机构名称：
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高带gap（较短的波长）材料由III-V半导体组合形成，允许在紫外线范围内进行辐射排放。通过改变铝，粘液和凝胶的比率，可以获得特定的发射波长。UV LED进一步分类为UVA，UVB和UVC LED。在UV和UVA LED附近使用Ingan在活动区域中使用Ingan，并且主要在蓝宝石底物上生长。氮化铝含量是低于365 nm的波长的首选材料。对于发射较短的紫外线波长的设备，需要具有更大铝含量的组合物。蓝宝石底物含有氮化铝或氮化铝铝铝层，也用于提高较短波长的LED质量[4]。
紫外线LED 101 UV LED技术的基础
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