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压力将埃格斯特罗姆薄的半导体铋转变为金属，扩大了可重构电子产品的选择
二维 (2D) 材料是由 2004 年诺贝尔奖获得者石墨烯的分离引发的，它表明只需通过调整此类 2D 材料的厚度、应变或堆叠顺序即可调整电学、光学和机械行为，从而彻底改变了现代材料科学。从晶体管和柔性显示器到神经形态芯片，电子产品的未来预计将受到 2D 材料的大力推动。
来源:英国物理学家网首页二维 (2D) 材料是由 2004 年诺贝尔奖获得者石墨烯的分离引发的，它表明只需通过调整此类 2D 材料的厚度、应变或堆叠顺序即可调整电学、光学和机械行为，从而彻底改变了现代材料科学。从晶体管和柔性显示器到神经形态芯片，电子产品的未来预计将受到 2D 材料的大力推动。
在 Nano Letters 上发表的一项题为“Ångström-Thickness 2D Bismuth 中的压力驱动金属性和与 MoS2 的层选择性欧姆接触”的新研究中，由 SUTD 领导的研究人员发现，轻轻挤压就足以使铋（元素周期表中最重的元素之一）改变其电特性。
已发布 纳米字母利用最先进的密度泛函理论 (DFT) 模拟，该团队表明，当单层铋（只有几个原子厚）在周围材料之间被压缩或“挤压”时，原子会从轻微波纹（或弯曲）结构重组为完全平坦的结构。这种结构扁平化虽然微妙，但却对电子产生了巨大的影响：它消除了能带隙并允许电子自由移动，使材料变成金属。
“一旦铋片变得完全平坦，电子态就会重叠，材料会突然像金属一样导电。这种转变完全是由机械压力驱动的，”新加坡科技大学博士后研究员王树华博士说。
自然 铋