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由于光刻图案化沉积石墨烯中普遍存在边缘无序，以及缺乏新的电子学范式，石墨烯最初有望取代硅，但这一希望落空了。本文我们证明了在碳化硅衬底（外延石墨烯）上外延生长的传统图案化石墨烯中的退火边缘由衬底稳定，并支持受保护的边缘状态。边缘状态的平均自由程大于 50 微米，比本体状态大 5000 倍，并且涉及理论上意想不到的马约拉纳类零能量非简并准粒子，该准粒子不会产生霍尔电压。在无缝集成结构中，边缘状态形成零能量一维弹道网络，在带带结处具有基本无耗散的节点。无缝器件结构提供了各种切换可能性，包括低温下的量子相干器件。这使得外延石墨烯成为技术上可行的石墨烯纳米电子学平台，有可能取代硅纳米电子学。
用于零能边缘态纳米电子学的外延石墨烯平台
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