点击购买，资源将自动在新窗口打开.
获取独家产品信息，尽享促销优惠！立即订阅，不容错过
* 限···时··优惠
Lofet芯片的布局（图1）包括一个初始块，其中11个单独的晶体管使电路模拟的完整参数提取。第二个块包含四个在振荡器中复制的逆变器。这些单独访问的逆变器级别可以对瞬态行为进行详细分析，以防单个逆变器阶段的放大不足以启动环振荡器的振荡。第三个块包含具有7或15个阶段的环振荡器。每个环电路都有一个三阶段的输出放大器，该放大器将环内的振荡与输出端子解开，并允许直接测量，而无需外部扩增。LOFET底物也在底门体系结构中产生，因此功能电路仅需要半导体层的沉积。
主要关键词
