Loading...
机构名称:
¥ 2.0

同位素纯化半导体具有更高的热导率(κ),因此散热性能可能比天然的、同位素混合的半导体更好。但对于室温下的 Si 来说,这种好处很低,块状 28 Si 的 κ 仅比块状天然 Si(nat Si)高 ∼ 10 %。我们发现,与这种块体行为形成鲜明对比的是,28 Si(99.92% 富集)纳米线的 κ 比具有相似直径和表面形貌的天然 Si 纳米线高 150 %。使用第一性原理声子色散模型,这种巨同位素效应归因于天然 Si 纳米线中同位素散射和声子表面散射的相互增强,并通过声子传输到原生非晶态 SiO 2 壳层而相关。该信发现了迄今为止报道的所有材料中室温下κ同位素效应最强的材料,并启发了同位素富集半导体在微电子领域的潜在应用。

硅纳米线热导率的巨同位素效应

硅纳米线热导率的巨同位素效应PDF文件第1页

硅纳米线热导率的巨同位素效应PDF文件第2页

硅纳米线热导率的巨同位素效应PDF文件第3页

硅纳米线热导率的巨同位素效应PDF文件第4页

硅纳米线热导率的巨同位素效应PDF文件第5页