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封盖层对于保护非挥发性光子技术中使用的相变材料 (PCM) 至关重要。这项工作展示了 (ZnS) 0.8 -(SiO 2 ) 0.2 封盖如何从根本上影响 Sb 2 S 3 和掺杂 Ag 的 Sb 2 S 3 集成光子器件的性能。我们发现至少需要 30 nm 的封盖材料来保护材料免受硫损失。然而，添加这个封盖会以不同的方式影响这两种 PCM 的结晶温度。Sb 2 S 3 和掺杂 Ag 的 Sb 2 S 3 的结晶温度分别升高和降低，这归因于界面能差异。制造并测量了封盖和未封盖的掺杂 Ag 的 Sb 2 S 3 微环谐振器 (MRR) 器件，以了解封盖如何影响器件性能。令人惊讶的是，对于封盖的 PCM，MRR 的谐振频率在结晶时表现出更大的红移。这种效应是由于封盖增加了与 PCM 层的模式重叠。因此，封盖可用于提供更大的单位长度光学相移，从而减少这些可编程设备的总占用空间。总的来说，我们得出结论，PCM 上的封盖不仅可用于稳定 PCM 层，还可用于调整 PCM 结晶温度并减少设备占用空间。此外，封盖层可用于增强光物质与 PCM 元件的相互作用。
覆盖层对基于 Sb2S3 的可重构材料的影响...
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