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分形指示不浪费能量的处理器路径
正在进行研究，以进一步实现在微电子领域使用拓扑绝缘体的可能性。
来源:OSP网站大数据新闻1980 年，诺贝尔奖因发现拓扑绝缘体（沿表面传导电流的电介质）而荣获。它们的特点是电流通过时没有能量损失。这使得拓扑绝缘体适合创建量子计算机，但它们的特性只有在非常强的磁场和接近绝对零的温度下才会显现出来。
2017年，人们发现铋的单原子层在室温和无磁场的情况下表现出相同的特性，2022年，来自荷兰和中国的物理学家表明，材料中可以出现没有能量损失的表面态，其维数在一到二之间。正如物理学家所解释的，这种性质是分形结构所固有的。
研究人员在半导体锑化铟上生长铋晶体，形成了维数为1.58的分形结构，并证明其在普通条件下表现出拓扑绝缘体的特性。在下一阶段的研究中，科学家希望在这种分形结构上生长超导体。