打破速度限制:用硝酸锂

克服常规技术局限性,以实现350 kHz的高速光相干调制。结构化的光场具有广泛的独特和强大特征。通过对其光学连贯性获得更大的控制,研究人员不仅可以减少与过度连贯性相关的缺点,而且还可以发现新功能。这种增强的控制提供了[...]

来源:SciTechDaily
铌酸锂薄膜调制器设计可在0-2π相位范围内实现350kHz的调制频率,进一步实现光场相干性的高速控制。图片来源:蔡杨建

克服传统技术限制,实现350kHz高速光相干调制。

结构光场拥有广泛的独特而强大的特性。通过更好地控制光学相干性,研究人员不仅可以减少与过度相干性相关的缺点,还可以发现新的功能。这种增强的控制为光如何与物质相互作用提供了新的视角。因此,微调这些光场的相干性以适应特定用途已成为科学探索的一个主要领域。

然而,主要挑战之一是传统的光调制技术通常调制速度慢。这种限制使得光学相干控制很难走出实验室并进入实际的现实应用。开发快速光学相干调制方法现在被视为需要克服的关键障碍。

铌酸锂 (LN) 长期以来一直被认为是高速电光调制的领先材料,这得益于其强大的线性电光响应(称为普克尔斯效应)。随着铌酸锂薄膜(LNF)制造的最新改进和微加工技术的稳步进步,科学家们已经能够在绝缘体上 LNF 平台上创建各种集成光子器件。

现在许多光调制器和电子束偏转器都依赖于这种基于 LN 的平台。通过向铌酸锂波导施加电压,研究人员可以精细、快速地调整穿过它的光的相位。这种精确的相位控制使得使用 LNF 调制器操纵光学相干性成为可能。

用于相干控制的 LNF 调制器的新应用

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