高场饱和模型足以拟合<111>实验数据，但不能拟合<100>数据，这是由于各向异性引起的平台期和负差速度。因此，使用了改进的 Farahmand 模型。为了允许在各向异性模拟中进行参数插值，还针对<111>方向校准了改进的 Farahmand 模型。然后使用该模型预测 4K 下未掺杂 Si 中电子和空穴的迁移率，当有可靠的实验数据可用于 TCAD 模型开发时，该迁移率可作为初始校准参数。
宽温度范围统一未掺杂块状硅...
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