图 1. 使用三电极装置探测 n 型薄膜的光电化学特性。(a) p(C 6 NDI-T 的化学结构。(b) 在 PBS 中电化学掺杂过程中 ITO 涂层 p(C 6 NDI-T) 薄膜的吸光度光谱的变化。(c) 黑暗条件下在 PBS 中记录的 ap(C 6 NDI-T) 薄膜的循环伏安法 (CV) 曲线。该薄膜涂在圆形微电极上 (A = 0.196 mm 2 )。扫描速率为 50 mV/s。箭头表示扫描方向，并标记还原峰。(d) 在 OCP 条件下测得的 p(C 6 NDI-T) 电极在黑暗（黑色）和暴露于红光（660 nm，406 mW/cm 2 ）时的奈奎斯特图。插图突出显示了高频下的阻抗曲线。 (e) 顶部：浸没在电解质中的薄膜与光相互作用的示意图（红色箭头）。光形成激子（移动的电子-空穴对），一些激子分解为自由电荷载体。底部：在 t= 0 分钟时开启红光照射（660 nm，406 mW/cm 2 ）约 2 分钟后，聚合物电极的 OCP 变化。