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摘要：外延和晶圆键合系统界面的研究借鉴了材料科学、电气工程和机械工程，涉及先进的材料表征技术。低温晶圆键合已被用来生产各种各样的材料组合，最显著的是绝缘体上硅结构。然而，对外延和键合界面的修改会影响这些界面上的电或热传输。在本演讲中，我们提供了几个半导体和金属基系统的例子，以解决研究和修改不同、技术上重要的界面组合作为处理（如退火）的功能的能力。材料组合范围从 Si|Si 和 Si|Ge 到宽带隙材料组合，包括 GaN|Si 到 b-Ga 2 O 3 | SiC 以及金属|金属热压键合。我们的主要目标是能够研究和设计界面以优化属性并最终优化设备性能。这些研究是 MURI 项目“利用新的理论范式增强宽带隙电力电子中的界面热传输”的一部分。
加州大学欧文分校
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